【技术实现步骤摘要】
一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统
本技术涉及金属复合纳米材料设备领域，具体涉及一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统。
技术介绍
现阶段关于金属复合纳米材料制备工艺的报道较少，然而随着纳米材料技术高速发展，金属纳米复合材料由于具备的优良特性性质，得到了越来越广泛的应用。目前的制备工艺都是在金属淬火炉内把金属材料处理完，冷却后拿出，再放入CVD设备里外延与纳米材料复合。其中，CVD是指高温气相淀积，把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽及反应所需其他气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在处理过程中，首先淬火完成的金属材料金相固定，拿出后无法保证表面干净程度，再次附着后存在分子间结合力弱、膨胀系数等问题，决定了多次使用后会脱落或者分离，表面不干净并产生杂质，影响材料质量，从而无法制备出高质量的金属复合材料。
技术实现思路
为了克服上述的技术问题，本技术的目的在于提供一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统，该系统结构简单，操作方便，有效的解决了金属同位复合膜制备过程中存在的问题；该系统在不需要降温相变的情况即可实现CVD薄膜生长，降低工艺...
【技术保护点】
1.一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统，包括安装壳体(14)、升降调节机构、加热机构、淬火淀积机构，加热机构、淬火淀积机构设于安装壳体(14)的内壁处，其特征在于，所述升降调节机构包括升降托台(9)、升降调节器(10)、自动升降台(11)、升降杆(16)，自动升降台(11)呈长方体状，升降调节器(10)与升降杆(16)同轴设置，升降杆(16)的一端与升降托台(9)固定连接，另一端与自动升降台(11)固定连接；所述加热机构包括加热器(6)、防对流塞(5)、石英腔体(4)，加热器(6)具有一圆柱形中空腔体，石英腔体(4)与加热器(6)圆柱形中空腔体的顶部密封连接，防对流塞...
【技术特征摘要】
1.一种可以自由升降的真空气氛淬火CVD系统，包括安装壳体(14)、升降调节机构、加热机构、淬火淀积机构，加热机构、淬火淀积机构设于安装壳体(14)的内壁处，其特征在于，所述升降调节机构包括升降托台(9)、升降调节器(10)、自动升降台(11)、升降杆(16)，自动升降台(11)呈长方体状，升降调节器(10)与升降杆(16)同轴设置，升降杆(16)的一端与升降托台(9)固定连接，另一端与自动升降台(11)固定连接；所述加热机构包括加热器(6)、防对流塞(5)、石英腔体(4)，加热器(6)具有一圆柱形中空腔体，石英腔体(4)与加热器(6)圆柱形中空腔体的顶部密封连接，防对流塞(5)设于圆柱中空腔体内且其顶部与石英腔体(4)的底部连接；所述淬火淀积机构包括进气腔体(18)、进气阀门(1)、进气口(7)，进气腔体(18)的顶部通过法兰与加热器(6)密封连接，进气阀门(1)与进气口(...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔令杰，李晓丽，
申请(专利权)人：合肥百思新材料研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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