掩模的制造方法,掩模支撑缓冲基板及其制造方法技术

技术编号:22292090 阅读:40 留言:0更新日期:2019-10-15 01:57
本发明专利技术涉及一种掩模支撑缓冲基板及其制造方法以及框架一体型掩模的制造方法。本发明专利技术的掩模支撑缓冲基板的制造方法,用于制造缓冲基板(buffer substrate,50),该缓冲基板支撑OLED像素形成用掩模(100)以使其对应于框架(200),其包括以下步骤:(a)提供掩模金属膜(110);(b)将掩模金属膜(110)粘合在一表面形成有临时粘合部(55)的缓冲基板(50)上;(c)在掩模金属膜(110)上形成掩模图案(P);以及(d)从缓冲基板(50)分离形成有掩模图案(P)的掩模金属膜(110)。

Manufacturing method of mask, mask support buffer substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
掩模的制造方法,掩模支撑缓冲基板及其制造方法
本专利技术涉及一种掩模的制造方法,掩模支撑缓冲基板及其制造方法。更具体涉及能够稳定地在掩模上形成图案,并且稳定地支撑并移动掩膜而不会使其变形的掩模的制造方法,掩模支撑缓冲基板及其制造方法。
技术介绍
作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术,主要使用FMM(FineMetalMask,精细金属掩模)方法,该方法将薄膜形式的金属掩模(ShadowMask,阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。在超高清的OLED中,现有的QHD(QuarterHighDefinition,四分之一高清)画质为500-600PPI(pixelperinch,每英寸像素),像素大小为约30-50μm,而4KUHD(UltraHighDefinition,超高清)、8KUHD高清具有比之更高的~860PPI,~1600PPI等的分辨率。如此,考虑到超高清的OLED的像素大小,需要将各单元之间的对准误差缩小为数μm程度,超出这一误差将导致产品的不良,所以收率可能极低。因此,需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并且使对准精确的技术,以及将掩模固定于框架的技术等。
技术实现思路
技术问题因此,本专利技术是为了解决上述现有技术中的问题而提出的,其目的在于,提供一种可以在掩模上稳定地形成图案的掩模的制造方法。另外,本专利技术的目的在于,提供一种掩模支撑缓冲基板及其制造方法,可稳定地支撑并移动掩膜而不会使其变形。技术方案本专利技术的上述目的通过一种掩模的制造方法达成,该方法用于制造OLED像素形成用掩模,其包括以下步骤:(a)提供掩模金属膜;(b)将所述掩模金属膜粘合在一表面形成有临时粘合部的缓冲基板上;(c)在所述掩模金属膜上形成掩模图案;(d)从所述缓冲基板分离形成有所述掩模图案的所述掩模金属膜。所述掩模金属膜可以通过轧制或者电铸(electroforming)形成。可以在所述步骤(b)和所述步骤(c)之间进一步包括:缩小粘合于所述缓冲基板的所述掩模金属膜的厚度的步骤。当通过所述电铸形成所述掩模金属膜时,所述步骤(a)可以包括以下步骤:(a1)在导电性单晶基材的至少一表面上形成所述掩模金属膜;以及(a2)从所述导电性单晶基材分离所述掩模金属膜。可以在所述步骤(a1)和所述步骤(a2)之间进一步包括:对所述掩模金属膜进行热处理的工序。所述临时粘合部可以是可通过加热而分离的粘合剂或者粘合片材、可通过UV照射而分离的粘合剂或者粘合片材。所述临时粘合部可以是液体蜡(liquidwax)或者热剥离胶带(thermalreleasetape)。所述液体蜡可以在低于85℃的温度下,将所述掩模金属膜和所述缓冲基板固定并粘合在一起。在所述步骤(b)中,可以将所述液体蜡加热至85℃以上,使所述掩模金属膜接触于所述缓冲基板后,使所述掩模金属膜以及所述缓冲基板通过两个辊之间,以进行粘合。所述步骤(b)中,在粘合所述掩模金属膜以前,可以在与所述掩模的焊接部对应的所述缓冲基板的部分形成激光通过孔。所述步骤(c)可以包括以下步骤:(c1)在所述掩模金属膜上形成被图案化的绝缘部;(c2)对从所述绝缘部之间暴露的所述掩模金属膜的部分进行蚀刻,从而形成所述掩模图案;以及(c3)去除所述绝缘部。在所述步骤(d)中,可以对于所述临时粘合部进行加热、化学处理、施加超声波、施加UV中的至少一种处理,以分离所述掩模金属膜和所述缓冲基板。在步骤(d)中,可以执行溶剂脱粘(SolventDebonding)、热脱粘(HeatDebonding)、可剥离粘合剂脱粘(PeelableAdhesiveDebonding)、常温脱粘(RoomTemperatureDebonding)中的任意一种方法。并且,本专利技术的所述目的通过掩模支撑缓冲基板来达成,该掩模支撑缓冲基板用于支撑OLED像素形成用掩模,其包括:缓冲基板;临时粘合部,形成在所述缓冲基板上;以及掩模,形成掩模图案,通过所述临时粘合部粘合在所述缓冲基板上。所述掩模金属膜的厚度可以是5μm至20μm。所述临时粘合部可以是可通过加热而分离的粘合剂或者粘合片材、可通过UV照射而分离的粘合剂或者粘合片材。所述缓冲基板可以包含晶片、玻璃(glass)、二氧化硅(silica)、耐热玻璃、石英(quartz)、三氧化铝(Al2O3)、硼硅酸盐玻璃(borosilicateglass)、氧化锆(zirconia)中的任意一种材料。可以在与所述掩模的焊接部对应的所述缓冲基板以及所述临时粘合部的部分,形成有激光通过孔。所述掩模可以包括形成有多个所述掩模图案的一个或多个掩模单元。并且,本专利技术的所述目的通过一种掩模支撑缓冲基板的制造方法来达成,该方法用于制造缓冲基板,该缓冲基板支撑OLED像素形成用掩模以使其对应于框架,其特征在于,包括以下步骤:(a)提供掩模金属膜;(b)将所述掩模金属膜粘合在一表面形成有临时粘合部的缓冲基板上;以及(c)在所述掩模金属膜形成掩模图案,以制造掩模。专利技术效果根据如上构成的本专利技术,具有可以稳定地形成掩模图案的效果。另外,根据本专利技术,能够稳定地支撑并移动掩膜而不会使其变形。附图说明图1是示出现有的OLED像素沉积用掩模的概略图。图2是示出现有的用于形成高分辨率OLED的掩膜的概略图。图3至图7是示出本专利技术的一实施例涉及的掩模的制造过程的概略图。图8是示出本专利技术的一实施例涉及的临时粘合部的放大剖视概略图。图9是示出本专利技术的一实施例涉及的框架一体型掩模的主视图以及侧剖视图。图10是示出本专利技术的一实施例涉及的框架的主视图以及侧剖视图。图11是示出本专利技术的一实施例涉及的利用框架一体型掩模的OLED像素沉积装置的概略图。附图标记:50:缓冲基板(buffersubstrate)55:临时粘合部100:掩模110:掩模膜、掩模金属膜200:框架210:边缘框架部220:掩模单元片材部221:边缘片材部223:第一栅格片材部225:第二栅格片材部1000:OLED像素沉积装置C:单元、掩模单元CM:化学处理CR:掩模单元区域DM:虚拟部、掩模虚拟部ET:加热P:掩模图案US:施加超声波UV:施加UV具体实施方式后述的对于本专利技术的详细说明将参照附图,该附图将能够实施本专利技术的特定实施例作为示例示出。充分详细地说明这些实施例,以使本领域技术人员能够实施本专利技术。应当理解,本专利技术的多种实施例虽然彼此不同,但是不必相互排斥。例如,在此记载的特定形状、结构及特性与一实施例有关,在不脱离本专利技术的精神及范围的情况下,能够实现为其他实施例。另外,应当理解,各个公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置,在不脱离本专利技术的精神及范围的情况下,能够进行变更。因此,后述的详细说明不应被视为具有限制意义,只要适当地说明,则本专利技术的范围仅由所附的权利要求书及其等同的所有范围限定。图中相似的附图标记从多方面表示相同或相似的功能,为了方便起见,长度、面积、厚度及其形状可以夸大表示。以下,将参照附图对本专利技术的优选实施例进行详细说明,以便本领域技术人员能够容易地实施本专利技术。图1是示出现有的OLED像素沉积用掩模10的概略图。参照图1,现有的掩模10可以以条式(Stick-Type)或者板式(Plate-Type)制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模的制造方法,用于制造OLED像素形成用掩模,其特征在于,包括以下步骤:(a)提供掩模金属膜;(b)将所述掩模金属膜粘合在一表面形成有临时粘合部的缓冲基板上;(c)在所述掩模金属膜上形成掩模图案;(d)从所述缓冲基板分离形成有所述掩模图案的所述掩模金属膜。

