一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法技术

本发明专利技术公开了一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，它是由如下重量份数的组分组成：基体剂30～35份，助溶剂12～16份，乳浊剂2～5份，密着剂3～5份，宽禁带半导体纳米粉体30～35份，石墨烯0.2～1份，纳米银粉2～4份。本发明专利技术提供的用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法，宽禁带半导体纳米瓷釉，搪烧在食品、制药行业所用反应釜内表面上，由于纳米离子在罐体内产生的负离子微循环气氛，使得反应过程高效、优质、敏捷，达到和超过食品和制药所要求的效果。

A Wide Band-gap Semiconductor Nano-ceramic Glaze for Reactor and Its Enameling Method

【技术实现步骤摘要】
一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法
本专利技术涉及瓷釉材料及制备领域，具体涉及一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法。
技术介绍
反应釜普遍应用于石油化工、橡胶、农药、食品、医药等工业，用来完成化工工艺过程的反应。反应釜内进行化学反应的种类很多，操作条件差异很大，物料的聚集状态也各不一样。反应釜具有如下的特点：操作灵活方便。可以按工艺要求进行间歇式、半间歇式或者连续操作；温度易于控制。正是由于反应釜的以上特性，往往需要耐酸耐碱腐蚀，目前常用的耐酸碱腐蚀方法是在反应釜内表面制备一层瓷釉层，瓷釉(ceramicglaze)又称陶瓷釉，覆盖在陶瓷制品或金属制品表面的无色或有色的玻璃态薄层。目前，食品或药品行业使用的反应釜内表面所覆盖的瓷釉只可以起到耐酸碱腐蚀作用，作用单一低效。为了解决上述问题，亟需专利技术一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法，宽禁带半导体纳米瓷釉，搪烧在食品、制药行业所用反应釜内表面上，由于纳米离子在罐体内产生的负离子微循环气氛，使得反应过程高效、优质、敏捷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉及搪烧方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：它是由如下重量份数的组分组成：基体剂30～35份，助溶剂12～16份，乳浊剂2～5份，密着剂3～5份，宽禁带半导体纳米粉体30～35份，石墨烯0.2～1份，纳米银粉2～4份。

【技术特征摘要】
1.一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：它是由如下重量份数的组分组成：基体剂30～35份，助溶剂12～16份，乳浊剂2～5份，密着剂3～5份，宽禁带半导体纳米粉体30～35份，石墨烯0.2～1份，纳米银粉2～4份。2.根据权利要求1所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述基体剂选自SiO2、TiO2、ZrO2中的任意一种或两种以上；所述助溶剂选自Na2O、K2O、Li2O中的任意一种或两种以上；所述乳浊剂选自SrO2、Sb2O3中的任意一种或两种；所述密着剂选自Co2O3、NiO、CuO中的任意一种或两种以上。3.根据权利要求2所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述SiO2、TiO2、ZrO2均是纳米材料。4.根据权利要求1所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述宽禁带半导体纳米粉体为纳米SiC、纳米GaN中的任意一种或两种。5.根据权利要求1所述的一种用于反应釜的宽禁带半导体纳米瓷釉材料，其特征在于：所述石墨烯为单层石墨烯、双层石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，隋永臣，王惠君，
申请(专利权)人：淄博中升机械有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37