显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括衬底，包括显示区域；信号走线层，设置于所述衬底上，所述信号走线层的边缘与所述显示区域的边缘贴合；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述信号走线层，且所述绝缘层的边缘与所述显示区域的边缘贴合；发光层，设置于所述信号走线层上，所述发光层包括多个间隔排布的有机发光器件；过孔，所述过孔由所述有机发光器件的阴极层，贯穿所述有机发光器件与所述绝缘层，并延伸至所述信号走线层的表面。有益效果：本申请通过将信号走线层设置于显示区域的中下方，并通过过孔将该显示区的阴极层与该信号走线层连接，以达到边框区域无走线的设计，进而实现显示面板窄边框化的设计。

Display panel, its preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着市场的多样化和面板技术的不断提升，人们对显示面板特别是手机屏的要求越来越高，其中外形美观是很重要的一点，窄边框甚至无边框是发展趋势。OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)显示屏包括显示区域以及位于该显示区域一侧的边框区域，在边框区域内设有信号线，显示区域中有机发光器件的阴极金属层与信号线相连，形成搭接面从而进行信号传输。该搭接面占用了边框区域较大位置，使得该显示面板边框区域过宽，影响显示面板的美观。综上所述，现有技术的显示面板存在边框区域过宽的问题。
技术实现思路
本申请提供一种显示面板及其制备方法，能有效解决现有技术的显示面板存在边框区域过宽的问题。本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括：衬底，包括显示区域；信号走线层，设置于所述衬底上，所述信号走线层的边缘与所述显示区域的边缘贴合；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述信号走线层，且所述绝缘层的边缘与所述信号走线层的边缘贴合；发光层，设置于所述绝缘层上，所述发光层包括多个间隔排布的有机发光器件；过孔，所述过孔由所述有机发光器件的阴极层，贯穿所述有机发光器件与所述绝缘层，并延伸至所述信号走线层的表面。在本申请所提供的显示面板中，所述过孔的横截面形状包括矩形、半圆形和梯形中的一种，所述过孔的最大宽度小于或等于150微米。在本申请所提供的显示面板中，所述有机发光器件还包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层，所述阴极层设置于所述电子注入层的上方。在本申请所提供的显示面板中，所述绝缘层由无机绝缘材料制成，所述无机绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅的一种或多种组合。在本申请所提供的显示面板中，所述过孔由导电材料填充，所述有机发光器件与所述信号走线层通过所述导电材料电连接。在本申请所提供的显示面板中，所述导电材料包括银、铜或者低温多晶硅的一种或多种组合。在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括覆盖所述发光层的封装膜层，所述封装膜层的边缘与所述显示区域的边缘贴合。本申请还提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括显示区域；在所述衬底上形成信号走线层，所述信号走线层的边缘与所述显示区域的边缘贴合；在所述信号走线层上形成绝缘层，所述绝缘层的长度延伸至所述边框区域与所述显示区域的边界；在所述绝缘层上形成发光层，所述发光层包括多个间隔排布的有机发光器件；对形成有所述发光层的所述显示面板进行蚀刻并形成过孔，所述过孔由所述有机发光器件的阴极层，贯穿所述有机发光器件与所述绝缘层，并延伸至所述信号走线层的表面。在本申请所提供的显示面板的制备方法中，所述对形成有所述发光层的所述显示面板进行蚀刻并形成过孔之后，还包括：在所述过孔中填充导电材料。本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述所述的显示面板。有益效果：本申请通过将信号走线层设置于显示区域的中下方，并通过过孔将该显示区的阴极层与该信号走线层连接，以达到边框区域无走线的设计，进而实现显示面板窄边框化的设计。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。图2为本申请实施例所提供的过孔的结构示意图。图3为本申请实施例的显示面板的另一种结构示意图。图4为本申请实施例的显示面板的制备方法的流程示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参见图1，该图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图，在该图1中，所述显示面板1包括：衬底11，包括显示区域110；信号走线层12，设置于所述衬底11上，所述信号走线层12的边缘与所述显示区域110的边缘贴合；绝缘层13，所述绝缘层13覆盖所述信号走线层12，且所述绝缘层13的边缘与所述信号走线层12的边缘贴合；发光层14，设置于所述绝缘层13上，所述发光层14包括多个间隔排布的有机发光器件141；过孔15，所述过孔15由所述有机发光器件141的阴极层1411，贯穿所述有机发光器件141与所述绝缘层13，并延伸至所述信号走线层12的表面。