一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室制造技术

技术编号:22326510 阅读:65 留言:0更新日期:2019-10-19 11:28
本发明专利技术公开了一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,包括腔体、前门板和背板,所述腔体的前端和后端分别开设有第一开口和第二开口,腔体内设有隔板,隔板将腔体分隔为腔体上部和腔体下部,腔体上部安装有卷绕装置,腔体下部安装有加热装置和蒸发源,且腔体与真空系统连接;前门板可开合地设置在腔体的前端,背板可开合地设置在腔体的后端,前门板与腔体之间设有第一密封件,背板与腔体之间设有第二密封件。该真空腔室在工作状态下,能够满足高真空的工艺要求,在非工作状态下,所述真空腔室能够满足检修的工艺要求。

A vacuum chamber of copper indium gallium selenium coating equipment

【技术实现步骤摘要】
一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室
本专利技术涉及薄膜太阳能电池生产设备
,尤其涉及一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室。
技术介绍
随着不可再生能源的不断消耗,可再生能源越来越多地得到了重视和应用,其中以薄膜太阳能电池的应用最为广泛,目前,生产薄膜太阳能电池的设备中铜铟镓硒镀膜设备应用较为广泛。工业化制备薄膜太阳能电池的吸收层时,需要在高真空状态下进行制备,然而,目前的铜铟镓硒镀膜设备在工业化大面积制备CIGS吸收层时,尚没有一种能够满足高真空工艺要求的真空腔室。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,能够解决铜铟镓硒镀膜设备工业化大面积制备CIGS吸收层的高真空工艺要求问题。本专利技术是这样实现的,一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,包括:腔体,所述腔体的前端开设有第一开口,所述腔体的后端开设有第二开口;所述腔体内设有隔板,所述隔板将所述腔体分隔为腔体上部和腔体下部,所述腔体上部安装有卷绕装置,所述腔体下部安装有加热装置和蒸发源,且所述腔体与真空系统连接;前门板,所述前门板可开合地设置在所述腔体的前端,所述前门板与所述腔体之间设有第一密封件,用于密封所述第一开口;背板,所述背板可开合地设置在所述腔体的后端,所述背板与所述腔体之间设有所述第二密封件,用于密封所述第二开口。本专利技术的有益效果如下:本专利技术提供的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,所述腔体内通过隔板分隔成腔体上部和腔体下部,所述腔体上部安装有卷绕装置,所述腔体下部安装有加热装置和蒸发源。所述腔体与真空系统连接,其通过真空系统对所述真空腔体进行抽真空,使得前门板和背板在大气压的作用下逐渐压紧腔体,同时,利用所述第一密封件和第二密封件对所述第一开口和第二开口进行密封,以保证真空腔室的真空度满足工艺生产要求。所述前门板开启后,能够利用所述第一开口将制备薄膜太阳能电池吸收层的装置安装到腔体内部,并可以用于更换薄膜太阳能电池衬底或添加蒸发源原料,同时可以检修腔体前部的卷绕装置、加热装置和蒸发源等部件;并且,所述背板开启后,能够利用所述第二开口检修腔体背部的卷绕装置、加热装置和蒸发源等部件。在工作状态下,所述真空腔室能够满足高真空的工艺要求,在非工作状态下,所述真空腔室能够满足检修的工艺要求。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案,并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例提供的一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室的整体结构示意图;图2为图1的分解结构示意图;图3为图2中A处的局部放大示意图;图4为图1中B处的局部放大示意图;图5为图1中C处的局部放大示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例的附图,对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参照图1和图2,为本专利技术实施例提供的一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室100,其包括腔体10、前门板20以及背板30。具体的,所述腔体10的前端开设有第一开口(未图示),所述第一开口与所述腔体10相连通;所述腔体10的后端开设有第二开口11,所述第二开口11与所述腔体10相连通。利用所述第一开口可以将制备薄膜太阳能电池吸收层的装置安装到腔体10内部,并可以用于更换薄膜太阳能电池衬底或添加蒸发源原料和检测维修腔体10前部的装置,同时,可利用所述第二开口11对腔体10背部的装置进行检测维修。所述腔体10内设有隔板(未图示),所述隔板将所述腔体10分隔为腔体上部和腔体下部,所述腔体上部安装有卷绕装置,所述腔体下部安装有加热装置和蒸发源,且所述腔体10与真空系统连接。需要说明的是,上述卷绕装置、加热装置以及蒸发源共同用于生产薄膜太阳能电池的吸收层,所述真空系统用于对所述真空腔室100进行抽真空,从而保证所述真空腔室100的真空度满足工艺生产要求。在本实施例中,所述腔体10与真空系统的大口径扩散泵直接连接,并且所述腔体10与真空系统的接口12在腔体10背部设置在腔体上部,远离下层蒸发区,从而可保证下层蒸发区蒸发源原料的蒸气浓度。所述前门板20可开合地设置在所述腔体10的前端,所述前门板20与所述腔体10之间设有第一密封件40,用于密封所述第一开口。同时,所述背板30可开合地设置在所述腔体10的后端,所述背板30与所述腔体10之间设有所述第二密封件(未图示),用于密封所述第二开口11,从而实现对所述腔体10的密封。参照图3,在上述实施例中,所述第一密封件40包括O形密封圈41和唇形密封圈42,所述唇形密封圈42围设在所述O形密封圈11的外围,通过双重密封的方式使得密封更加严密。具体的,在本实施例中,所述O形密封圈41的密封槽是燕尾槽;所述唇形密封圈42的密封槽一边是单边燕尾槽,一边是铝压条。在其他实施例中,所述O形密封圈41的密封槽也可以是圆形槽或方形槽,同时,所述第一密封件40也可以是多个大小不同的O形密封圈41或多个大小不同的唇形密封圈42等。所述第二密封件与第一密封件40的结构形式形同,不同的是O形密封圈和唇形密封圈的尺寸,用来适应背板30的大小。具体使用时,由于所述腔体10内通过隔板分隔成腔体上部和腔体下部,所述腔体上部安装有卷绕装置,所述腔体下部安装有加热装置和蒸发源。通过真空系统对所述真空腔室100进行抽真空,使得前门板20和背板30在大气压的作用下逐渐压紧腔体10,同时,利用所述第一密封件40和第二密封件对所述第一开口和第二开口11进行密封,以保证真空腔室100的真空度满足工艺生产要求。所述前门板20开启后,能够利用所述第一开口将制备薄膜太阳能电池吸收层的装置安装到腔体10内部,并可以用于更换薄膜太阳能电池衬底或添加蒸发源原料,同时可以检测维护腔体前部的卷绕装置、加热装置和蒸发源等部件;并且,所述背板30开启后,能够利用所述第二开口11检修腔体内部的卷绕装置、加热装置和蒸发源等部件。在工作状态下,所述真空腔室100能够满足高真空的工艺要求,在非工作状态下,所述真空腔室100能够满足检修的工艺要求。进一步的,所述真空腔室100还包括第一检测装置50和第二检测装置(未图示),所述第一检测装置安装在所述腔体10或前门板20上,用于检测所述前门板20的开合以及所述前门板20与所述腔体10之间的距离;所述第二检测装置安装在所述腔体10或背板30上,用于检测所述背板30的开合以及所述背板30与所述腔体10之间的距离。参照图4和图5,在上述实施例中,所述第一检测装置50与第二检测装置相同,所述第一检测装置50包括磁感传感器51和光电传感器52,所述磁感传感器51由两部分组成,分别安装于所述前门板20与所述腔体10上,通过电磁感应来检测所述前门板20是否开合;所述光电传感器52安装于所述前门板20上,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,包括:腔体,所述腔体的前端开设有第一开口,所述腔体的后端开设有第二开口;所述腔体内设有隔板,所述隔板将所述腔体分隔为腔体上部和腔体下部,所述腔体上部安装有卷绕装置,所述腔体下部安装有加热装置和蒸发源,且所述腔体与真空系统连接;前门板,所述前门板可开合地设置在所述腔体的前端,所述前门板与所述腔体之间设有第一密封件,用于密封所述第一开口;背板,所述背板可开合地设置在所述腔体的后端,所述背板与所述腔体之间设有所述第二密封件,用于密封所述第二开口。

