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本发明公开一种包括金字塔形状的硅(Si)基和锗光电二极管(Ge photodiode)的光检测结构以及制造所述光检测结构的方法。所述硅基具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部，所述锗光电二极管形成于所述硅基的所述金字塔顶部、并且可...
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