底边驱动的短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种底边驱动的短路保护电路，该电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。所述三极管Q1为NPN型三极管。所述三极管Q2为NPN型三极管。所述三极管Q3为PNP型三极管。所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管或NPN型三极管代替。

Short Circuit Protection Circuit Driven by Bottom Side

【技术实现步骤摘要】
底边驱动的短路保护电路
：本技术涉及汽车控制电路，特别涉及一种底边驱动的短路保护电路。
技术介绍
：当前，随着汽车对安全性要求越来越高，对各种保护电路功能要求越来越多。传统的底边驱动负载的电路，短路保护功能电路多采用运放搭建，或采用自带短路保护功能的驱动芯片，诸如市场使用的VN7040驱动芯片，其工作电压范围窄DC:4—28V，驱动电流小、价格高。这些驱动芯片功耗大、成本高、电路复杂。
技术实现思路
：鉴于上述技术问题，本技术提供了一种底边驱动的短路保护电路。该电路采用市场常规元器件，成本低，驱动能力可根据MOS管(或三极管)Q4的选择设定，可满足不同功率负载的驱动，驱动范围大。本技术的具体技术方案如下：底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。上述方案中，所述三极管Q1为NPN型三极管。上述方案中，所述三极管Q2为NPN型三极管。上述方案中，所述三极管Q3为PNP型三极管。上述方案中，所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管。上述方案中，所述MOS管Q4还可以用NPN型三极管代替。本技术所述电路的有益效果如下：1.控制信号开启驱动短路保护电路。2.正常工作保护短路不会误动作。3.短路保护。附图说明：以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本技术。图1为本技术所述采用MOS管的底边驱动的短路保护电路结构图。图2为本技术所述采用三极管的底边驱动的短路保护电路结构图。具体实施方式：为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。如图1和图2所示，本技术所述的底边驱动的短路保护电路，包括连接电源正极的负载、三极管Q1(NPN型)、三极管Q2(NPN型)、三极管Q3(PNP型)和MOS管Q4(N沟道MOSFET管或NPN型三极管)；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。这种电路根据实际运用环境对电路中包含的阻抗、电容、负载选择所需要的规格元器件，此处主要强调电路结构，元器件的详细规格不在此赘述。根据本技术所述电路的结构，其在具体运行时的电路原理为：1：控制电路提供的控制信号分成两路，一路经R1、R2的分压给三极管或MOS管，使三极管或MOS管开通负载工作，一路经R3到短路保护电路。2：由于C1比C2电容的容量大，使Q1开通时间延后于驱动负载的Q4开通时间，等到Q1延时时间达到并开启时，因Q4比Q1提前开通，此时Q4两端的电压很低，(＜0.5V)，使得Q3没有电流流过，Q2没有驱动电流不导通，保证正常工作时短路保护电路不启动，电路能正常工作。3：负载发生短路时，Q4两端电压为电源电压，使得Q3导通，驱动Q2导通将Q4的控制信号拉低(＜0.3V)，使Q4关断，起到短路保护作用。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。

【技术特征摘要】
1.底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茂，
申请(专利权)人：上海逸航汽车零部件有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31