一种振荡装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种振荡装置。一种振荡装置包括第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第二NMOS管、第四电阻、第五电阻和第三NMOS管。利用本发明专利技术提供的振荡装置可以使得振荡信号更稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种振荡装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到振荡装置。
技术介绍
集成电路设计时经常遇到振荡装置，振荡信号的性能直接影响到集成电路的性能和功能。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡装置。一种振荡装置，包括第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第二NMOS管、第四电阻、第五电阻和第三NMOS管：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第五电阻的一端和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，另一端接所述第一电容的一端；所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端，另一端接地；所述第三电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端，漏极接所述第三电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第四电阻的一端；所述第四电阻的一端接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；所述第五电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT；所述第三NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第五电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。上电后，电源电压VCC通过所述第一电阻和所述第二电阻对所述第一电容进行充电，充电到使得所述第二NMOS管导通时，所述第二NMOS管的漏极电压被拉低，这样所述第三NMOS管就不导通，此时振荡器输出端OSCOUT为高电平，这一高电平控制所述第一NMOS管开启，所述第一电容通过所述第二电阻和所述第一NMOS管的源漏极进行放电，所述第一电容上的电压低于所述第二NMOS管导通电压时所述第二NMOS管截止，所述第二NMOS管的漏极电压就被拉高，就会使得所述第三NMOS管导通而振荡器输出端OSCOUT就会拉低为低电平；如此反复；通过设置所述第四电阻可以有效地提高所述第一电容的充电电压以致增加充电时间。附图说明图1为本专利技术的振荡装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种振荡装置，如图1所示，包括第一电阻10、第一NMOS管20、第二电阻30、第一电容40、第三电阻50、第二NMOS管60、第四电阻70、第五电阻80和第三NMOS管90：所述第一电阻10的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管20的漏极和所述第二电阻30的一端和所述第二NMOS管60的栅极；所述第一NMOS管20的栅极接所述第五电阻80的一端和所述第三NMOS管90的漏极，漏极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻30的一端和所述第二NMOS管60的栅极，源极接地；所述第二电阻30的一端接所述第一电阻10的一端和所述第一NMOS管20的漏极和所述第二NMOS管60的栅极，另一端接所述第一电容40的一端；所述第一电容40的一端接所述第二电阻30的一端，另一端接地；所述第三电阻50的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二NMOS管60的漏极和所述第三NMOS管90的栅极；所述第二NMOS管60的栅极接所述第一电阻10的一端和所述第一NMOS管20的漏极和所述第二电阻30的一端，漏极接所述第三电阻50的一端和所述第三NMOS管90的栅极，源极接所述第四电阻70的一端；所述第四电阻70的一端接所述第二NMOS管60的源极，另一端接地；所述第五电阻80的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NMOS管90的漏极和所述第一NMOS管20的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT；所述第三NMOS管90的栅极接所述第三电阻50的一端和所述第二NMOS管60的漏极，漏极接所述第五电阻80的一端和所述第一NMOS管20的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。上电后，电源电压VCC通过所述第一电阻10和所述第二电阻30对所述第一电容40进行充电，充电到使得所述第二NMOS管60导通时，所述第二NMOS管60的漏极电压被拉低，这样所述第三NMOS管90就不导通，此时振荡器输出端OSCOUT为高电平，这一高电平控制所述第一NMOS管20开启，所述第一电容40通过所述第二电阻30和所述第一NMOS管20的源漏极进行放电，所述第一电容40上的电压低于所述第二NMOS管60导通电压时所述第二NMOS管60截止，所述第二NMOS管60的漏极电压就被拉高，就会使得所述第三NMOS管90导通而振荡器输出端OSCOUT就会拉低为低电平；如此反复；通过设置所述第四电阻20可以有效地提高所述第一电容40的充电电压以致增加充电时间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种振荡装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第二NMOS管、第四电阻、第五电阻和第三NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第五电阻的一端和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，另一端接所述第一电容的一端；所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端，另一端接地；所述第三电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端，漏极接所述第三电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第四电阻的一端；所述第四电阻的一端接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；所述第五电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT；所述第三NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第五电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种振荡装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第二NMOS管、第四电阻、第五电阻和第三NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第五电阻的一端和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，另一端接所述第一电容的一端；所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端，另一端接地；所述第三电阻的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶霞菲，
申请(专利权)人：杭州展虹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33