嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法，所述嵌入式闪存的版图结构包括：字线版图，所述字线版图具有多个字线图案；区块版图，所述区块版图具有多个区块图案，所述字线图案与所述区块图案具有重叠区域，所述重叠区域的形状呈Z字形；接触孔版图，所述接触孔版图具有多个接触孔图案，每两个所述接触孔图案与一个所述区块图案交叠，两个所述接触孔图案分别位于所述重叠区域的两侧。本发明专利技术通过所述重叠区域的形状呈Z字形增加了接触孔的工艺窗口，降低了接触孔与相邻字线的控制栅的连接异常的发生。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法。
技术介绍
闪存(flash)作为一种安全、快速的存储体，以其体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，成为了嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。近年来，随着智能电子产品市场的飞速发展，各类MCU(microcontrollerunit，微控制器)及SoC(System-on-Chip，片上系统)的使用已经深入到汽车电子、工业控制和医疗产品等日常生活的各个方面。而高性能的MCU或SoC产品都离不开高性能嵌入式闪存(embeddedflash，E-flash)内核的支持。无论是从芯片面积、系统性能和功耗上，还是从制造良率和设计周期上考虑，嵌入式闪存对SoC设计的主导作用都在不断增加。嵌入式闪存将现有的闪存与逻辑模块从物理或电学的角度进行结合，提供更多样的性能。在形成位于字线两侧控制栅上的接触孔时，由于光刻能力的限制，很容易导致形成于接触孔中的插塞与相邻字线的控制栅之间产生连桥的问题。因此，如何增加接触孔的工艺窗口，避免接触孔在光刻对准精度的影响下发生位置偏移时，不会导致接触孔与相邻字线两侧的控制栅的连接异常，已成为一个不容忽视的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法，以解决现有技术中，由于对准精度的影响，使接触孔的位置发生偏移，导致接触孔与相邻字线两侧的控制栅的连接异常的问题。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种嵌入式闪存的版图结构，包括：字线版图，所述字线版图具有字线图案；区块版图，所述区块版图具有区块图案，所述字线图案与所述区块图案具有重叠区域，所述重叠区域的形状呈Z字形；接触孔版图，所述接触孔版图具有接触孔图案；其中，每两个所述接触孔图案与一个所述区块图案交叠，两个所述接触孔图案分别位于所述重叠区域的两侧。可选的，每个所述字线图案具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第三部分连接在所述第二部分的两端，所述第二部分位于所述重叠区域，所述第二部分的形状呈Z字形。进一步的，所述字线图案的第二部分的线宽为0.18μm～0.25μm。更进一步的，所述字线图案的第一部分和第三部分分别与第二部分连接的端部的线宽均为0.18μm～0.25μm。更进一步的，所述字线图案包括：多个第一字线图案，所述第一字线图案在垂直于其延伸方向上周期性排列；多个第二字线图案，多个所述第二字线图案在垂直于其延伸方向上周期性排列，且所述第一字线图案和第二字线图案的延伸方向相同；以及其中，所述第一字线图案和第二字线图案相邻设置，所述第一字线图案的第二部分的形状与第二字线图案的第二部分的形状呈镜像。更进一步的，所述第一字线图案的第二部分与第二字线图案的第二部分在位置上相错设置。更进一步的，在与所述第一字线图案的第二部分相邻的所述第二字线图案的第一部分的线宽为0.18μm～0.25μm；在与所述第二字线图案的第二部分相邻的第一字线图案的第三部分的线宽为0.18μm～0.25μm。可选的，所述接触孔图案与相邻的所述字线图案之间的距离为0.19μm～0.25μm。另一方面，本专利技术还提供了一种嵌入式闪存的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底；利用第一光罩形成字线，其中，所述第一光罩具有字线图案；利用第二光罩形成区块，所述区块与所述字线具有重叠区域，位于重叠区域的所述字线的形状呈Z字状，其中，所述第二光罩具有区块图案；以及利用第三光罩形成接触孔，其中，每个区块中形成有两个接触孔，两个所述接触孔分别位于所述字线两侧，并在所述接触孔中形成插塞，其中，所述第三光罩具有接触孔图案。可选的，所述半导体衬底包括基底，以及依次形成在所述基底上的氧化层、浮栅层、介质层、控制层和钝化层。进一步的，形成字线的步骤包括：在所述半导体衬底上形成有第一光刻胶层；利用第一光罩图形化处理所述第一光刻胶层，以形成图形化的第一光刻胶层；以及以图形化的所述第一光刻胶层为掩模，依次刻蚀所述钝化层、控制栅层、介质层和浮栅层并暴露出所述氧化层，以形成字线；以及清除所述第一光刻胶层。进一步的，形成区块的步骤包括：在所述半导体衬底上形成第二光刻胶层；利用第二光罩图形化处理所述第二光刻胶层，以形成图形化的第二光刻胶层；以及以图形化的所述第二光刻胶层为掩模，依次刻蚀所述钝化层、控制栅层、介质层、浮栅层和氧化层并暴露出所述基底，以形成区块；以及清除所述第二光刻胶层。进一步的，形成插塞的步骤包括：在所述半导体衬底上形成第三光刻胶层；利用第三光罩图形化处理所述第三光刻胶层，以形成图形化的第三光刻胶层；以图形化的所述第三光刻胶层为掩模，刻蚀所述钝化层并暴露出所述控制栅，以形成接触孔；在所述接触孔中填充金属，以形成插塞；以及清除所述第三光刻胶层。