晶片级分配器制造技术

本发明专利技术涉及一种晶片级分配器，更详细而言，涉及一种具有能够以各种角度靠近形成在晶片的半导体芯片而涂布粘性溶液的功能的晶片级分配器。本发明专利技术的晶片级分配器具有可自由地调节泵的角度而对晶片或安装在所述晶片上的半导体芯片分配粘性溶液的效果。

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【技术实现步骤摘要】
晶片级分配器
本专利技术涉及一种晶片级分配器，更详细而言，涉及一种具有能够以各种角度靠近形成在晶片的半导体芯片而涂布粘性溶液的功能的晶片级分配器。
技术介绍
在半导体芯片的制造工艺中，广泛地使用对安装在基板的半导体芯片的侧面涂布粘性溶液而使粘性溶液填充到基板上的半导体芯片之间的底部填充工艺。最近，正在使用如下方法：在形成在晶片的半导体芯片上按照多层积层不同的半导体芯片而构成一个系统半导体芯片。通过使用像上述内容一样不使用如软性电路基板(FPCB)的基板而在晶片上直接按照多层安装半导体芯片的方法，具有可减小整个半导体元件的尺寸及厚度的优点。在像上述内容一样在晶片上安装半导体芯片的情况下，也需进行在晶片与半导体芯片之间及上下邻接的半导体芯片之间填充粘性溶液的底部填充工艺。与对安装有半导体芯片的基板执行底部填充工艺的情况相比，在对晶片执行底部填充工艺的情况下需要更高的精确度及准确度。因此，需要一种构造如下的装置：可有效地支撑具有与基板不同的构造及特性的晶片，并对所述晶片涂布粘性溶液。另外，在对晶片执行底部填充工艺的情况下，存在还需进行为了限制涂布粘性溶液而所述粘性溶液流动的区域来形成障壁(dam)的工艺的情况，从而还需要可有效地执行如上所述的作业的功能。另外，为了小型化制作形成到晶片上的半导体芯片，重要的是减小排除区域。排除区域(KOZ，KeepOutZone)是指为了执行底部填充工艺等而另外形成到半导体芯片中的形成电极或元件的区域外围的区域。随着半导体芯片小型化，如上所述的排除区域也需最小化才能设计及制作尺寸更小的半导体芯片。如上所述，如果缩小排除区域面积，则不仅可将半导体芯片的尺寸小型化，而且可缩小半导体芯片之间的间隔，因此可在相同的面积的晶片制作更多的半导体芯片。以往，为了执行底部填充工艺，分配粘性溶液的喷嘴从垂直上侧沿垂直方向靠近半导体芯片而分配底部填充溶液。如果考虑在像上述内容一样喷嘴沿垂直方向靠近而沿垂直方向(上下方向)涂布粘性溶液的情况下由粘性溶液形成的液滴(droplet)的尺寸或所述液滴掉落到基板而流动的面积等，则在减小排除区域的方面存在极限。如上所述，为了减小排除区域而最终减小半导体芯片的尺寸，需要一种具有如下功能的晶片级分配器：用于通过除变更粘性溶液的种类、喷嘴的尺寸、液滴的尺寸或粘性溶液的喷出方法以外的其他方法执行底部填充工艺或形成由粘性树脂形成的障壁的工艺，且可缩小排除区域。
技术实现思路
专利技术欲解决的课题本专利技术是为了满足如上所述的需求而提出，其目的在于提供一种能够以各种角度对形成有半导体芯片的晶片或积层在所述晶片的半导体芯片涂布粘性溶液的晶片级分配器。解决课题的手段为了达成上述目的，本专利技术的晶片级分配器包括：泵单元，分配粘性溶液；倾斜单元，结合到所述泵单元以调节通过所述泵单元分配的粘性溶液的喷出方向的角度，使所述泵单元相对于水平方向中心轴旋转；泵移送单元，结合到所述倾斜单元而移送所述倾斜单元；晶片支撑单元，配置到所述泵单元的下侧并支撑晶片；以及晶片旋转单元，使所述晶片支撑单元旋转以调节由所述晶片支撑单元支撑的晶片的方向。专利技术效果本专利技术的晶片级分配器具有可自由地调节泵的角度而对晶片或安装在所述晶片上的半导体芯片分配粘性溶液的效果。附图说明图1是本专利技术的一实施例的晶片级分配器的俯视图。图2是在图1所示的晶片级分配器装载有晶片的状态的俯视图。图3是图2所示的晶片级分配器的前视图。图4是图2所示的晶片级分配器的侧视图。图5是图1至图4所示的晶片级分配器的泵单元的剖面图。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的一实施例的晶片级分配器进行说明。图1是本专利技术的一实施例的晶片级分配器的俯视图，图2是在图1所示的晶片级分配器装载有晶片S的状态的俯视图，图3是图2所示的晶片级分配器的前视图，图4是图2所示的晶片级分配器的侧视图。参照图1至图4，本实施例的晶片级分配器包括倾斜单元200、前进后退单元300、泵移送单元400、晶片支撑单元500、晶片加压单元530、晶片移送单元600、晶片旋转单元700及泵单元100而构成。泵单元100以可通过喷嘴160喷出粘性溶液的方式构成。泵单元100设置到倾斜单元200。倾斜单元200使泵单元100旋转。倾斜单元200使泵单元100相对于水平方向中心轴旋转。以图1及图2为基准，倾斜单元200使泵单元100以X方向旋转轴为中心进行旋转。如果倾斜单元200使泵单元100旋转，则泵单元100的喷嘴160的方向发生变化。以下，将如下情况定义为“倾斜”：如上所述，使泵单元100以泵单元100的喷嘴160的方向相对于Z方向的垂直轴倾斜的方式旋转。参照图4，前进后退单元300设置到泵单元100与倾斜单元200之间。前进后退单元300使泵单元100前进后退。前进后退单元300使泵单元100前进后退的方向与泵单元100的喷嘴160的方向相同。即，前进后退单元300使泵单元100沿通过泵单元100的喷嘴160喷出粘性溶液的方向前进或后退。泵移送单元400结合到倾斜单元200。泵移送单元400移送倾斜单元200。在本实施例中，泵移送单元400沿水平方向及上下方向移送倾斜单元200。此处，水平方向为图1及图2所示的Y方向，上下方向是指图3及图4所示的Z方向。晶片支撑单元500配置到泵单元100的下侧。晶片支撑单元500为放置固定通过泵单元100分配粘性溶液的晶片S的构成。如图1所示，晶片支撑单元500包括环形框架510、多个晶片支撑部件520及多个升降部件。环形框架510是构成为环形态的框架。如图1及图2所示，环形框架510的一部分开放而形成为环形态。晶片传送装置通过环形框架510的开放的部分进入到环形框架510的内部而将晶片S传递到环形框架510。多个晶片支撑部件520沿环形框架510的圆周方向排列。如图1所示，多个晶片支撑部件520在环形框架510中设置到可支撑圆盘形态的晶片S的边缘的位置。升降部件分别设置到环形框架510而使晶片支撑部件520相对于环形框架510升降。各晶片支撑部件520具备真空吸附孔以可吸附晶片S的边缘的下表面。加热块540以与放置到环形框架510的晶片S的下表面接触的方式配置。在本实施例中，如图1所示，在环形框架510的内部配置加热块540。在加热块540形成吸附孔，从而以可吸附固定晶片S的下表面的方式构成。加热块540以可通过配置在内部的热线调节温度的方式构成。如果以晶片S放置在环形框架510的状态由加热块540支撑所述晶片的下表面，则通过加热块540而晶片S的温度固定地保持为预先设定的温度。晶片加压单元530对支撑在晶片支撑单元500的晶片S加压。晶片加压单元530包括多个加压部件531及多个加压动作部件532。多个加压部件531沿环形框架510的圆周方向排列。为了均匀地对晶片S加压，多个加压部件531沿环形框架510的圆周方向按照相同的角度间隔排列。在本实施例中，如图1及图2所示，具备3个加压部件531。加压动作部件532也与加压部件531相同地具备3个。加压动作部件532使加压部件531相对于各环形框架510沿半径方向移送并升降。加压动作部件532利用加压部件531分别对放置在环形框架510及加热块540的晶片S的边缘加压而防止晶片S翘曲。即，如图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片级分配器，其特征在于，包括：泵单元，分配粘性溶液；倾斜单元，结合到所述泵单元以调节通过所述泵单元分配的所述粘性溶液的喷出方向的角度，使所述泵单元相对于水平方向的中心轴旋转；泵移送单元，结合到所述倾斜单元而移送所述倾斜单元；晶片支撑单元，配置到所述泵单元的下侧并支撑晶片；以及晶片旋转单元，使所述晶片支撑单元旋转以调节由所述晶片支撑单元支撑的晶片的方向。

