显示装置及其制备方法制造方法及图纸

本申请公开了一种显示装置，包括像素阵列，以及耦合到所述像素阵列的扫描线和数据线；所述像素阵列至少包括依次堆叠的衬底层、金属遮光层、钝化层、有源层、介质层、以及控制电极层，其中所述控制电极层与所述扫描线耦合；其中，所述金属遮光层包括多个部分，第一部分基本位于所述有源区下方，第二部分位于所述有源区下方以外的区域，其中所述金属遮光层的第一部分和第二部分彼此电隔离；所述数据线与所述金属遮光层第二部分至少部分彼此重叠，并且所述扫描线与所述金属遮光层第二部分通过扫描线接触孔彼此电连接。本申请还提供了制备这种显示装置的方法。

Display device and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制备方法
本申请属于信息显示领域，尤其涉及一种TFT显示装置和制备这种显示装置的方法。
技术介绍
目前，显示屏的发展趋势是更大规模和更高的显示精度，例如98寸或110寸的显示屏，其显示精度可以达到16K或32K。但是，这样的发展趋势会导致显示屏的扫描线与数据线的数量成倍增加，二者的交叉点数量也就倍增，从而导致数据线的寄生电容增大，RC延迟大幅提高，充电时间成倍减小，从而导致数据信号无法准确的被传入相应的像素。与传统的a-SiTFT相比，IGZOTFT具有高迁移率的优势，适用于驱动大尺寸、高PPI的显示屏。与LTPSTFT相比，IGZOTFT不需要高成本的激光退火和离子注入，成本低；IGZOTFT的非晶结构具有更好的短程均匀性；IGZOTFT更适合大尺寸面板；IGZOTFT制作工艺简单，光罩数目少。因此，IGZOTFT是驱动超大尺寸且超高解析度面板的最佳选择。
技术实现思路
本申请针对上述问题，本申请提供了一种显示装置，包括像素阵列，以及耦合到所述像素阵列的扫描线和数据线；所述像素阵列至少包括依次堆叠的衬底层、金属遮光层、钝化层、有源层、介质层、以及控制电极层，其中所述控制电极层与所述扫描线耦合；其中，所述金属遮光层包括多个部分，第一部分基本位于所述有源区下方，第二部分位于所述有源区下方以外的区域，其中所述金属遮光层的第一部分和第二部分彼此电隔离；所述数据线与所述金属遮光层第二部分至少部分重叠，并且所述扫描线与所述金属遮光层第二部分通过扫描线接触孔彼此电连接。特别的，所述金属遮光层第二部分中未与所述扫描线重叠的区域的宽度至少为1微米。特别的，所述扫描线接触孔相对于所述像素阵列中的像素周期性分布。特别的，越靠近所述像素阵列中心所述扫描线接触孔分布的密度越高。特别的，所述显示装置还包括公共电极线，其中所述金属遮光层还包括第三部分，其位于所述公共电极线下方并通过公共电极线接触孔彼此相连，且所述金属遮光层的第三部分与金属遮光层的第一和第二部分电隔离。本申请还提供了一种制备显示装置的方法，包括在衬底上形成金属遮光层，并对所述金属遮光层进行图形化使其至少形成彼此电隔离的第一部分和第二部分；在所述金属遮光层上形成钝化层，并且在所述金属遮光层的第一部分上方的钝化层上形成有源层；在所述有源层和所述钝化层上形成介质层，并对所述金属遮光层的第二部分上方的介质层和钝化层进行图形化，以形成暴露所述金属遮光层第二部分的扫描线接触孔，对所述有源层上方的介质层进行图形化，形成暴露出所述有源层的第一和第二电极接触孔；在所述金属遮光层第一部分上方位于所述第一和第二电极接触孔之间的介质层上以及在所述扫描线接触孔中形成控制电极层；在所述控制电极两侧形成的所述电极接触孔中形成与所述有源层接触的第一和第二电极层；以及将所述控制电极层与扫描线相连，将所述第一和第二电极层与数据线相连。特别的，对所述金属遮光层进行图形化还包括形成与金属遮光层第一和第二部分电隔离的第三部分；在形成所述扫描线接触孔的同时在所述金属遮光层第三部分的上方形成暴露所述金属遮光层第三部分的公共电极线接触孔，并使得所述金属遮光层第三部分与公共电极线相连。本申请还提供了一种制备显示装置的方法，包括在衬底上形成金属遮光层，并对所述金属遮光层进行图形化使其至少形成彼此电隔离的第一部分和第二部分；在所述金属遮光层上形成钝化层，并且在所述金属遮光层的第一部分上方的钝化层上形成有源层，并对所述金属遮光层的第二部分上方的钝化层进行图形化以形成暴露所述金属遮光层第二部分的扫描线接触孔；在所述有源层和所述钝化层上形成介质层，对所述有源层上方的介质层进行图形化，形成暴露出所述有源层的第一和第二电极接触孔，对所述扫描线接触孔中的介质层图形化，从而使得所述金属遮光层第二部分仍然通过所述扫描线接触孔暴露；在所述金属遮光层第一部分上方位于所述第一和第二电极接触孔之间的介质层上以及在所述扫描线接触孔中形成控制电极层；在所述控制电极两侧形成的所述电极接触孔中形成与所述有源层接触的第一和第二电极层；以及将所述控制电极层与扫描线相连，将所述第一和第二电极层与数据线相连。特别的，对所述金属遮光层进行图形化还包括形成与金属遮光层第一和第二部分电隔离的第三部分；在形成所述扫描线接触孔的同时在所述金属遮光层第三部分的上方形成暴露所述金属遮光层第三部分的公共电极线接触孔，并使得所述金属遮光层第三部分与公共电极线相连。采用本申请提供的方案，通过增加简单的工艺步骤的调整，对顶栅TFT工艺中的金属遮光层加以充分的利用，赋予其遮光以外的降低数据线寄生电容的作用，允许扫描线尺寸的缩小但不会增大扫描线的阻抗，降低了数据线的RC延迟。附图说明参考附图示出并阐明实施例。这些附图用于阐明基本原理，从而仅仅示出了对于理解基本原理必要的方面。这些附图不是按比例的。