单纳米丝器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种单纳米丝器件的制备方法，包括步骤：将纳米丝束放置于无水乙醇中，得到混有纳米丝束的无水乙醇；超声处理无水乙醇，得到混有散状纳米丝束的乙醇溶液；将该乙醇溶液滴于载体表面；在载体表面覆盖掩模板；对载体覆盖有掩模板的一面进行磁控溅射处理，在载体表面形成金属层；取下掩模板，得到单纳米丝器件。本发明专利技术的有益效果在于：通过利用掩模板结合磁控溅射的方法将纳米丝固定得到微/纳米丝器件，避免了复杂的光刻过程，也避免了纳米丝在FIB蒸镀电极过程中受到污染，本微/纳米丝器件的制备方法简便，制成的微/纳米丝器件稳定可靠，可直接应用于相应的气敏测试、光电测试等，极大地方便了对微/纳米丝物理性质的研究工作。

Fabrication of Single Nanowire Devices

【技术实现步骤摘要】
单纳米丝器件的制备方法
本专利技术涉及微/纳米级微器件制备
，尤其是指一种单纳米丝器件的制备方法。
技术介绍
随着信息化的发展，各种小型化设备层出不穷，如微/纳卫星，MEMS系统等，小型化的微/纳器件对于国防领域的发展有着重要的作用。金属微/纳米丝在微/纳电子学、生物技术、太阳能电池、传感器技术、催化技术等领域有广泛的应用，这些应用在航天、航空、军备等国防领域均有着重要意义。具有微小尺寸、高比表面积的金属纳米丝是制备微/纳器件的理想材料。因此，微/纳尺度功能性材料的应用对于国防技术的进步已经是必不可少的一环。微/纳米丝的测量可采用扫描电子显微镜(SEM)的微/纳操作系统可直接将单根纳米丝转移到微电极上。首先利用微/纳探针将单根微/纳米丝转移到微电极一端，然后将微/纳米丝的一端推到微电极的另一端，从而实现单根微/纳米丝的转移，实现微电路的搭建。该操作系统虽然可实现微/纳米丝的推移、剪切及转移，但其结构较为复杂，而微/纳米丝与微电极之间是否实现有效的欧姆接触仍是个挑战。目前，W丝微/纳器件的构建方法主要有两种，其一是基于传统的电子束曝光光刻技术(EBL)；其二是采用聚离子束蒸镀(F本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单纳米丝器件的制备方法，包括：S1、将1质量份的纳米丝束放进至少2质量份的无水乙醇中，得到混有纳米丝束的无水乙醇溶液；S2、超声处理混有纳米丝束的无水乙醇，得到混有散状纳米丝束的乙醇溶液；S3、将混有散状纳米丝束的乙醇溶液滴于载体表面；S4、在载体表面覆盖掩模板；S5、对载体覆盖有掩模板的一面进行磁控溅射处理，在载体表面形成金属层；S6、取下掩模板，得到单纳米丝器件。

【技术特征摘要】
1.一种单纳米丝器件的制备方法，包括：S1、将1质量份的纳米丝束放进至少2质量份的无水乙醇中，得到混有纳米丝束的无水乙醇溶液；S2、超声处理混有纳米丝束的无水乙醇，得到混有散状纳米丝束的乙醇溶液；S3、将混有散状纳米丝束的乙醇溶液滴于载体表面；S4、在载体表面覆盖掩模板；S5、对载体覆盖有掩模板的一面进行磁控溅射处理，在载体表面形成金属层；S6、取下掩模板，得到单纳米丝器件。2.如权利要求1所述的单纳米丝器件的制备方法，其特征在于：在步骤S5之中，所述金属层为Ti金属层，所述Ti金属层的厚度为100-150nm。3.如权利要求2所述的单纳米丝器件的制备方法，其特征在于：在步骤S5之后，还包括对载体覆盖有掩模板的一面进行第二次磁控溅射，在载体表面形成第二金属层的步骤。4.如权利要求3所述的单纳米丝器件的制备方法，其特征在于：所述第二金属层为Au金属层，所述Au金属层的厚度为150-200nm。5.如权利要求4所述的单纳米丝器件的制备方法，其特征在于：在步骤S4之中，所述掩模板为多孔钼网。6.如权利要求4所述的单纳米丝器件的制备方法，其特征在于：在步骤S4之中，所述掩模板为不...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟广志，赵志龙，高建军，刘文斌，马小虎，
申请(专利权)人：深圳市脑潜能实业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44