【技术特征摘要】
2018.04.09 KR 10-2018-0040810;2018.04.30 KR 10-2011.一种晶片级分配器，其特征在于，包括：泵单元，分配粘性溶液；倾斜单元，结合到所述泵单元以调节通过所述泵单元分配的所述粘性溶液的喷出方向的角度，使所述泵单元相对于水平方向的中心轴旋转；泵移送单元，结合到所述倾斜单元而移送所述倾斜单元；晶片支撑单元，配置到所述泵单元的下侧并支撑晶片；以及晶片旋转单元，使所述晶片支撑单元旋转以调节由所述晶片支撑单元支撑的晶片的方向。2.根据权利要求1所述的晶片级分配器，其特征在于，还包括晶片移送单元，所述晶片移送单元沿水平方向移送所述晶片支撑单元以调节所述晶片支撑单元相对于所述泵单元的位置。3.根据权利要求2所述的晶片级分配器，其特征在于，所述晶片移送单元使所述晶片支撑单元沿水平方向直线路径前进后退，所述泵移送单元沿正交于所述晶片支撑单元的移送方向的水平方向及上下方向移送所述泵单元。4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片级分配器，其特征在于，还包括加热块，所述加热块与放置在所述晶片支撑单元的晶片的下表面接触而固定地保持所述晶片的温度。5.根据权利要求4所述的晶片级分配器，其特征在于，所述晶片支撑单元包括支撑圆盘形态的晶片的边缘的环形态的环形框架，所述加热块配置到所述晶片支撑单元的所述环形框架的内部。6.根据权利要求5所述的晶片级分配器，其特征在于，还包括晶片加压单元，所述晶片加压单元将所述晶片加压...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪承珉，赵禧仲，
申请(专利权)人：普罗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR