显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种显示面板及其制造方法，所述制造方法包括如下步骤：提供驱动背板和发光基板，将所述驱动背板与所述发光基板进行金属键合；图形化所述发光基板，形成像素阵列；在所述像素阵列外侧形成薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述像素阵列；在所述薄膜封装层的顶部形成量子点，以形成多色显示；在相邻的量子点之间形成反射阵列，以避免所述像素阵列之间的光串扰。本发明专利技术的显示面板及其制造方法突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示，并可防止像素阵列之间的光串扰。

Display panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法
本专利技术涉及一种显示面板及其制造方法，尤其涉及一种高像素密度的显示面板及其制造方法。
技术介绍
目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化，这种方法在像素密度低于700时是没有问题的，但是当像素密度高于800时，现有的制造技术将进入物理瓶颈。因此，实现高像素密度的多彩显示，是目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板的制造方法，其在相邻两个量子点之间形成反射阵列，可防止高分辨率显示面板的光串扰。为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示面板的制造方法，主要包括如下步骤：提供驱动背板和发光基板，将所述驱动背板与所述发光基板进行金属键合；图形化所述发光基板，形成像素阵列；在所述像素阵列的外侧形成薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述像素阵列；在所述薄膜封装层的顶部形成量子点，以形成多色显示；在相邻两个量子点之间形成反射阵列，以避免所述像素阵列之间的光串扰。作为本专利技术的进一步改进，所述像素阵列采用黄光和蚀刻工艺形成。作为本专利技术的进一步改进，进一步包括在所述薄膜封装层的顶部形成像素定义层，所述量子点形成在所述像素定义层内。作为本专利技术的进一步改进，进一步包括在所述量子点的顶侧形成覆盖所述量子点及像素定义层的绝缘保护层。作为本专利技术的进一步改进，进一步包括在所述绝缘保护层的顶侧形成反射层，并采用黄光和蚀刻工艺处理所述反射层，以形成所述反射阵列。本专利技术的目的还在于提供一种显示面板，其在相邻两个量子点之间设有反射阵列，可防止高分辨率显示面板的光串扰。为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示面板，包括驱动背板、设置在所述驱动背板上的像素阵列、及设置在所述像素阵列的外侧并完全覆盖所述像素阵列的薄膜封装层，所述显示面板还包括设置在所述薄膜封装层的顶部的量子点、及设置在相邻两个量子点之间以避免所述像素阵列之间的光串扰的反射阵列。作为本专利技术的进一步改进，所述薄膜封装层的顶部设有像素定义层，所述量子点设置在所述像素定义层内。作为本专利技术的进一步改进，所述显示面板进一步包括设置在所述量子点的顶侧并覆盖所述量子点及像素定义层的绝缘保护层。作为本专利技术的进一步改进，所述反射阵列设置在所述绝缘保护层的外侧，所述反射阵列的厚度大于所述量子点的厚度，并在顶部及底部均超出所述量子点。作为本专利技术的进一步改进，所述显示面板进一步包括玻璃盖板，所述玻璃盖板完全覆盖所述反射阵列及所述绝缘保护层。本专利技术的有益效果是：本专利技术显示面板的制造方法通过在相邻两个量子点之间形成反射阵列，从而可防止高分辨率显示面板的光串扰，进一步采用黄光、刻蚀工艺实现高像素的显示面板图形化，突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示。附图说明图1是符合本专利技术显示面板的驱动背板和发光基板键合前的示意图。图2是图1所示的显示面板的驱动背板和发光基板键合后的示意图。图3是移除图2中发光基板的衬底的示意图。图4是在图3所示的显示面板上形成光阻层的示意图。图5是在图4所示的显示面板上形成发光阵列及相应排布金属键合阵列的示意图。图6是在图5所示的显示面板的发光阵列相应的金属键合阵列上形成绝缘层的示意图。图7是在图6所示的显示面板的绝缘层上形成开口的示意图。图8是在图7所示的显示面板的绝缘层上形成金属层的示意图。图9是在图8所示的显示面板上形成薄膜封装层的示意图。图10是在图9所示的显示面板的薄膜封装层的顶部形成像素定义层的示意图。图11是在图10所示的显示面板的像素定义层内形成量子点的示意图。图12是在图11所示的显示面板的量子点的顶侧形成绝缘保护层和反射层的示意图。图13是将图12所示的显示面板的反射层形成反射阵列的示意图。图14是在图13所示的显示面板的反射阵列及绝缘保护层的顶侧封装玻璃盖板的示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。请参阅图1-14，本申请提供了一种显示面板100的制造方法，如下方法步骤是所述显示面板100的制造方法的一种优选实施方式，在该实施方式中，所述显示面板100的制造方法主要包括如下步骤：提供驱动背板10和发光基板20。