放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置，包括：衬底基板；设置于衬底基板上的多个光电二极管；光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；本征半导体层位于N型半导体层背离衬底基板的一侧，P型半导体层位于本征半导体层背离衬底基板的一侧；P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2

Radiograph inspection panel and its manufacturing method, radiograph inspection device

【技术实现步骤摘要】
放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置。
技术介绍
现有技术中，提供了一种XRD装置，用于检测图像。XRD即X-raydiffraction的缩写，X射线入射进入XRD装置后，通过闪烁体转化成可见光。可见光被光感元件吸收转化成电流，通过对转化的电流进行分析和计算，可以获得X射线的入射图案。现有技术提供的一种XRD装置中，使用半导体二极管作为光感元件，然而，目前半导体二极管的灵敏度较低，XRD装置所得到的X射线图像的精确度降低。因此，提高XRD装置中光感元件的灵敏度，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置，以解决现有技术提出的问题。一方面，本专利技术提供了一种放射线图像检测面板，包括：衬底基板；设置于衬底基板上的多个光电二极管；光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；本征半导体层位于N型半导体层背离衬底基板的一侧，P型半导体层位于本征半导体层背离衬底基板的一侧；P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。另一方面，本专利技术提供了一种放射线图像检测面板的制作方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成N型半导体材料层；图案化N型半导体材料层，形成多个N型半导体层；在N型半导体层背离衬底基板的一侧表面形成本征半导体材料层；图案化本征半导体材料层，形成多个本征半导体层；在本征半导体层背离衬底基板的一侧表面形成P型半导体材料层；图案化P型半导体材料层，形成多个P型半导体层，P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1；N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层堆叠形成光电二极管。又一方面，本专利技术提供了一种放射线图像检测装置，包括本专利技术提供的放射线图像检测面板。与现有技术相比，本专利技术提供的放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置，至少实现了如下的有益效果：光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。当放射线图像检测面板在进行图像检测时，由于本征半导体层在第一区域中没有被P型半导体层覆盖，第一区域的本征半导体层直接吸收入射光子。相比较于光线经过P型半导体层照射至本征半导体层而言，第一区域的本征半导体层的光照强度更大，从而光生载流子更多，相应的电流更大。较大的电流更容易被检测和识别，并且可以提高信噪比，因此可以提高光电二极管的灵敏度。相对于现有技术，本申请提供的放射线图像检测面板，光电二极管的灵敏度较高，对于图像的检测更加精确。当然，实施本专利技术的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1是本专利技术实施例提供的一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图2沿图1中BB’线的一种剖面结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图4沿图3中CC’线的一种剖面结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的又一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图6沿图5中DD’线的一种剖面结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的又一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图10沿图9中EE’线的一种剖面结构示意图；图11沿图1中BB’线的另一种剖面结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的一种放射线图像检测面板的制作方法的流程图；图13是图12提供的制作方法所对应的结构图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。请参考图1和图2，图1是本专利技术实施例提供的一种放射线图像检测面板的平面结构示意图；图2沿图1中BB’线的一种剖面结构示意图；本实施例提供了一种放射线图像检测面板，包括：衬底基板00；设置于衬底基板00上的多个光电二极管D；光电二极管D包括N型半导体层D1、本征半导体层D2和P型半导体层D3；本征半导体层D2位于N型半导体层D1背离衬底基板00的一侧，P型半导体层D3位于本征半导体层D2背离衬底基板00的一侧；P型半导体层D3部分覆盖本征半导体层D2，以暴露至少一个第一区域A1中的本征半导体层D2；本征半导体层D2向衬底基板00的正投影面积为S1，P型半导体层D3向衬底基板00的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。本实施例提供的放射线图像检测面板，可以将接收到的放射线转化为的入射图案。其中，衬底基板00的材料可以为玻璃、树脂，本实施例对此不作具体限制。衬底基板00用于承载多个光电二极管D，光电二极管D可以将光信号转化为电信号。光电二极管D具有光敏特性，并且具有单向导电性。无光照时，光电二极管D有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时，PIN结中生成载流子，光电二极管D的饱和反向漏电流大大增加，形成电流，并且，光的强度越大，反向漏电流也越大。其中，光电二极管D的核心部件是PIN结，PIN结是由N型半导体层D1、本征半导体层D2和P型半导体层D3紧密接触所构成的。PIN结具有光生伏特效应，入射光子只能在本征半导体层内被吸收，因此通常P型半导体层会设置的较薄一些。本实施例中，P型半导体层D3部分覆盖本征半导体层D2背离N型半导体层D1的一侧表面，本征半导体层D2没有被P型半导体层D3覆盖的区域即为第一区域A1。当本实施例提供的放射线图像检测面板在进行图像检测时，由于本征半导体层D2在第一区域A1中没有被P型半导体层D3覆盖，因此光线可以直接照射至位于第一区域A1的本征半导体层D2，第一区域A1的本征半导体层D2直接吸收入射光子。相比较于光线经过P型半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线图像检测面板，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的多个光电二极管；所述光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；所述本征半导体层位于所述N型半导体层背离所述衬底基板的一侧，所述P型半导体层位于所述本征半导体层背离所述衬底基板的一侧；所述P型半导体层部分覆盖所述本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；所述本征半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S1，所述P型半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。

【技术特征摘要】
1.一种放射线图像检测面板，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的多个光电二极管；所述光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；所述本征半导体层位于所述N型半导体层背离所述衬底基板的一侧，所述P型半导体层位于所述本征半导体层背离所述衬底基板的一侧；所述P型半导体层部分覆盖所述本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；所述本征半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S1，所述P型半导体层向所述衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。2.根据权利要求1所述的放射线图像检测面板，其特征在于，所述第一区域的数量为两个；所述P型半导体层向所述本征半导体层的正投影为第一投影，两个所述第一区域分别位于所述第一投影相对的两侧。3.根据权利要求1所述的放射线图像检测面板，其特征在于，所述P型半导体层包括至少一个镂空部，所述镂空部向所述本征半导体层的正投影和所述第一区域重合。4.根据权利要求3所述的放射线图像检测面板，其特征在于，所述镂空部为沿第一方向延伸的长条形状、且数量为至少两个；所述至少两个所述镂空部沿第二方向排列，所述第二方向和所述第一方向相交。5.根据权利要求3所述的放射线图像检测面板，其特征在于，所述镂空部的数量为多个，使所述P型半导体层为网格形状。6.根据权利要求1所述的放射线图像检测面板，其特征在于，还包括：位于所述多个光电二极管靠近所述衬底基板一侧的多个薄膜晶体管；多条控制线、多条第一信号线、多条第二信号线；所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；所述栅极和所述控制线电连接，所述源极和所述第一信号线电连接，所述漏极和所述N型半导体层电连接；所述P型半导体层和所述第二信号线电连接。7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周一安，林柏全，席克瑞，秦锋，刘金娥，李小和，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31