【技术特征摘要】
2018.03.30 KR 10-2018-0037583;2018.10.16 KR 10-2011.一种掩模的制造方法,用于制造OLED像素形成用掩模,其特征在于,包括以下步骤:(a)提供掩模金属膜;(b)将所述掩模金属膜粘合在一表面形成有临时粘合部的缓冲基板上;(c)在所述掩模金属膜上形成掩模图案;(d)从所述缓冲基板分离形成有所述掩模图案的所述掩模金属膜。2.根据权利要求1所述的掩模的制造方法,其特征在于,所述掩模金属膜通过轧制或者电铸形成。3.根据权利要求1所述的掩模的制造方法,其特征在于,在所述步骤(b)和所述步骤(c)之间进一步包括:缩小粘合于所述缓冲基板的所述掩模金属膜的厚度的步骤。4.根据权利要求2所述的掩模的制造方法,其特征在于,当通过所述电铸形成所述掩模金属膜时,所述步骤(a)包括以下步骤:(a1)在导电性单晶基材的至少一表面形成所述掩模金属膜;以及(a2)从所述导电性单晶基材分离所述掩模金属膜。5.根据权利要求4所述的掩模的制造方法,其特征在于,在所述步骤(a1)和所述步骤(a2)之间进一步包括:对所述掩模金属膜进行热处理的工序。6.根据权利要求1所述的掩模的制造方法,其特征在于,所述临时粘合部是可通过加热而分离的粘合剂或者粘合片材、可通过UV照射而分离的粘合剂或者粘合片材。7.根据权利要求6所述的掩模的制造方法,其特征在于,所述临时粘合部是液体蜡或者热剥离胶带。8.根据权利要求7所述的掩模的制造方法,其特征在于,所述液体蜡在低于85℃的温度下,将所述掩模金属膜和所述缓冲基板固定并粘合在一起。9.根据权利要求8所述的掩模的制造方法,其特征在于,在所述步骤(b)中,将所述液体蜡加热至85℃以上,使所述掩模金属膜接触于所述缓冲基板后,使所述掩模金属膜以及所述缓冲基板通过两个辊之间,以进行粘合。10.根据权利要求1所述的掩模的制造方法,其特征在于,所述步骤(b)中,在粘合所述掩模金属膜以前,在与...

【专利技术属性】
技术研发人员:李裕进李炳一张泽龙
申请(专利权)人:TGO科技株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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