一种整流二极管硅塑封结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，硅塑封结构本体包括上壳体和下壳体，上壳体和下壳体卡合连接，上壳体底端的四个边角处均固定安装有定位柱，下壳体顶端的中部嵌设连接有N型硅，N型硅的一端固定连接有铝合金球，铝合金球的一端固定连接有阳极引脚，N型硅的另一端固定连接有金锑合金板，金锑合金板的一端固定连接有阴极引脚，本实用新型专利技术的有益效果是通过设有的加强条和圆形铜合金散热盘，加强上壳体的整体结构强度，增加耐磨性，圆形铜合金散热盘便于散发热量，便于内部的N型硅更好的工作，通过设有的定位柱和卡位结构，避免上胶时，上壳体和下壳体发生偏移，导致整流二极管整体造型变差。

A silicon plastic encapsulation structure for rectifier diodes

【技术实现步骤摘要】
一种整流二极管硅塑封结构
本技术涉及一种塑封结构，特别涉及一种整流二极管硅塑封结构。
技术介绍
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。整流二极管需要使用的外壳，也就是塑封结构，来保持内部元件的正常工作，然而现有塑封结构还存在着一些问题，例如，整体结构强度较低，散热导热性差，无法满足正常的使用需求，同时塑封结构缺少定位结构，塑封时容易使得上壳和下壳偏离，影响整流二极管整体结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种整流二极管硅塑封结构，以解决上述
技术介绍
中提出的整体结构强度较低，散热导热性差的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，所述硅塑封结构本体包括上壳体和下壳体，所述上壳体和下壳体卡合连接，所述上壳体底端的四个边角处均固定安装有定位柱，所述下壳体顶端的中部嵌设连接有N型硅，所述N型硅的一端固定连接有铝合金球，所述铝合金球的一端固定连接有阳极引脚，所述N型硅的另一端固定连接有金锑合金板，所述金锑合金板的一端固定连接有阴极引脚。作为本技术的一种优选技术方案，所述上壳体正面的底部和背面的底部均固定设有卡位结构，两个所述卡位结构均包括轻质弹簧和圆柱接头，两个所述轻质弹簧的一端均与上壳体固定连接，两个所述轻质弹簧的另一端与对应的圆柱接头相连接。作为本技术的一种优选技术方案，所述下壳体正面的两侧和背面的两侧均固定连接有磁条。作为本技术的一种优选技术方案，所述上壳体顶端的一侧固定设有加强条，所述上壳体顶端的另一侧嵌设有圆形铜合金散热盘。作为本技术的一种优选技术方案，所述下壳体正面的内壁和背面的内壁均开设有定位槽，两个所述定位槽与对应的圆柱接头榫合连接。作为本技术的一种优选技术方案，所述上壳体和下壳体均有橡胶材料制成，且所述上壳体和定位柱为一体化结构。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术一种整流二极管硅塑封结构，通过设有的加强条和圆形铜合金散热盘，加强上壳体的整体结构强度，增加耐磨性，圆形铜合金散热盘便于散发热量，便于内部的N型硅更好的工作，通过设有的定位柱和卡位结构，避免上胶时，上壳体和下壳体发生偏移，导致整流二极管整体造型变差，综上所述，本技术具有组合使用方便的优点，结构简单，安装定位性好。附图说明图1为本技术正面结构示意图；图2为本技术俯视结构示意图；图3为本技术卡位结构正面结构示意图。图中：1、上壳体；2、下壳体；3、N型硅；4、铝合金球；5、金锑合金板；6、阴极引脚；7、阳极引脚；8、定位柱；9、卡位结构；10、圆柱接头；11、轻质弹簧；12、磁条；13、加强条；14、圆形铜合金散热盘；15、定位槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供了一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，硅塑封结构本体包括上壳体1和下壳体2，上壳体1和下壳体2卡合连接，上壳体1底端的四个边角处均固定安装有定位柱8，下壳体2顶端的中部嵌设连接有N型硅3，N型硅3的一端固定连接有铝合金球4，铝合金球4的一端固定连接有阳极引脚7，N型硅3的另一端固定连接有金锑合金板5，金锑合金板5的一端固定连接有阴极引脚6。