一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法，其特征在于，首先采用1‑丁基‑3‑甲基咪唑对甲苯磺酸盐溶解葡萄糖酸钙和脱脂棉，制得淡黄色粘稠液体为钙掺杂含碳量子点胶黏剂；在玛瑙研钵中将金改性氮化硅：34~38%，氧化石墨烯：28~32%，钙掺杂含碳量子点胶黏剂：10~14%，聚丙烯酸铵：3~5%，乙醇：14~20%，研磨均匀，装入连有导线的内经为Φ5mm的玻璃管内，即得钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器。本申请所制备的电极比普通的碳糊电极导电性能提高4~6倍，电化学窗口宽、制备方法简单、表面易更新、残余电流小等优点。检测灵敏度高，选择性好。

Preparation of a Ca-doped Silicon Nitride Graphene Paste Electrode Sensor

【技术实现步骤摘要】
一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法
本专利技术涉及一种电化学传感器的制备方法，特别涉及一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法及应用。属于电化学分析领域。
技术介绍
电化学分析传感器是目前的分析定量检测技术的最核心和最可靠的技术，其占有非常突出的地位，此传感器的优点如下：仪器操作简单、成本低、灵敏度高、仪器自动化程度高、样品用量少、分析检测时间快，以此同时其检测信号转换为直观易读的浓度值，便于非专业人士使用，目前已被广泛应用于环境科学、药物学以及食品科学等领域。20世纪70年代中期出现的化学修饰碳糊电极(简称CMCPE)是在CPE的基础上发展起来的，它结合了化学修饰电极的优点，可借富集、分离、催化和选择等反应对众多的物质进行分析测定。氮化硅相对分子质量140.28，灰色、白色或灰白色，属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，六方晶系，晶体呈六面体。电阻率在1015-1016Ω.cm，不溶于水。溶于氢氟酸。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻，20℃时为1.4×105·m,500℃时为4×108·m。弹性模量为28420~46060MPa。耐压强度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1）金改性氮化硅制备：在反应器中，按如下质量百分比加入，乙醇：52~56%，3‑巯丙基三乙氧基硅烷：24~28%，搅拌均匀，再加入纳米氮化硅：18~22%，各组分之和为百分之百，于50±2℃恒温、搅拌、回流反应5h，冷却后，固液分离，用去离子水洗涤至中性，干燥，将固体按固液比为1g：15~25mL放入0.01mol/L金溶液浸泡6 h，固液分离，用去离子水洗涤至中性，干燥，得到金改性氮化硅；（2）钙掺杂含碳量子点胶黏剂：在反应釜中，按如下质量百分比加入，1‑丁基‑3‑甲基咪唑对甲苯磺酸盐：67~71%，葡萄...

【技术特征摘要】
1.一种钙掺杂氮化硅石墨烯糊电极传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1）金改性氮化硅制备：在反应器中，按如下质量百分比加入，乙醇：52~56%，3-巯丙基三乙氧基硅烷：24~28%，搅拌均匀，再加入纳米氮化硅：18~22%，各组分之和为百分之百，于50±2℃恒温、搅拌、回流反应5h，冷却后，固液分离，用去离子水洗涤至中性，干燥，将固体按固液比为1g：15~25mL放入0.01mol/L金溶液浸泡6h，固液分离，用去离子水洗涤至中性，干燥，得到金改性氮化硅；（2）钙掺杂含碳量子点胶黏剂：在反应釜中，按如下质量百分比加入，1-丁基-3-甲基咪唑对甲苯磺酸盐：67~71%，葡萄糖酸钙：8~10%，脱脂棉：20~24%，搅拌均匀，各组分质量百分比之和为百分之百，密封，置于110±2℃烘箱中，恒温反应8~10h，冷至室温，即得淡黄色粘稠液体为钙掺杂含碳量子点胶黏剂；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧芝，赵淑英，李志英，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：山东,37