一种整流二极管硅塑封结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，硅塑封结构本体包括上壳体和下壳体，上壳体和下壳体卡合连接，上壳体底端的四个边角处均固定安装有定位柱，下壳体顶端的中部嵌设连接有N型硅，N型硅的一端固定连接有铝合金球，铝合金球的一端固定连接有阳极引脚，N型硅的另一端固定连接有金锑合金板，金锑合金板的一端固定连接有阴极引脚，本实用新型专利技术的有益效果是通过设有的加强条和圆形铜合金散热盘，加强上壳体的整体结构强度，增加耐磨性，圆形铜合金散热盘便于散发热量，便于内部的N型硅更好的工作，通过设有的定位柱和卡位结构，避免上胶时，上壳体和下壳体发生偏移，导致整流二极管整体造型变差。

A silicon plastic encapsulation structure for rectifier diodes

【技术实现步骤摘要】
一种整流二极管硅塑封结构
本技术涉及一种塑封结构，特别涉及一种整流二极管硅塑封结构。
技术介绍
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。整本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，其特征在于，所述硅塑封结构本体包括上壳体（1）和下壳体（2），所述上壳体（1）和下壳体（2）卡合连接，所述上壳体（1）底端的四个边角处均固定安装有定位柱（8），所述下壳体（2）顶端的中部嵌设连接有N型硅（3），所述N型硅（3）的一端固定连接有铝合金球（4），所述铝合金球（4）的一端固定连接有阳极引脚（7），所述N型硅（3）的另一端固定连接有金锑合金板（5），所述金锑合金板（5）的一端固定连接有阴极引脚（6）。

【技术特征摘要】
1.一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，其特征在于，所述硅塑封结构本体包括上壳体（1）和下壳体（2），所述上壳体（1）和下壳体（2）卡合连接，所述上壳体（1）底端的四个边角处均固定安装有定位柱（8），所述下壳体（2）顶端的中部嵌设连接有N型硅（3），所述N型硅（3）的一端固定连接有铝合金球（4），所述铝合金球（4）的一端固定连接有阳极引脚（7），所述N型硅（3）的另一端固定连接有金锑合金板（5），所述金锑合金板（5）的一端固定连接有阴极引脚（6）。2.根据权利要求1所述的一种整流二极管硅塑封结构，其特征在于：所述上壳体（1）正面的底部和背面的底部均固定设有卡位结构（9），两个所述卡位结构（9）均包括轻质弹簧（11）和圆柱接头（10），两个所述轻质弹簧（11）的一端均与上壳体（1）固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔凡伟，段花山，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37