一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法技术

本发明专利技术提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性，从电路层面分析发生闩锁的具体原因；在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单元电流电压变化，分析发生单粒子闩锁的具体位置和电路模块；本发明专利技术实时性强，方法简单快速，可以实时监测CMOS图像传感器单粒子闩锁效应，同时保护CMOS图像传感器发生闩锁后依然能够恢复正常工作，更加准确定位CMOS图像传感器发生单粒子闩锁的电路模块。

A test method for single particle latch up effect of CMOS image sensor

【技术实现步骤摘要】
一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法
本专利技术涉及电子器件辐射效应检测
，涉及一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法。
技术介绍
和电耦合器件相比较，CMOS图像传感器有着集成度高、速度快、低功耗等优点。而且近些年来，快速发展的CMOS图像传感器生产工艺已经极大提高了CMOS图像传感器的性能，使其可以比拟电耦合器件(CCD)图像传感器。因为这些优势，基于CMOS制造工艺的图像传感器已经被应用在空间领域，涉及星敏感器、遥感成像和对地观测等方面。CMOS图像传感器在空间应用时，空间中的质子、中子和重离子会导致CMOS图像传感器发生单粒子闩锁，严重时导致其不能正常工作。因此需要研发出高抗单粒子闩锁的CMOS图像传感器，这就需要在地面模拟空间辐射环境装置上进行单粒子闩锁试验，找出器件单粒子闩锁敏感模块，从而有针对性的进行加固处理。已有的针对CMOS图像传感器单粒子闩锁测试方法，主要是通过检测CMOS图像传感器总电流变化，这种方法能够评估出CMOS图像传感器整体对单粒子闩锁敏感性，缺点是无法具体到某一电路单元单粒子闩锁敏感性，而且无法从电路层面上分析闩锁发生的原因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，其特征在于，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，具体操作按下列步骤进行：a、首先安装好CMOS图像传感器测试板，使得CMOS图像传感器正常工作，实时采图通过cameralink传输到PC机端芯片成像软件上；b、设置CMOS图像传感器各个模块电流阈值，阈值选定为正常电流值的1.2倍；c、通过电流电压监测板实时在线监测CMOS图像传感器各个模块电流电压，包括模拟电路、数字电路、接口电路、模数转换电路和PLL电路模块；d、监测的电流电压数据通过串口转USB线传输到PC机...

【技术特征摘要】
1.一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，其特征在于，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，具体操作按下列步骤进行：a、首先安装好CMOS图像传感器测试板，使得CMOS图像传感器正常工作，实时采图通过cameralink传输到PC机端芯片成像软件上；b、设置CMOS图像传感器各个模块电流阈值，阈值选定为正常电流值的1.2倍；c、通过电流电压监测板实时在线监测CMOS图像传感器各个模块电流电压，包括模拟电路、数字电路、接口电路、模数转换电路和PLL电路模块；d、监测的电流电压数据通过串口转USB线传输到PC机中...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭旗，蔡毓龙，李豫东，文林，周东，冯婕，张翔，刘炳凯，傅婧，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：新疆,65