一种低频段滤波装置、电器设备及其低频段滤波方法制造方法及图纸

技术编号:22310597 阅读:35 留言:0更新日期:2019-10-16 10:30
本发明专利技术公开了一种低频段滤波装置、电器设备及其低频段滤波方法,该装置包括:基本滤波单元和第一低频陷波单元;所述第一低频陷波单元,设置在所述基本滤波单元中;其中,所述基本滤波单元,用于对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除;所述第一低频陷波单元,用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。本发明专利技术的方案,可以解决为提高低频段共模滤波性能而使器件成本大幅增加的问题,达到在提高低频段共模滤波性能的情况下降低器件成本的效果。

A low-frequency filtering device, electrical equipment and its low-frequency filtering method

【技术实现步骤摘要】
一种低频段滤波装置、电器设备及其低频段滤波方法
本专利技术属于滤波
,具体涉及一种低频段滤波装置、电器设备及其低频段滤波方法,尤其涉及一种低频段传导共模干扰陷波电路和家用电器。
技术介绍
共模滤波器用于滤除电器设备产生的共模干扰,以满足电磁兼容标准要求。共模滤波器的通常结构包括共模电容(也称为Y电容)和共模电感,通过共模电感的共模阻抗以及共模电容的旁路作用降低共模干扰。共模滤波器通常针对传导电磁干扰,作用频段在150kHz-30mHz。低频段(150kHz-约700kHz)传导电磁干扰超标是电磁兼容测试遇到的常见问题。对于低频段共模干扰,通常需要加大共模电容的容值以提高滤波性能,但是容值的加大受到电气安全、泄漏电流的约束。增加滤波器阶数可以提高低频段共模滤波性能,但是器件成本大幅增加。在一些有源共模滤波电路中,需要使用高压晶体管和辅助电源,可靠性差,电路成本高。上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,针对上述缺陷,提供一种低频段滤波装置、电器设备及其低频段滤波方法,以解决为提高低频段共模滤波性能而使器件成本大幅增加的问题,达到在提高低频段共模滤波性能的情况下降低器件成本的效果。本专利技术提供一种低频段滤波装置,包括:基本滤波单元和第一低频陷波单元;所述第一低频陷波单元,设置在所述基本滤波单元中;其中,所述基本滤波单元,用于对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除;所述第一低频陷波单元,用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。可选地,所述基本滤波单元,包括:第一磁环、第一共模扼流圈、第一共模电容和第二共模电容;其中,所述第一磁环,设置在所述电源的电源进线的L、N线处;所述第一低频陷波单元、所述第一共模电容和所述第二共模电容,依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间,且所述第一低频陷波单元位于所述第一磁环与所述第一共模电容之间;所述第一共模扼流圈,设置在电源进线的L、N线上,且位于所述第一共模电容和所述第二共模电容之间。可选地,所述第一磁环,包括:阻抗值在预设值以上的低频段磁环;所述低频段磁环,包括:高导锰锌铁氧体磁环,或纳米晶、非晶磁环。可选地,所述第一低频陷波单元,包括:第一陷波陷波电容和第一低频陷波电感;其中,所述第一陷波陷波电容的公共端,经所述第一低频陷波电感后接地。可选地,所述第一低频陷波单元,还包括:第一低频陷波电阻;其中,所述第一陷波陷波电容的公共端,依次经所述第一低频陷波电感和所述第一低频陷波电阻后接地。可选地,所述第一陷波电容的电容值,小于所述第一共模电容的电容值;和/或,所述第一陷波电容,包括:陶瓷电容或薄膜电容。可选地,还包括:第二低频陷波单元;所述第二低频陷波单元,设置在电源出线的L、N线与地线之间,且位于所述基本滤波单元远离所述电源的一侧。可选地,所述第二低频陷波单元的结构,与所述第一低频陷波单元相同;或者,所述第二低频陷波单元的谐振频率,与所述第一低频陷波单元的谐振频率错开设定值。与上述装置相匹配,本专利技术再一方面提供一种电器设备,包括:以上所述的低频段滤波装置。与上述电器设备相匹配,本专利技术再一方面提供一种电器设备的低频段滤波方法,包括:通过基本滤波单元,对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除;通过第一低频陷波单元,对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。本专利技术的方案,通过利用串联谐振原理提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路,低成本地实现低频段共模传导电磁干扰的滤除。进一步,本专利技术的方案,通过利用串联谐振原理提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路,滤波器阶数减少,电源线出线处磁环减少,电路器件成本下降。进一步,本专利技术的方案,通过利用串联谐振原理提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路,在提高低频段共模滤波性能的情况下降低器件成本,且可靠性好。由此,本专利技术的方案,通过利用串联谐振原理提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路,解决为提高低频段共模滤波性能而使器件成本大幅增加的问题,达到在提高低频段共模滤波性能的情况下降低器件成本的效果。