【技术实现步骤摘要】
一种可控图案化电学器件的制备方法
本专利技术属于微电子器件领域，具体地，通过调控亲水电极(金电极)和与之相对的硅柱的位置、数量、形貌等参数，利用溶液法直接制备得到构筑于亲水电极之上的电学器件，提供了一种简单高效制备可控图案化电学器件的方法。
技术介绍
基于聚合物分子的场效应晶体管、压力传感器、有机存储元件等电学器件具有低成本、柔性、可大面积制备等优点，因而具有广泛的应用。与薄膜材料相比，一维微纳米材料缺陷较少，分子排列更加有序，因而具有更加优异的性能。目前基于一维结构的器件多采用底栅顶电极结构，首先制备得到大面积有序排列的有机分子一维结构阵列，再利用真空蒸镀技术在有机分子上蒸镀金电极构筑器件。但由于利用蒸镀技术在一维微纳米结构上制备顶电极，掩膜版粘贴的技术要求较高，操作耗时久、效率低，并且器件的位置、沟道长度、有机纳米线数量等参数都无法准确调控，因此我们迫切需要发展一种简单有效的方法，实现对器件的沟道长度、沟道宽度、有机纳米线数量等进行精确调控，这将有利于微结构器件的精准化和大规模制备。
技术实现思路
本专利技术目的在于：提供一种简单方便的方法，利用具有不对称浸润性的...
【技术保护点】
1.一种可控图案化电学器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)在平板基底上采用气相法真空溅射图案化亲水电极；2)将蒸镀了图案化亲水电极的平板基底在硫醇中浸泡10‑50h，取出清洗，吹干；3)采用光刻法制备具有微柱结构的基底；4)将有机分子溶液直接滴加在具有微柱结构的基底上并盖上蒸镀了图案化亲水电极的平板基底，蒸镀了图案化亲水电极的平板基底上具有亲水电极的一面朝向溶液，并且亲水电极的取向与微柱取向相交，构筑成三明治组装体系，随着退浸润过程的进行，在亲水电极之间搭建形成排列规整的有机分子一维结构阵列，即得到可控图案化电学器件。
【技术特征摘要】
1.一种可控图案化电学器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)在平板基底上采用气相法真空溅射图案化亲水电极；2)将蒸镀了图案化亲水电极的平板基底在硫醇中浸泡10-50h，取出清洗，吹干；3)采用光刻法制备具有微柱结构的基底；4)将有机分子溶液直接滴加在具有微柱结构的基底上并盖上蒸镀了图案化亲水电极的平板基底，蒸镀了图案化亲水电极的平板基底上具有亲水电极的一面朝向溶液，并且亲水电极的取向与微柱取向相交，构筑成三明治组装体系，随着退浸润过程的进行，在亲水电极之间搭建形成排列规整的有机分子一维结构阵列，即得到可控图案化电学器件。2.根据权利要求1所述可控图案化电学器件的制备方法，其特征在于，步骤1)中，亲水电极的厚度是50-200nm，在溅射亲水电极之前需要先溅射5-15nm铬。3.根据权利要求1所述可控图案化电学器件的制备方法，其特征在于，步骤1)所述平板基底为氧化铟锡膜或导电硅片。4.根据权利要求1所述可控图案化电学器件的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴雨辰，刘芸，江雷，
申请(专利权)人：北京赛特超润界面科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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