进一步的，所述字线图案具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第三部分连接在所述第二部分的两端，所述第二部分位于所述重叠区域，所述第二部分的形状呈Z字形，所述字线图案的第二部分的线宽为0.18μm～0.25μm。再一方面，本专利技术还提供了一种嵌入式闪存，由上述所述的嵌入式闪存的形成方法制备而成。与现有技术相比存在以下有益效果：本专利技术提供一种嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法，所述嵌入式闪存的版图结构包括：字线版图，所述字线版图具有多个字线图案；区块版图，所述区块版图具有多个区块图案，所述字线图案与所述区块图案具有重叠区域，所述重叠区域的形状呈Z字形；接触孔版图，所述接触孔版图具有多个接触孔图案，每两个所述接触孔图案与一个所述区块图案交叠，两个所述接触孔图案分别位于所述重叠区域的两侧。本专利技术通过所述重叠区域的形状呈Z字形增加了接触孔的工艺窗口；进一步的，调整所述字线图案的第二部分的线宽，同时增加了所述区块图案与相邻字线图案之间的距离，可以进一步的增加接触孔的工艺窗口，降低了接触孔与相邻字线两侧的控制栅的连接异常的发生。附图说明图1为一种嵌入式闪存的版图结构的版图示意图；图2为本专利技术一实施例的嵌入式闪存的版图结构的结构示意图；图3为本专利技术一实施例的嵌入式闪存的形成方法的流程示意图。附图标记说明：10’-字线图案；20’-区块图案；21’-重叠区域；30’-接触孔图案；10-字线图案；11-第一字线图案；12-第二字线图案；10a-第一部分；10b-第二部分；10c-第三部分；20-区块图案；21-重叠区域；30-接触孔图案。具体实施方式现有的嵌入式闪存采用了简单的堆叠栅构造，例如是包括依次叠加的浮栅层和控制栅层，以及沿厚度方向将所述浮栅层和控制栅层分成两个浮栅和两个控制栅的字线，所述字线位于两个浮栅以及两个控制栅之间，在两个控制栅上方均形成有接触孔。该接触孔用于形成连接控制栅与嵌入式闪存的存储区的位线以及外围电路实现电连接的插塞。图1为一种嵌入式闪存的版图结构的结构示意图。如图1所示，嵌入式闪存的版图结构包括控制栅图案、字线图案10’和区块图案20’，所述字线图案10’覆盖所述控制栅图案，所述字线图案10’和区块图案20’呈交叉排列，形成了字线图案10’与区块图案20’的重叠区域21’，所述重叠区域21’的形状例如是直条状。每个所述区块图案20’本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式闪存的版图结构，其特征在于，包括：字线版图，所述字线版图具有多个字线图案；区块版图，所述区块版图具有多个区块图案，所述字线图案与所述区块图案具有重叠区域，所述重叠区域的形状呈Z字形；接触孔版图，所述接触孔版图具有多个接触孔图案；以及其中，每两个所述接触孔图案与一个所述区块图案交叠，两个所述接触孔图案分别位于所述重叠区域的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存的版图结构，其特征在于，包括：字线版图，所述字线版图具有多个字线图案；区块版图，所述区块版图具有多个区块图案，所述字线图案与所述区块图案具有重叠区域，所述重叠区域的形状呈Z字形；接触孔版图，所述接触孔版图具有多个接触孔图案；以及其中，每两个所述接触孔图案与一个所述区块图案交叠，两个所述接触孔图案分别位于所述重叠区域的两侧。2.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，每个所述字线图案具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第三部分连接在所述第二部分的两个端部，所述第二部分位于所述重叠区域，所述第二部分的形状呈Z字形。3.如权利要求2所述的版图结构，其特征在于，所述字线图案的第二部分的线宽为0.18μm～0.25μm。4.如权利要求3所述的版图结构，其特征在于，所述字线图案的第一部分和第三部分分别与第二部分连接的端部的线宽均为0.18μm～0.25μm。5.如权利要求4所述的版图结构，其特征在于，所述字线图案包括：多个第一字线图案，所述第一字线图案在垂直于其延伸方向上周期性排列；多个第二字线图案，多个所述第二字线图案在垂直于其延伸方向上周期性排列，且所述第一字线图案和第二字线图案的延伸方向相同；以及其中，所述第一字线图案和第二字线图案相邻设置，所述第一字线图案的第二部分的形状与第二字线图案的第二部分的形状呈镜像。6.如权利要求5所述的版图结构，其特征在于，所述第一字线图案的第二部分与第二字线图案的第二部分在位置上相错设置。7.如权利要求6所述的版图结构，其特征在于，在与所述第一字线图案的第二部分相邻的所述第二字线图案的第一部分的线宽为0.18μm～0.25μm；在与所述第二字线图案的第二部分相邻的第一字线图案的第三部分的线宽为0.18μm～0.25μm。8.如权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述接触孔图案与相邻的所述字线图案之间的距离为0.19μm～0.25μm。9.一种嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底；利用第一光罩形成字线，其中，所述第一光罩具有字线图案；利用第二光罩形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰寒，江红，王哲献，高超，于涛易，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31