一种散热良好的功率晶体管制造技术

技术编号:22319409 阅读:24 留言:0更新日期:2019-10-16 17:43
本实用新型专利技术公开了一种散热良好的功率晶体管,包括绝缘安装板以及均设置在绝缘安装板上的功率晶体管芯片和引脚,功率晶体管芯片和引脚电连接,散热良好的功率晶体管还包括罩设在绝缘安装板外的散热架,散热架由两个散热架单元拼接而成,散热架单元由多个散热片横竖拼接而成,散热架单元设有侧壁向内凹的容置缺口,两个散热架单元的容置缺口相对形成卡接绝缘安装板的容置孔,容置孔的孔径小于其侧壁处的孔径,散热架一侧设有包裹绝缘安装板、功率晶体管芯片和部分引脚的封装体,封装体上设有贯穿绝缘安装板的安装孔。封装高气密性,不易在剪切应力下分层,不进水或者酸碱液;散热性能良好;固定螺栓不带电,没有安全隐患。

A power transistor with good heat dissipation

【技术实现步骤摘要】
一种散热良好的功率晶体管
本技术属于晶体管领域,具体涉及一种散热良好的功率晶体管。
技术介绍
功率晶体管是一种控制电流的半导体器件,功率晶体管可以把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。目前,市面上的功率晶体管通常都是通过螺栓直接固定安装在散热片上,由于螺栓是金属件,导致功率晶体管背面直接与连接件接触,使得螺栓带电,存在安全隐患;目前,现有的功率晶体管主要采用环氧模塑料封装,但是由于塑封料存在较高的吸湿性,而器件在生产和测试过程中,不可避免的要经过高温和高湿环境,潮气膨胀后会造成内部应力过大,形成分层、金线断裂等后果,而且由于塑封料与Si、Cu等其他材质膨胀系数的差异,也很容易在较大的剪切应力下形成分层,从而导致绝缘体的气密性不足,进而导致水或者酸碱液进入,致使功率晶体管出现电性能失效的现象或存在失效隐患,不安全,现有的功率晶体管的散热片散热效率不高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种散热良好的功率晶体管,在整体体积较小的情况下拥有非常大的有效散热面积,散热性能良好;封装高气密性,不易在剪切应力下形成分层,不会进水或者酸碱液;固定螺栓不带电,没有安全隐患。为达上述目的,本技术的主要技术解决手段是提供一种散热良好的功率晶体管,包括绝缘安装板以及均设置在绝缘安装板上的功率晶体管芯片和引脚,功率晶体管芯片和引脚电连接,散热良好的功率晶体管还包括罩设在绝缘安装板外的散热架,所述散热架由两个散热架单元拼接而成,散热架单元由多个散热片横竖拼接而成且形成有多个矩形散热孔,散热架单元设有侧壁向内凹的容置缺口,两个散热架单元的容置缺口相对形成卡接绝缘安装板的容置孔,容置孔的孔径小于其侧壁处的孔径,所述散热架一侧设有包裹绝缘安装板一侧、功率晶体管芯片和部分引脚的封装体,所述封装体上设有贯穿绝缘安装板的安装孔,矩形散热孔沿两个对角线分别布设有两个散热斜板,所述容置缺口内壁铺设有导热板。导热板与绝缘安装板实现面与面的接触,增大了导热面积,更快、更多的将热量传递给散热架,散热斜板起到了支撑散热架不变形的作用,且能进一步增大散热架的散热面积。所述封装体面积大于散热架的面积,将散热架一侧面覆盖。所述容置孔为圆形或边缘倒角的矩形。所述引脚包括第一引脚、第二引脚和第三引脚,第一引脚、第二引脚和第三引脚分别连接功率晶体管芯片的栅极、漏极、源极。所述绝缘安装板为陶瓷材料制成。所述功率晶体管芯片的型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD、BJT。本技术的散热架单元由多个散热片横竖拼接而成,会形成多个网格空间,加大了散热效率,且封装体注塑到散热架上时候,会进入多个网格空间,从而使得封装高气密性,不易在剪切应力下形成分层,不会进水或者酸碱液。安装孔在绝缘安装板和封装体上,不带电。附图说明图1是本技术一实施例的结构示意图,图2是图1实施例的散热架单元的示意图,图中:绝缘安装板1、功率晶体管芯片2、第三引脚3、散热架4、散热架单元5、散热片6、容置缺口7、容置孔8、安装孔9、第一引脚10、第二引脚11、封装体12、散热孔13、散热斜板14、导热板15。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。