用于短红外光谱范围的基于锗的焦平面阵列制造技术

本发明专利技术公开一种包括金字塔形状的硅(Si)基和锗光电二极管(Ge photodiode)的光检测结构以及制造所述光检测结构的方法。所述硅基具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部，所述锗光电二极管形成于所述硅基的所述金字塔顶部、并且可操作来检测短波红外范围的光。如前所述的光检测结构可以在空间上重复设置，并制成设于硅上的锗光电检测器的焦平面阵列(focal plane array)。

Germanium-based focal plane arrays for short infrared spectra

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于短红外光谱范围的基于锗的焦平面阵列相关申请本申请要求2018年1月9日提交的美国临时申请62615198的优先权，其全文内容通过引用以其整体结合到本说明书中
本说明书所披露的实施例大体上关于一种处于短波红外(shortwaveinfrared,SWIR)光谱范围里的焦平面阵列(focalplanearrays,FPAs)，特别是关于一种形成基于锗(Ge)探测器的FPAs的方法。
技术介绍
运行在SWIR(通常定义为在大约1000-2500nm波长之间)范围的成像系统由于各种原因越来越吸引人们的注意。例如，与可见光范围相比，SWIR范围内的光对诸如雾和沙尘这样的极端天气条件更不敏感。而且，SWIR波长范围对于人眼来说是不可见的。另外，用眼安全的法规允许使用SWIR范围内的高能有源照明源。这些优势，结合不同于用于SWIR的热成像图像对比机制相似于可见光范围的、因而允许使用传统的图像识别算法的事实，使得就成像目的而言SWIR范围是可见光范围的一个有吸引力的替代方案。SWIR范围里已知的FPAs典型地是使用InGaAs材料系统制造。尽管基于InGaAs的FPAs的性能包线具有吸引力，这样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测结构，包括a)金字塔形状的硅基，具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部；以及b)锗光电二极管，形成于所述硅基的所述金字塔顶部上，其中所述锗光电二极管可操作来检测短波红外范围(SWIR)的光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2018.01.09 US 62/615,1981.一种光检测结构，包括a)金字塔形状的硅基，具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部；以及b)锗光电二极管，形成于所述硅基的所述金字塔顶部上，其中所述锗光电二极管可操作来检测短波红外范围(SWIR)的光。2.如权利要求1所述的光检测结构，其中所述锗光电二极管包括p-n结。3.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述锗光电二极管包括p-i-n结。4.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述金字塔底部是大约10x10μm2的正方形。5.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述金字塔顶部是大约1x1μm2的正方形。6.如前述权利要求1所述的光检测结构，其中所述金字塔底部是大约10...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌利尔·利维，乌拉罕·巴卡尔，俄梅尔·卡帕奇，
申请(专利权)人：趣眼有限公司，
类型：发明
国别省市：以色列,IL