【技术特征摘要】
1.一种铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,包括:腔体,所述腔体的前端开设有第一开口,所述腔体的后端开设有第二开口;所述腔体内设有隔板,所述隔板将所述腔体分隔为腔体上部和腔体下部,所述腔体上部安装有卷绕装置,所述腔体下部安装有加热装置和蒸发源,且所述腔体与真空系统连接;前门板,所述前门板可开合地设置在所述腔体的前端,所述前门板与所述腔体之间设有第一密封件,用于密封所述第一开口;背板,所述背板可开合地设置在所述腔体的后端,所述背板与所述腔体之间设有所述第二密封件,用于密封所述第二开口。2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室还包括至少一个密封箱,所述密封箱具有开口端,所述密封箱密封安装在所述腔体上部的一侧,且所述密封箱的开口端与所述腔体上部相连通,用于放置卷绕装置的收卷端的一端或放卷端的一端。3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室包括多个密封箱,所述多个密封箱两两一对,每一对密封箱分别安装在所述腔体上部和所述前门板上;每一对密封箱的底部处于同一水平面上,用于放置卷绕装置的收卷端的两端或放卷端的两端。4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室还包括底板,所述腔体的底部开设有第三开口,所述第三开口与所述腔体相连通,所述底板安装在所述腔体的底部,所述底板与所述腔体之间设有第三密封件,用于密封所述腔体的第三开口,所述蒸发源安装在所述底板上。5.根据权利要求4所述的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,所述腔体、前门板、背板和底板的外壁均具有冷却循环回路,所述冷却循环回路内循环流动有冷却介质。6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,所述腔体在卷绕装置运行中间路径位置和结束路径位置均设有XRF光谱仪安装位,每一个所述的XRF光谱仪安装位上均安装有用于检测镀膜质量的XRF光谱仪。7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒镀膜设备的真空腔室,其特征在于,所述前门板上还设有若干加强件,当所述前门板密封所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁正
申请(专利权)人:北京汉能薄膜发电技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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