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。下面通过附图和实施例,对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术的低频段滤波装置的一实施例的结构示意图,具体为低频共模陷波电路的结构示意图;图2为本专利技术的低频段滤波装置的另一实施例的结构示意图,具体为低频滤波的二级陷波电路的结构示意图;图3为常规的二级滤波电路的结构示意图;图4为一种干扰基于图3的传导EMI测试效果示意图;图5为一种干扰基于图1的传导EMI测试效果示意图。结合附图,本专利技术实施例中附图标记如下:Y1-第一Y电容;Y2-第二Y电容;C1-第一陷波电容;C2-第二陷波电容;L1-第一陷波电感;L2-第二陷波电感;R1-第一陷波电阻;R2-第二陷波电阻。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。根据本专利技术的实施例,提供了一种低频段滤波装置。参见图1所示本专利技术的装置的一实施例的结构示意图。该低频段滤波装置可以包括:基本滤波单元和第一低频陷波单元。所述第一低频陷波单元,设置在所述基本滤波单元中。其中,所述基本滤波单元,可以用于对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除。所述第一低频陷波单元,可以用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。例如:为了低成本地实现低频段(150kHz-约700kHz)共模传导电磁干扰的滤除,本专利技术的方案,提供一种低频段传导共模干扰陷波电路和家用电器,使滤波器阶数减少,电源线出线处磁环减少,电路器件成本下降。例如:利用串联谐振原理提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路,可以解决为提高低频段共模滤波性能而使器件成本大幅增加的问题,达到在提高低频段共模滤波性能的情况下降低器件成本的效果。由此,通过基本滤波单元和第一低频陷波单元的配合设置,可以增强低频滤波效果,增强滤除共模传导电磁干扰的效果。在一个可选例子中,所述基本滤波单元,可以包括:第一磁环、第一共模扼流圈、第一共模电容和第二共模电容。其中,所述第一磁环,设置在所述电源的电源进线的L、N线处。所述第一低频陷波单元、所述第一共模电容和所述第二共模电容,依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间,且所述第一低频陷波单元位于所述第一磁环与所述第一共模电容之间。所述第一共模扼流圈,设置在电源进线的L、N线上,且位于所述第一共模电容和所述第二共模电容之间。例如:使用图1结构的低频共模陷波电路后(其等效的整改原理为加大Y电容容值),可以减少使用一个共模扼流圈,选用低频抑制效果好的铁氧体/非晶共模扼流圈,并根据实际情况可以调整使用1-2个磁环,选用非晶/纳米晶材料,保证高频抑制效果,最终达到效果如图5所示(低频150KHz附近裕量12dB,提升本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低频段滤波装置,其特征在于,包括:基本滤波单元和第一低频陷波单元;所述第一低频陷波单元,设置在所述基本滤波单元中;其中,所述基本滤波单元,用于对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除;所述第一低频陷波单元,用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。

【技术特征摘要】
1.一种低频段滤波装置,其特征在于,包括:基本滤波单元和第一低频陷波单元;所述第一低频陷波单元,设置在所述基本滤波单元中;其中,所述基本滤波单元,用于对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除;所述第一低频陷波单元,用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述基本滤波单元,包括:第一磁环、第一共模扼流圈、第一共模电容和第二共模电容;其中,所述第一磁环,设置在所述电源的电源进线的L、N线处;所述第一低频陷波单元、所述第一共模电容和所述第二共模电容,依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间,且所述第一低频陷波单元位于所述第一磁环与所述第一共模电容之间;所述第一共模扼流圈,设置在电源进线的L、N线上,且位于所述第一共模电容和所述第二共模电容之间。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第一磁环,包括:阻抗值在预设值以上的低频段磁环;所述低频段磁环,包括:高导锰锌铁氧体磁环,或纳米晶、非晶磁环。4.根据权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述第一低频陷波单元,包括:第一陷波陷波电容和第一低频陷波电感;其中,所述第一陷波陷波电容的公共...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾颖宇万今明谭建明肖彪黄强
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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