本领域技术人员应理解的是,在本技术的揭露中,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系,其仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此上述术语不能理解为对本技术的限制。可以理解的是,术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”,即在一个实施例中,一个元件的数量可以为一个,而在另外的实施例中,该元件的数量可以为多个,术语“一”不能理解为对数量的限制。如图1和图2所示,本实施例所描述的一种散热良好的功率晶体管,包括绝缘安装板1以及均设置在绝缘安装板1上的功率晶体管芯片2和引脚,功率晶体管芯片2和引脚电连接,散热良好的功率晶体管还包括罩设在绝缘安装板1外的散热架4,所述散热架4由两个散热架单元5拼接而成,散热架单元5由多个散热片6横竖拼接而成且形成有多个矩形散热孔13,散热架单元5侧壁向内凹形成有容置缺口7,两个散热架单元5的容置缺口7相对形成卡接绝缘安装板1的容置孔8,容置孔8的孔径小于其侧壁处的孔径,所述散热架4一侧设有包裹绝缘安装板1一侧、功率晶体管芯片2和部分引脚的封装体12,所述封装体12上设有贯穿绝缘安装板1的安装孔9,矩形散热孔13沿两个对角线分别布设有两个散热斜板14,所述容置缺口7内壁铺设有导热板15。导热板15与绝缘安装板1实现面与面的接触,增大了导热面积,更快、更多的将热量传递给散热架4,散热斜板14起到了支撑散热架4不变形的作用,且能进一步增大散热架4的散热面积。所述封装体12面积大于散热架4的面积,将散热架4一侧面覆盖。所述容置孔8为圆形或边缘倒角的矩形。所述引脚包括第一引脚10、第二引脚11和第三引脚3,第一引脚10、第二引脚11和第三引脚3分别连接功率晶体管芯片2的栅极、漏极、源极。所述绝缘安装板1为陶瓷材料制成。所述功率晶体管芯片2的型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD、BJT。本技术的散热架单元5由多个散热片6横竖拼接而成,会形成多个网格空间,加大了散热效率,且封装体12注塑到散热架4上时候,会进入多个网格空间,从而使得封装高气密性,不易在剪切应力下形成分层,不会进水或者酸碱液。安装孔9在绝缘安装板1和封装体12上,不带电。本技术不局限于上述最佳实施方式,任何人在本技术的启示下都可得出其他各种形式的产品,但不论在其形状或结构上作任何变化,凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案,均落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热良好的功率晶体管,包括绝缘安装板以及均设置在绝缘安装板上的功率晶体管芯片和引脚,功率晶体管芯片和引脚电连接,其特征在于,散热良好的功率晶体管还包括罩设在绝缘安装板外的散热架,所述散热架由两个散热架单元拼接而成,散热架单元由多个散热片横竖拼接而成且形成有多个矩形散热孔,散热架单元设有侧壁向内凹的容置缺口,两个散热架单元的容置缺口相对形成卡接绝缘安装板的容置孔,容置孔的孔径小于其侧壁处的孔径,所述散热架一侧设有包裹绝缘安装板一侧、功率晶体管芯片和部分引脚的封装体,所述封装体上设有贯穿绝缘安装板的安装孔,矩形散热孔沿两个对角线分别布设有两个散热斜板,所述容置缺口内壁铺设有导热板。

【技术特征摘要】
1.一种散热良好的功率晶体管,包括绝缘安装板以及均设置在绝缘安装板上的功率晶体管芯片和引脚,功率晶体管芯片和引脚电连接,其特征在于,散热良好的功率晶体管还包括罩设在绝缘安装板外的散热架,所述散热架由两个散热架单元拼接而成,散热架单元由多个散热片横竖拼接而成且形成有多个矩形散热孔,散热架单元设有侧壁向内凹的容置缺口,两个散热架单元的容置缺口相对形成卡接绝缘安装板的容置孔,容置孔的孔径小于其侧壁处的孔径,所述散热架一侧设有包裹绝缘安装板一侧、功率晶体管芯片和部分引脚的封装体,所述封装体上设有贯穿绝缘安装板的安装孔,矩形散热孔沿两个...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐红祥
申请(专利权)人:无锡光磊电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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