【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】适用于使用在光电装置中的层系统以及用于以连续卷绕式工艺制造层系统的方法
本公开内容的实施方式涉及适用于使用在光电装置中的层系统以及用于以连续卷绕式(roll-to-roll)工艺制造这类层系统的方法。本公开内容的实施方式特别涉及包含沉积在柔性基板上的层堆叠物的层系统。更具体地说，本公开内容的实施方式涉及由连续卷绕式真空沉积工艺所制造的层系统。
技术介绍
在封装产业、半导体产业和其他产业中，对于柔性基板如塑料膜或箔的处理是有着高度需求的。处理可由以所希望的材料如金属(特别是铝)、半导体和介电材料涂布柔性基板、蚀刻和为了所希望的应用在基板上进行的其他处理行为所组成。执行这项任务的系统典型地包含处理鼓，例如圆柱形的辊，处理鼓耦接到用于传送基板的处理系统，且基板的至少一部分在处理鼓上被处理。因此，卷绕式(R2R)涂布系统能够提供高产量的系统。一种工艺，如物理气相沉积(physicalvapordeposition,PVD)工艺、化学气相沉积(chemicalvapordeposition,CVD)工艺和等离子体增强气相沉积(plasmaenhancedchemicalva...
【技术保护点】
1.一种适用于使用在光电装置中的层系统(100)，包括：柔性基板(101)，平面化层(110)，设置在所述柔性基板(101)上，以及透明导电氧化物层(120)，设置在所述平面化层(110)上，其中所述平面化层(110)构造成包覆所述柔性基板(101)上的多个缺陷，且其中所述平面化层构造成共价结合到所述柔性基板的表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种适用于使用在光电装置中的层系统(100)，包括：柔性基板(101)，平面化层(110)，设置在所述柔性基板(101)上，以及透明导电氧化物层(120)，设置在所述平面化层(110)上，其中所述平面化层(110)构造成包覆所述柔性基板(101)上的多个缺陷，且其中所述平面化层构造成共价结合到所述柔性基板的表面。2.如权利要求1所述的层系统(100)，其中所述平面化层(110)具有100nm≤TPL≤800nm的厚度TPL。3.如权利要求1或2所述的层系统(100)，其中所述平面化层(110)的厚度TPL根据以下方程式加以选择：TPL＝(1-(TTCO/hd))×100其中TTCO为所述透明导电氧化物层的厚度，且其中hd为所述基板上缺陷的高度。4.如权利要求1至3任一项所述的层系统(100)，其中所述透明导电氧化物层(120)的厚度TTCO为5nm≤TTCO≤100nm。5.如权利要求1至4中任一项所述的层系统(100)，其中所述平面化层(110)进一步构造成促进所述透明导电氧化物层(120)与所述平面化层(110)的粘附。6.如权利要求1至5中任一项所述的层系统(100)，其中所述平面化层(110)包含碳氧化硅SiOxCy，尤其是其中所述平面化层(110)由碳氧化硅SiOxCy组成。7.如权利要求1至6中任一项所述的层系统(100)，其中所述透明导电氧化物层(120)包含选自于由氧化硅SiOx、氧化铌NbOx和氧化铟锡ITO所组成的群组的至少一种材料。8.如权利要求1至7中任一项所述的层系统(100)，进一步包括层堆叠物(130)，所述层堆叠物(130)设置在所述平面化层(110)上，其中所述层堆叠物(130)包括NbOx的第一层(131)、SiOx的第二层(132)和ITO的第三层(133)。9.如权利要求8所述的层系统(100)，其中所述第一层(131)具有5nm≤T1≤10nm的厚度T1，其中所述第二层(132)具有40nm≤T2≤80nm的厚度T2，且其中所述第三层(133)具有20nm≤T3≤60nm的厚度T3。10.如权利要求1至9中任一项所述的层系统(100)，其中所述柔性基板(101)包括选自...
【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔·莫里森，乔斯·曼纽尔·迭格斯坎波，海克·兰特格雷夫，斯蒂芬·海因，托比亚斯·斯托利，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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