氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物溅射靶，其由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法
本专利技术涉及一种包含氧化锆、二氧化硅及氧化铟的氧化物溅射靶以及氧化物溅射靶的制造方法。
技术介绍
作为信息记录介质，已知有DVD、BD[Blu-ray(注册商标)Disc]等相变型光盘。这些相变型光盘通常制成在基板上层叠有电介质层、记录层、电介质层及反射层等多个层的层叠体。作为各层的成膜方法，广泛利用溅射法。相变型光盘通过将记录用激光束照射到光记录介质来使记录层产生相变，从而记录信息。作为相变型光盘的电介质层或保护层，使用包含氧化锆、二氧化硅及氧化铟的氧化物膜(专利文献1、2)。在专利文献2中公开有一种氧化物溅射靶，其作为光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有由如下成分组成的组成，即，以摩尔％计含有氧化锆：10～70％、二氧化硅：50％以下(不包含0％)，剩余部分：氧化铟及不可避免的杂质。在该专利文献2中记载有该氧化物溅射靶的制造方法，该方法为：称取规定量的ZrO2粉末、非晶质SiO2粉末及In2O3粉末，并利用亨舍尔混合机混合均匀之后，将该混合粉末冲压成型，将所获得的成型体在氧气氛中烧成而使其烧结。专利文献1：日本专利第4567750号公报(B)专利文献2：日本专利第5088464号公报(B)在相变型光盘中，随着记录密度的增加，记录凹洞或轨距的微细化发展，对异物混入的管理变得严格。因此，在用于相变型光盘的制造的氧化物溅射靶中，要求颗粒物不易飞散。然而，在专利文献2中记载的氧化物溅射靶的制造方法中，有时在烧成成型体时烧成气氛中的氧不足。若在烧成气氛中的氧不足的状态下，烧成成型体，则所获得的氧化物溅射靶内的氧浓度变得不均匀。而且，明确了如下内容：若氧化物溅射靶的靶面内的氧浓度的偏差变大，则靶面内的电阻率变得不均匀，会因电位集中在特定部位而在溅射中产生异常放电，且因该异常放电而产生颗粒物飞散的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够抑制溅射中的异常放电的产生及颗粒物飞散的氧化物溅射靶、以及该氧化物溅射靶的制造方法。为了解决上述课题，本专利技术的氧化物溅射靶的特征在于，由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。根据设为这种结构的本专利技术的氧化物溅射靶，由于靶面内的氧浓度的最大值与最小值满足上述关系，靶面内的氧浓度的偏差得到抑制。因此，靶面内的氧浓度的均匀性高，靶面内的电阻率变均匀，因此溅射中的异常放电得到抑制，随之抑制颗粒物的产生。其中，在本专利技术的氧化物溅射靶中，优选靶面内的电阻率的最大值与最小值之差相对于所述电阻率的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。此时，靶面内的电阻率的偏差被控制在上述范围内，因此进一步抑制溅射中的异常放电，随之可靠地抑制颗粒物的产生。本专利技术的氧化物溅射靶的制造方法的特征在于，为制造上述氧化物溅射靶的方法，该方法具备如下工序：混合氧化锆粉末、二氧化硅粉末及氧化铟粉末而获得比表面积为11.5m2/g以上且13.5m2/g以下的混合粉末；将所述混合粉末成型而获得成型体；一边使氧在烧成装置内流通，一边将所述成型体以1300℃以上且1600℃以下的温度进行烧成而生成烧结体；及一边使氧在所述烧成装置内流通，一边以200℃/小时以下的冷却速度将所述烧结体冷却至至少成为600℃以下的温度。根据该结构的氧化物溅射靶的制造方法，将混合了成为原料的氧化锆粉末、二氧化硅粉末及氧化铟粉末的混合粉末的比表面积设为11.5m2/g以上且13.5m2/g以下，因此反应性较高。并且，一边使氧在烧成装置内流通，一边进行成型体的烧成，不会发生烧成气氛中的氧不足的情况，因此成型体的烧结变得均匀，能够获得致密且密度高的烧结体。而且，将该烧结体以200℃/小时以下的冷却速度进行冷却，因此不易发生急剧的温度变化，烧结体的氧浓度稳定。因此，能够稳定地制造靶面内的氧浓度的偏差小的氧化物溅射靶。根据本专利技术，能够提供一种能够抑制溅射中的异常放电的产生及颗粒物飞散的氧化物溅射靶、以及该氧化物溅射靶的制造方法。