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。图1所示为根据本申请一个实施例的TFT显示屏局部结构的示意性剖面图；图2所示为根据本申请一个实施例的TFT显示屏局部的示意性版图；图3所示为根据本申请一个实施例的TFT显示屏局部的层间电容示意图；图4(a)-(h)所示为根据本申请一个实施例制备上述TFT显示屏的部分工艺状态流程图；以及图5(a)-(h)所示为根据本申请另一个实施例制备上述TFT显示屏的部分工艺状态流程图；以及图6为依据本申请实施例的TFT显示设备的电路示意图。具体实施方式在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本申请一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本申请的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本申请的所有实施例。可以理解，在不偏离本申请的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本申请的范围由所附的权利要求所限定。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。对于附图中的各单元之间的连线，仅仅是为了便于说明，其表示至少连线两端的单元是相互通信的，并非旨在限制未连线的单元之间无法通信。在以下的详细描述中，可以参看作为本申请一部分用来说明本申请的特定实施例的各个说明书附图。在附图中，相似的附图标记在不同图式中描述大体上类似的组件。本申请的各个特定实施例在以下进行了足够详细的描述，使得具备本领域相关知识和技术的普通技术人员能够实施本申请的技术方案。应当理解，还可以利用其它实施例或者对本申请的实施例进行结构、逻辑或者电性的改变。如前所述，由于显示屏尺寸的增加和解析度的提高，导致数据线和扫描线交叉点数量的增加，从而导致像素阵列电容增大。为了减少数据线的寄生电容，一种方法是减小扫描线或数据线的宽度、增加其厚度的方法，但是这样会导致电阻的增加，这样做有可能反而导致RC延迟的升高。例如当作为数据线的金属线宽为4微米左右，厚度超过8000埃时，容易造成金字塔状结构，无法达到低电阻的需求，并且会有突出的数据线断线问题。本申请提供的方法是在不影响电阻的前提下减小数据线寄生电容的方法。顶栅结构的IGZOTFT寄生电容小，与BCE结构的TFT相比，更适合驱动高解析度的大尺寸面板。更重要的是，顶栅TFT为了遮挡背光对I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括像素阵列，以及耦合到所述像素阵列的扫描线和数据线；所述像素阵列至少包括依次堆叠的衬底层、金属遮光层、钝化层、有源层、介质层、以及控制电极层，其中所述控制电极层与所述扫描线耦合；其中，所述金属遮光层包括多个部分，第一部分基本位于所述有源区下方，第二部分位于所述有源区下方以外的区域，其中所述金属遮光层的第一部分和第二部分彼此电隔离；所述数据线与所述金属遮光层第二部分至少部分重叠，并且所述扫描线与所述金属遮光层第二部分通过扫描线接触孔彼此电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括像素阵列，以及耦合到所述像素阵列的扫描线和数据线；所述像素阵列至少包括依次堆叠的衬底层、金属遮光层、钝化层、有源层、介质层、以及控制电极层，其中所述控制电极层与所述扫描线耦合；其中，所述金属遮光层包括多个部分，第一部分基本位于所述有源区下方，第二部分位于所述有源区下方以外的区域，其中所述金属遮光层的第一部分和第二部分彼此电隔离；所述数据线与所述金属遮光层第二部分至少部分重叠，并且所述扫描线与所述金属遮光层第二部分通过扫描线接触孔彼此电连接。2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述金属遮光层第二部分中未与所述扫描线重叠的区域的宽度至少为1微米。3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述扫描线接触孔相对于所述像素阵列中的像素周期性分布。4.如权利要求1或3所述的显示装置，其中越靠近所述像素阵列中心所述扫描线接触孔分布的密度越高。5.如权利要求1所述的显示装置，还包括公共电极线，其中所述金属遮光层还包括第三部分，其位于所述公共电极线下方并通过公共电极线接触孔彼此相连，且所述金属遮光层的第三部分与金属遮光层的第一和第二部分电隔离。6.一种制备显示装置的方法，包括在衬底上形成金属遮光层，并对所述金属遮光层进行图形化使其至少形成彼此电隔离的第一部分和第二部分；在所述金属遮光层上形成钝化层，并且在所述金属遮光层的第一部分上方的钝化层上形成有源层；在所述有源层和所述钝化层上形成介质层，并对所述金属遮光层的第二部分上方的介质层和钝化层进行图形化，以形成暴露所述金属遮光层第二部分的扫描线接触孔，对所述有源层上方的介质层进行图形化，形成暴露出所述有源层的第一和第二电极接触孔；在所述金属遮光层第一部分上方位于所述第一和第二电极接触孔之间的介质层上以及在所述扫描线接触孔中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，马群刚，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44