阵列基板、显示装置及其显示方法制造方法及图纸

一种阵列基板、显示装置及其显示方法。该阵列基板包括：衬底基板、多个像素单元、反射层以及介电弹性体。多个像素单元位于衬底基板上，多个像素单元的至少之一包括反射层；介电弹性体位于反射层靠近衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近反射层一侧表面的不平坦度，从而改变反射层的不平坦度。该阵列基板可根据环境光照强度而调节自身的反射率，从而优化显示效果。

Array Substrate, Display Device and Display Method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示装置及其显示方法
本公开的实施例涉及一种阵列基板、显示装置及其显示方法。
技术介绍
液晶显示器一般由上基板和下基板对盒形成，两个基板之间的空间中封装有液晶。由于液晶分子本身不发光，所以显示器需要光源以便显示图像。根据采用的光源类型，液晶显示器可分为透射式、反射式和半透半反式。透射式液晶显示器使用背光作为光源，由背光发出的光线经过透明电极及液晶层而显示图像，其可以在暗环境下显示图像。反射式液晶显示器使用外界环境光作为光源，外界环境光射入显示屏后经过反射而显示图像，因此其在暗环境下不能显示图像。半透半反式液晶显示器兼具透射式和反射式液晶显示器的特点，在面板内同时设置透射区和反射区，既可以在亮环境使用，也可以在暗环境使用。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及其显示方法。该阵列基板可根据环境光照强度而调节自身的反射率，从而优化显示效果。本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；多个像素单元，位于所述衬底基板上，所述多个像素单元的至少之一包括反射层；以及介电弹性体，位于所述反射层靠近所述衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近所述反射层一侧表面的不平坦度，从而改变所述反射层的不平坦度。在一些示例中，所述反射层共形地形成在所述介电弹性体上。在一些示例中，所述多个像素单元的至少之一还包括位于所述反射层之外的透射区。在一些示例中，所述阵列基板还包括控制线，与所述介电弹性体电连接，被配置为向所述介电弹性体施加电压。在一些示例中，所述介电弹性体包括多个按矩阵排列的介电弹性体块，每个介电弹性体块位于至少一个像素单元所在的区域内，所述控制线包括多条控制线，每个所述介电弹性体块连接至少一条所述控制线。在一些示例中，所述介电弹性体在对应于所述透射区的区域开设有透光区。在一些示例中，所述介电弹性体包括层叠设置的导电层和介电弹性材料层，所述导电层与所述控制线电连接，被配置为向所述介电弹性材料层施加电压，所述介电弹性材料层被配置为根据所述导电层施加的电压而改变远离所述衬底基板的一侧的不平坦度。在一些示例中，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别位于所述介电弹性材料层在垂直于所述衬底基板的方向上的两侧，所述第一导电层与所述第二导电层之一与所述控制线电连接，另一个被配置为施加公共电压。在一些示例中，所述改变靠近反射层一侧表面的不平坦度包括形成凸起或改变所述凸起的高度。在一些示例中，所述反射层为彩色反射层。在一些示例中，所述介电弹性体与所述反射层彼此绝缘。本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。在一些示例中，所述显示装置还包括控制器以及感光元件，所述控制器分别与所述感光元件和所述介电弹性体电连接，所述感光元件配置为检测环境光照强度并向所述控制器提供光照强度信号，所述控制器根据所述光照强度信号向所述介电弹性体施加相应的电压。本公开至少一个实施例提供一种显示装置的显示方法，包括：检测环境光照强度；根据所述光照强度，向所述介电弹性体施加相应的电压，改变所述介电弹性体靠近所述反射层一侧的不平坦度，从而改变所述反射层的反射率。在一些示例中，所述多个像素单元的至少之一包括透射区，所述显示装置还包括背光单元，根据所述光照强度，向所述介电弹性体施加相应的电压包括：当所述光照强度小于第一预设光照强度时，开启所述背光单元，并停止向所述介电弹性体施加电压；当所述光照强度大于或等于第一预设光照强度，并且小于第二预设光照强度时，向所述介电弹性体施加第一电压值范围的电压以使所述介电弹性体的表面不平坦度大于预定不平坦度；当所述光照强度大于或等于第二预设光照强度时，向所述介电弹性体施加第二电压值范围的电压，以使所述介电弹性体的表面不平坦度小于所述预定不平坦度；所述第二预设光照强度大于所述第一预设光照强度，所述第一电压值范围中的电压值大于所述第二电压值范围中的电压值。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。