优选的，上壳体1正面的底部和背面的底部均固定设有卡位结构9，两个卡位结构9均包括轻质弹簧11和圆柱接头10，两个轻质弹簧11的一端均与上壳体1固定连接，两个轻质弹簧11的另一端与对应的圆柱接头10相连接，卡位结构9避免上胶时，上壳体1和下壳体2发生偏移，导致整流二极管整体造型变差。优选的，下壳体2正面的两侧和背面的两侧均固定连接有磁条12，磁条12便于将硅塑封结构本体定位安装到用电设备中。优选的，上壳体1顶端的一侧固定设有加强条13，上壳体1顶端的另一侧嵌设有圆形铜合金散热盘14，加强条13加强上壳体1的整体结构强度，圆形铜合金散热盘14便于散发热量，便于内部的N型硅3更好的工作。优选的，下壳体2正面的内壁和背面的内壁均开设有定位槽15，两个定位槽15与对应的圆柱接头10榫合连接，便于提高上壳体1和下壳体2之间的连接性，避免上胶时发生偏移。优选的，上壳体1和下壳体2均有橡胶材料制成，且上壳体1和定位柱8为一体化结构，提高上壳体1和下壳体2的结构强度，增加使用寿命。具体使用时，本技术一种整流二极管硅塑封结构，首先工作人员将N型硅3、铝合金球4和金锑合金板5依次安装到下壳体2的中部，再将阴极引脚6的一端与金锑合金板5相连接，阳极引脚7的一端与铝合金球4相连接，组合成整流二极管，首先工作人员用手捏紧两个圆柱接头10，使得两个轻质弹簧11压缩，便于将上壳体1通过定位柱8与下壳体2卡合连接，再松开手指，由于轻质弹簧11的恢复性，使得定位槽15与圆柱接头10榫合连接，提高上壳体1和下壳体2之间的连接性，避免上胶时，上壳体1和下壳体2发生偏移，导致整流二极管整体造型变差，由于上壳体1顶端的一侧固定设有加强条13，上壳体1顶端的另一侧嵌设有圆形铜合金散热盘14，加强条13加强上壳体1的整体结构强度，圆形铜合金散热盘14便于散发热量，便于内部的N型硅3更好的工作，综上所述本技术具有组合使用方便，结构简单的优点。在本技术的描述中，需要理解的是，指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。尽管已经示出和描述了本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，其特征在于，所述硅塑封结构本体包括上壳体（1）和下壳体（2），所述上壳体（1）和下壳体（2）卡合连接，所述上壳体（1）底端的四个边角处均固定安装有定位柱（8），所述下壳体（2）顶端的中部嵌设连接有N型硅（3），所述N型硅（3）的一端固定连接有铝合金球（4），所述铝合金球（4）的一端固定连接有阳极引脚（7），所述N型硅（3）的另一端固定连接有金锑合金板（5），所述金锑合金板（5）的一端固定连接有阴极引脚（6）。

【技术特征摘要】
1.一种整流二极管硅塑封结构，包括硅塑封结构本体，其特征在于，所述硅塑封结构本体包括上壳体（1）和下壳体（2），所述上壳体（1）和下壳体（2）卡合连接，所述上壳体（1）底端的四个边角处均固定安装有定位柱（8），所述下壳体（2）顶端的中部嵌设连接有N型硅（3），所述N型硅（3）的一端固定连接有铝合金球（4），所述铝合金球（4）的一端固定连接有阳极引脚（7），所述N型硅（3）的另一端固定连接有金锑合金板（5），所述金锑合金板（5）的一端固定连接有阴极引脚（6）。2.根据权利要求1所述的一种整流二极管硅塑封结构，其特征在于：所述上壳体（1）正面的底部和背面的底部均固定设有卡位结构（9），两个所述卡位结构（9）均包括轻质弹簧（11）和圆柱接头（10），两个所述轻质弹簧（11）的一端均与上壳体（1）固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔凡伟，段花山，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37