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式所涉及的氧化物溅射靶中的氧浓度及电阻率的测定位置的说明图。图2是表示本专利技术的一实施方式所涉及的氧化物溅射靶的制造方法的流程图。图3是对测定在实施例中形成的氧化物膜的In浓度的位置进行说明的说明图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式的氧化物溅射靶进行说明。本实施方式所涉及的氧化物溅射靶例如能够在利用溅射法形成用作DVD或BD等相变型光盘的电介质层及保护层的氧化物膜时使用。并且，本实施方式的氧化物溅射靶还能够在利用溅射法形成用作如HDD(Hard-DiskDrive：硬盘驱动器)的磁记录介质的基底层及保护层的氧化物膜时使用。本实施方式的氧化物溅射靶由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成。锆、硅及铟的含量并无特别限制，能够设为与用作现有光记录介质保护膜形成用溅射靶的氧化物相同。在本实施方式中，将金属成分的合计含量设为100质量％，而将锆的含量设定为10质量％以上且75％质量以下的范围，硅的含量设定为35质量％以下(其中不包含0质量％)，铟的含量设定为剩余部分。锆、硅及铟的一部分可以分别形成复合氧化物。作为复合氧化物的例子，能够举出In2Si2O7。在本实施方式的氧化物溅射靶中，将靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于氧浓度的最大值与最小值的合计的比率、即由下述式(1)表示的氧浓度的偏差设为15％以下。式(1)：氧浓度的偏差(％)＝[(氧浓度的最大值)-(氧浓度的最小值)]/[(氧浓度的最大值)+(氧浓度的最小值)]×100而且，在本实施方式的氧化物溅射靶中，将靶面内的电阻率的最大值与最小值之差相对于电阻率的最大值与最小值的合计的比率，即由下述式(2)表示的电阻率的偏差设为15％以下。式(2)：电阻率的偏差＝[(电阻率的最大值)-(电阻率的最小值)]/[(电阻率的最大值)+(电阻率的最小值)]×100以下，对如上规定本实施方式的氧化物溅射靶的氧浓度及电阻率的偏差的理由进行说明。(氧浓度的偏差)若氧化物溅射靶的氧浓度的偏差变大，则溅射中容易产生异常放电及颗粒物。因此，在本实施方式的氧化物溅射靶中，将由上述式(1)表示的靶面内的氧浓度的偏差设定为15％以下。若氧浓度的偏差超过15％，则产生异常放电及颗粒物而在所形成的氧化物膜的表面附着异物，并且膜组成的面内偏差有可能变大。此外，氧化物溅射靶的氧浓度根据锆、硅及铟的含量而不同，优选在15质量％以上且35质量％以下的范围。氧浓度能够通过EPMA或气体分析而测定。其中，关于靶面内的氧浓度的偏差，在靶面内多个部位测定氧浓度，并抽取所测定的氧浓度的最大值与最小值，从而通过上述式(1)算出。氧浓度的测定部位优选设为5处以上。其中，在本实施方式中，氧化物溅射靶为圆板状时，如图1所示，在靶面(圆)的中心点(1)、及位于在靶面的中心点相互正交的两条直线上且距外缘20mm的位置的4个点(2)～(5)这共计5个点处测定氧浓度，并抽取所测定的氧浓度的最大值与最小值，从而求出氧浓度的偏差。氧化物溅射靶为圆筒形状时，在位于距外缘20mm的位置且位于周向上等间隔的位置的合计5个点处测定氧浓度，并抽取所测定的氧浓度的最大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物溅射靶，其由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧化物溅射靶，其由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。2.根据权利要求1所述的氧化物溅射靶，其特征在于，靶面内的电阻率的最大值与最小值之差相对于所述电阻率的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。3.一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，为用于制造权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：野中荘平，森理恵，长尾昌芳，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP