一种改善晶圆表面缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种改善晶圆表面缺陷的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV；步骤三、将所述晶圆托盘上的涂层去除后，利用该离子注入机台对晶圆进行离子注入。本发明专利技术通过离子轰击导致晶圆托盘表面温度升高，从而导致光刻胶物质挥发，有效去除表面的沉积的方法。该方法有效去除了沉积物质，降低缺陷的发生率，从而保证了产品的良率。

A Method for Improving Surface Defects of Wafers

【技术实现步骤摘要】
一种改善晶圆表面缺陷的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善晶圆表面缺陷的方法。
技术介绍
随着集成电路尺寸缩小的不断演进，缺陷控制变得尤其重要。在很大程度上，降低缺陷经常成为良率突破和提升的必要条件。注入工艺由于其特殊性，经常存在缺陷等方面的问题，尤其是低温注入工艺。一种典型的缺陷问题是，在注入的过程中，光刻胶由于高温的影响产生挥发。由于晶圆托盘(plate)处于低温状态，这部分挥发的物质，很容易在晶圆托盘表面产生二次沉积。在硅片完成注入工艺后，有一步放电的步骤以便于硅片的传输。在这步放电的过程中，这部分的沉积会吸附在硅片的背面。当硅片在回温的过程中(从低温经过加热回到常温)，吸附的物质由于温度的变化会产生脱落，而掉落到下一片的硅片上，从而影响下一片的缺陷状况。为了解决这种缺陷状况，从其根本上，就需要晶圆托盘表面的沉积物质进行有效的处理。现行的方法是在每一个周期性维护时，对晶圆托盘表面都有一定程度的保养，但是一直没有有效的方法彻底去除这种沉积物质。因此，需要提出一种新的方法解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善晶圆表面缺陷的方法，用于解决现有技术中由于晶圆托盘上沉积有挥发的光刻胶涂层而使得后续晶圆的背面吸附该沉积物，从而导致下一片晶圆产生缺陷的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善晶圆表面缺陷的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV；步骤三、将所述晶圆托盘上的涂层去除后，利用该离子注入机台对晶圆进行离子注入。优选地，步骤一中所述的离子注入机台是在维护之前的机台。优选地，所述离子轰击的方法中，轰击源种为砷离子、硼离子、氙离子、硅离子、磷离子中的任意一种。优选地，步骤四、完成离子注入后，该离子注入机台进行放电，将所述晶圆传输至回温腔；步骤五、在所述回温腔中对所述晶圆进行回温。优选地，所述离子注入机台除设有所述晶圆托盘外，还包括：波纹管；套设在所述波纹管上的冷却环；设于所述冷却环上的旋转马达；所述波纹管用于输送气体至所述晶圆托盘；所述晶圆托盘载有待进行离子注入的晶圆。优选地，所述波纹管输送的气体为PN2。优选地，所述冷却环和所述晶圆托盘具有冷凝作用。优选地，所述冷却环发挥冷凝作用时的温度为-140摄氏度。优选地，所述晶圆托盘发挥冷凝作用时的温度为-60摄氏度。如上所述，本专利技术的改善晶圆表面缺陷的方法，具有以下有益效果：本专利技术通过离子轰击导致晶圆托盘表面温度升高，从而导致光刻胶物质挥发，有效去除表面的沉积的方法。该方法有效去除了沉积物质，降低缺陷的发生率，从而保证了产品的良率。附图说明图1显示为本专利技术的改善晶圆表面缺陷的方法流程示意图；图2显示为本专利技术的离子注入机台结构示意图；图3a显示为未经离子物理轰击的晶圆托盘的表面示意图；图3b显示为采用本专利技术的离子物理轰击后的晶圆托盘表面示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图3b。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1所示，图1显示为本专利技术的改善晶圆表面缺陷的方法流程示意图；本专利技术提供一种改善晶圆表面缺陷的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；本专利技术优选地，步骤一中所述的离子注入机台是在维护之前的机台。也就是说本实施例针对的是进行维护保养前的离子注入机台，由于对于离子注入机台，定期对其进行维护保养的目的就是为了有效去除沉积的所述离子注入机台中晶圆托盘上的沉积物，避免下次对晶圆进行离子注入时，造成晶圆的二次污染。因此，本专利技术优选地，对进行维护保养前的机台进行改善晶圆表面缺陷显得有重大意义。步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV。该步骤中，所述离子注入机台中的晶圆托盘(plate)用于承载待进行离子注入的晶圆，如果是维护保养前的机台，在注入过程中，光刻胶由于高温的影响产生挥发，由于晶圆托盘plate处于低温状态，这部分容易挥发的物质很容易在所述晶圆托盘上形成二次沉积，在硅片完成注入工艺后，有一步放电的步骤以便于硅片的传输。在这步放电的过程中，这部分的沉积会吸附在硅片的背面。当硅片在回温的过程中(从低温经过加热回到常温)，吸附的物质由于温度的变化会产生脱落，而掉落到下一片的硅片上，从而影响下一片的缺陷状况。因此，本专利技术的该步骤二采用去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，本专利技术优选地，步骤二中去除所述离子注入机台的方法采用离子物理轰击的方法。通过离子物理轰击的方法使得所述晶圆托盘plate表面的温度升高，从而导致沉积在所述晶圆托盘上的光刻胶容易挥发。再次使用该离子注入机台时，所述晶圆托盘的表面便不会存在沉积物，因此会降低污染后续晶圆的可能性。本专利技术进一步地，所述离子物理轰击的方法中，轰击源种为砷离子、硼离子、氙离子、硅离子、磷离子中的任意一种。也就是说，采用本专利技术的所述离子物理轰击可以选择砷离子、硼离子、氙离子、硅离子、磷离子作为轰击源。本专利技术中所述离子轰击的能量为500V～8KeV。如图3a和图3b所示，图3a显示为未经离子物理轰击的晶圆托盘的表面示意图；图3b显示为采用本专利技术的离子物理轰击后的晶圆托盘表面示意图。对比可见，轰击后的晶圆托盘表面，颗粒明显下降。本实施例还包括步骤三、将所述晶圆托盘上的涂层去除后，利用该离子注入机台对晶圆进行离子注入。实施例二如图1所示，图1显示为本专利技术的改善晶圆表面缺陷的方法流程示意图；本专利技术提供一种改善晶圆表面缺陷的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；本专利技术优选地，步骤一中所述的离子注入机台是在维护之前的机台。也就是说本实施例针对的是进行维护保养前的离子注入机台，由于对于离子注入机台，定期对其进行维护保养的目的就是为了有效去除沉积的所述离子注入机台中晶圆托盘上的沉积物，避免下次对晶圆进行离子注入时，造成晶圆的二次污染。因此，本专利技术优选地，对进行维护保养前的机台进行改善晶圆表面缺陷显得有重大意义。步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV。该步骤中，所述离子注入机台中的晶圆托盘(plate)用于承载待进行离子注入的晶圆，如果是维护保养前的机台，在注入过程中，光刻胶由于高温的影响产生挥发，由于晶圆托盘plate处于低温状态，这部分容易挥发的物质很容易在所述晶圆托盘上形成二次沉积，在硅片完成注入工艺后，有一步放电的步骤以便于硅片的传输。在这步放电的过程中，这部分的沉积会吸附在硅片的背面。当硅片在回温的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV；步骤三、将所述晶圆托盘上的涂层去除后，利用该离子注入机台对晶圆进行离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV；步骤三、将所述晶圆托盘上的涂层去除后，利用该离子注入机台对晶圆进行离子注入。2.根据权利要求1所述的改善晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：步骤一中所述的离子注入机台是在维护之前的机台。3.根据权利要求2所述的改善晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述离子物理轰击的方法中，轰击源种为砷离子、硼离子、氙离子、硅离子、磷离子中的任意一种。4.根据权利要求1所述的改善晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：该方法还包括：步骤四、完成离子注入后，该离子注入机台进行放电，将所述晶圆传输至回温腔；步骤五、...

【专利技术属性】
技术研发人员：成鑫华，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31