一种复合材料层修饰电极及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种复合材料层修饰电极的制备方法，包括：提供电极基体和铂盐溶液，采用恒电位沉积法或恒电流沉积法在电极基体表面形成铂纳米花修饰层；提供铱盐溶液，采用循环伏安沉积法或脉冲沉积法在铂纳米花修饰层上沉积颗粒状氧化铱层，形成复合材料层，即可得到复合材料层修饰电极，其中，循环伏安沉积法的扫描速率为20mV/s‑50mV/s，脉冲沉积法的通断比为(5ms‑50ms)：(300ms‑800ms)，以使复合材料层中铱元素含量低于4％；铂纳米花修饰层增加了电极表面积；颗粒状氧化铱层保证整体结构的生物兼容性和稳定性，低含量的铱元素避免了过多和过厚的氧化铱对铂纳米花修饰层的影响，提高整体电化学性能。

A Composite Layer Modified Electrode and Its Preparation Method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种复合材料层修饰电极及其制备方法和应用
本专利技术涉及电极表面修饰
，具体涉及一种复合材料层修饰电极及其制备方法和应用。
技术介绍
神经电极作为一种典型的微型化电化学电容器，用以刺激神经组织或记录神经电信号，广泛应用于人工耳蜗、人造视网膜等生命科学领域。电极的尺寸减小带来了电极阻抗增加、电容降低等性能问题，严重降低了电极的安全刺激效率。目前，在不增加电极几何尺寸的情况下，主要是通过表面修饰的方式增加电极的有效表面积，并改善电极的机械性能和电化学性能。但是，现有的修饰方法得到的镀层无法同时满足低阻抗、高电荷存储能力、高电荷注入能力、生物相容性好且长期稳定的要求。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种复合材料层修饰电极的制备方法，制得的复合材料层修饰电极中铂纳米花修饰层增加了电极基体的表面积，改善其电化学性能，如降低阻抗、增加电荷存储能力和电荷注入能力；颗粒状氧化铱层可以进一步提高性能，并保证整体结构的生物兼容性和稳定性，并且铱元素含量低，避免了过多和过厚的颗粒状氧化铱层对铂纳米花修饰层的影响，整体电化学性能提高。第一方面，本专利技术提供了一种复合材料层修饰电极的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合材料层修饰电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供电极基体和铂盐溶液，采用恒电位沉积法或恒电流沉积法在所述电极基体表面形成铂纳米花修饰层；提供铱盐溶液，采用循环伏安沉积法或脉冲沉积法在所述铂纳米花修饰层上沉积颗粒状氧化铱层，形成复合材料层，即可得到复合材料层修饰电极，其中，所述循环伏安沉积法的扫描速率为20mV/s‑50mV/s，所述脉冲沉积法的通断比为(5ms‑50ms)：(300ms‑800ms)，以使所述复合材料层中铱元素含量低于4％。

【技术特征摘要】
1.一种复合材料层修饰电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供电极基体和铂盐溶液，采用恒电位沉积法或恒电流沉积法在所述电极基体表面形成铂纳米花修饰层；提供铱盐溶液，采用循环伏安沉积法或脉冲沉积法在所述铂纳米花修饰层上沉积颗粒状氧化铱层，形成复合材料层，即可得到复合材料层修饰电极，其中，所述循环伏安沉积法的扫描速率为20mV/s-50mV/s，所述脉冲沉积法的通断比为(5ms-50ms)：(300ms-800ms)，以使所述复合材料层中铱元素含量低于4％。2.如权利要求1所述的复合材料层修饰电极的制备方法，其特征在于，所述循环伏安沉积法的扫描速率为20mV/s-40mV/s，所述脉冲沉积法的通断比为(5ms-35ms)：(400ms-700ms)。3.如权利要求1所述的复合材料层修饰电极的制备方法，其特征在于，所述铱盐溶液中溶质包括氯化铱、氯铱酸、氯铱酸铵和氯铱酸钾中的至少一种，所述铱盐溶液的浓度为0.5mmol/L-10mmol/L。4.如权利要求1所述的复合材料层修饰电极的制备方法，其特征在于，所述铂盐溶液中溶质包括氯化铂、六氯铂酸铵、六氯铂酸钾、六氯铂酸钠、氯铂酸、硝酸铂、硫酸铂、四氯铂酸钾和四氯铂酸铵中的至少一种，所述铂盐溶液的浓度大于30mmol/L。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴天准，曾齐，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44