图1为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的结构示意图；图2为图1所示的阵列基板的沿A-A’线的剖视结构示意图；图3为根据本公开至少一个实施例的又一阵列基板的结构示意图；图4为图3所示的阵列基板的沿B-B’线的剖视结构示意图；图5为根据本公开至少一个实施例的又一阵列基板的结构示意图；图6为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的介电弹性体的分块设计示意图；图7为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体块的结构示意图；图8为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体的凸起示意图；图9为根据本公开至少一个实施例的一种彩色反射层图案；图10为根据本公开至少一个实施例的一种显示面板的结构示意图；图11为根据本公开至少一个实施例的显示装置的分块控制示意图；图12A为根据本公开至少一个实施例的在介电弹性体未施加电压时介电弹性体和反射层的结构示意图；图12B为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体被施加第一电压值范围的电压时介电弹性体和反射层的结构示意图；图12C为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体被施加第二电压值范围的电压时介电弹性体和反射层的凸起示意图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。半透半反式液晶显示器的技术原理是在反射金属内设置透射区域，将每个像素分为透射部分与反射部分，并引入背光源，实现半透半反的技术效果。在亮环境时，利用反射部分的反射金属来反射环境光线以进行显示；在暗环境时，使用透射光模式，利用背光源的光线来进行显示。但是半透半反式液晶显示器也存在一些问题，例如，由于存在透射区域，反射区域的面积相应地会减少，从而其在亮环境下的反射率降低；如果增大反射区域的面积，则会减少透射区域的面积，从而其在暗环境下的透过率也会降低。本公开的实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及其显示方法。该阵列基板可在不减小透射面积的情况下提高反射率，并且可以根据环境光照强度调节自身的反射率大小，从而优化显示效果。下面结合附图对本公开的实施例进行详细说明。需要说明的是，不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；多个像素单元，位于所述衬底基板上，所述多个像素单元的至少之一包括反射层；以及介电弹性体，位于所述反射层靠近所述衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近所述反射层一侧表面的不平坦度，从而改变所述反射层的不平坦度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；多个像素单元，位于所述衬底基板上，所述多个像素单元的至少之一包括反射层；以及介电弹性体，位于所述反射层靠近所述衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近所述反射层一侧表面的不平坦度，从而改变所述反射层的不平坦度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射层共形地形成在所述介电弹性体上。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述多个像素单元的至少之一还包括位于所述反射层之外的透射区。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括控制线，与所述介电弹性体电连接，被配置为向所述介电弹性体施加电压。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体包括多个矩阵排列的介电弹性体块，每个介电弹性体块位于至少一个像素单元所在的区域内，所述控制线包括多条控制线，每个所述介电弹性体块连接至少一条所述控制线。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体在对应于所述透射区的区域开设有透光区。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体包括层叠设置的导电层和介电弹性材料层，所述导电层与所述控制线电连接，被配置为向所述介电弹性材料层施加电压，所述介电弹性材料层被配置为根据所述导电层施加的电压而改变远离所述衬底基板的一侧的不平坦度。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别位于所述介电弹性材料层的在垂直于所述衬底基板的方向上的两侧，所述第一导电层与所述第二导电层之一与所述控制线电连接，另一个被配置为施加公共电压。9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述改变靠近反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟雄，张乐，刘汉青，李鑫，宋勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11