其中，所述驱动背板10包括驱动电路阵列101，在所述驱动背板10上设置有第一键合金属层31，所述发光基板20上设置有第二键合金属层32。具体地，本申请所用发光基板20基于微型发光二极管(MicroLightEmittingDiode，Micro-LED)技术，其选用多量子阱(MultipleQuantumWell，MQW)结构发光，具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点。将所述驱动背板10的第一键合金属层31与所述发光基板20的第二键合金属层32进行金属键合，形成金属键合层30。其中，所述第一键合金属层31与所述第二键合金属层32的厚度相同或不同，键合后形成的金属键合层30的厚度可以是所述第一键合金属层31或第二键合金属层32其中之一的厚度的两倍或三倍。本专利技术选用金属键合的方式连接所述驱动背板10和所述发光基板20，相较现有的先做好Micro-LED器件再转移至驱动背板上的技术，避免了批量转移中的对位精度等问题。图形化所述发光基板20和所述金属键合层30，以形成需要的像素阵列210，及与所述像素阵列210对应的金属键合阵列301，所述金属键合阵列301可作为阳极。其中，可利用黄光和蚀刻工艺图形化所述发光基板20和所述金属键合层30，以形成需要的像素阵列210和金属键合阵列301。相较现有的利用掩膜板采用蒸镀工艺实现OLED图形化的方案，本申请能够做到更小尺寸的像素，在显示面板尺寸相同的情况下，能够提高像素密度(PixelsPerInch，PPI)。在所述像素阵列210的外侧形成薄膜封装层60，所述薄膜封装层60完全覆盖所述像素阵列210。所述薄膜封装层60的顶部对应像素阵列210的至少部分位置形成量子点50，从而形成多色显示。所述量子点50形成在像素定义层61内，从而形成多色显示。具体地，可先在所述薄膜封装层60的顶部形成像素定义层61，接着将所述量子点50形成在所述像素定义层60内。所述发光基板20发出的光经过所述量子点50后发出不同颜色的光，从而实现多色显示。具体地，该实施方式的量子点50包括可发出红光R的红色量子点51，及可发出绿光G的绿色量子点52，所述发光基板20可直接发出蓝光B，从而，所制得的显示面板100具有RGB三色显示。在相邻两个量子点50之间形成反射阵列71，以避免所述像素阵列210之间的光串扰。具体地，先在所述量子点50的顶侧形成覆盖所述量子点50及像素定义层61的绝缘保护层53。进一步在所述绝缘保护层53的顶侧形成反射层70，并采用黄光和蚀刻工艺处理所述反射层70，以形成所述反射阵列71。下面对本申请的所述显示面板100的制造方法及结构进行详细描述。请参阅图1，所述驱动背板10上设置有对应像素阵列210的驱动电路阵列101，用于与相应的所述像素阵列210电连接，以为所述像素阵列210提供驱动电压，进而控制所述像素阵列210的发光。所述驱动背板10可以是柔性背板或者是刚性背板，在此不做限定。所述驱动背板10上形成有第一键合金属层31。其中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，主要包括如下步骤：提供驱动背板和发光基板，将所述驱动背板与所述发光基板进行金属键合；图形化所述发光基板，形成像素阵列；在所述像素阵列的外侧形成薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述像素阵列；在所述薄膜封装层的顶部形成量子点，以形成多色显示；在相邻两个量子点之间形成反射阵列，以避免所述像素阵列之间的光串扰。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，主要包括如下步骤：提供驱动背板和发光基板，将所述驱动背板与所述发光基板进行金属键合；图形化所述发光基板，形成像素阵列；在所述像素阵列的外侧形成薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述像素阵列；在所述薄膜封装层的顶部形成量子点，以形成多色显示；在相邻两个量子点之间形成反射阵列，以避免所述像素阵列之间的光串扰。2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述像素阵列采用黄光和蚀刻工艺形成。3.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于：进一步包括在所述薄膜封装层的顶部形成像素定义层，所述量子点形成在所述像素定义层内。4.根据权利要求3所述的显示面板的制造方法，其特征在于：进一步包括在所述量子点的顶侧形成覆盖所述量子点及像素定义层的绝缘保护层。5.根据权利要求4所述的显示面板的制造方法，其特征在于：进一步包括在所述绝缘保护层的顶侧形成反射层，并采用黄光和蚀刻工艺处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜晓松，杨小龙，周文斌，张峰，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山梦显电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32