需要说明的是，衬底11可以是有机固体、无机固体或者是有机固体与无机固体的组合。衬底11可以是刚性或柔性的，并且可以被加工为分立的单个部件(如片或晶圆)或者被加工为连续的卷(roll)。典型的衬底材料包括玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、氧化物半导体、氮化物半导体、硫化物半导体、碳或这些材料的组合，或者普遍被用于形成可以是无源矩阵器件或有源矩阵器件的OLED器件的任何其它材料。衬底11可以是材料的均匀混合物、材料的复合物或多层材料。衬底11可以是OLED基板，即普遍地用于制备OLED器件的基板，例如有源矩阵低温多晶硅或非晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)基板。进一步的，请参见图2，该图2为本申请实施例所提供的过孔的结构示意图，所述过孔15的横截面形状包括矩形、半圆形和梯形中的一种，所述过孔的最大宽度小于或等于150微米，需要说明的是，当所述过孔为正梯形或者倒梯形时，所述过孔的最大宽度即该梯形中上底或者下底中的最大长度。进一步的，所述有机发光器件141还包括层叠设置的空穴注入层(HoleInjectLayer，HIL)、空穴传输层(HoleTransportLayer，HTL)、有机发光层(EmittingMaterialLayer，EML)、电子传输层(ElectronTransportLayer，EHL)及电子注入层(ElectronInjectLayer，EIL)(图中未示出)，所述阴极层1411设置于所述电子注入层的上方。进一步的，所述绝缘层13由无机绝缘材料制成，所述无机绝缘材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者氮氧化硅(SiONx)的一种或多种组合。除此之外，该绝缘层13的材料包括低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)或氮化硅(SiNx)的组合。需要说明的是，对液晶显示器来说，采用多晶硅液晶材料使得薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低。在一些实施例中，请参见图1，所述显示面板1还包括阵列基底17，该阵列基底17由像素单元阵列组成，包括薄膜晶体管、存储电容器和像素电极(图中未示出)，需要说明的是，该阵列基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底，包括显示区域；信号走线层，设置于所述衬底上，所述信号走线层的边缘与所述显示区域的边缘贴合；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述信号走线层，且所述绝缘层的边缘与所述信号走线层的边缘贴合；发光层，设置于所述绝缘层上，所述发光层包括多个间隔排布的有机发光器件；过孔，所述过孔由所述有机发光器件的阴极层，贯穿所述有机发光器件与所述绝缘层，并延伸至所述信号走线层的表面。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底，包括显示区域；信号走线层，设置于所述衬底上，所述信号走线层的边缘与所述显示区域的边缘贴合；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述信号走线层，且所述绝缘层的边缘与所述信号走线层的边缘贴合；发光层，设置于所述绝缘层上，所述发光层包括多个间隔排布的有机发光器件；过孔，所述过孔由所述有机发光器件的阴极层，贯穿所述有机发光器件与所述绝缘层，并延伸至所述信号走线层的表面。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述过孔的横截面形状包括矩形、半圆形和梯形中的一种，所述过孔的最大宽度小于或等于150微米。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光器件还包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层，所述阴极层设置于所述电子注入层的上方。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层由无机绝缘材料制成，所述无机绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅的一种或多种组合。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述过孔由导电材料填充，所述有机发光器件与所述信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42