【技术实现步骤摘要】
一种WO3纳米花材料的制备及其在气体传感器中的应用
本专利技术涉及半导体氧化物的气体传感器
,具体涉及一种用白钨精矿合成由纳米片自组装而成的WO3纳米花的方法及其在气体传感器中的应用。
技术介绍
随着我国科学技术的快速发展以及工业化进程的不断加快,特别是在煤炭、石油、化工、汽车以及矿业开采等领域的产品生产及使用过程中,越来越多的易燃易爆或有毒有害气体排放到空气中,造成了严重的环境污染,甚至还可能引发火灾、爆炸等,严重威胁着人类的健康和安全。其中,二氧化氮(NO2)是一种常见的具有刺激性气味的强毒性气体,主要来源于一些化石燃料的高温燃烧以及机动车辆的排放等。它不仅是引起酸雨的主要原因,还可以导致臭氧层变薄、土地酸化、地表水富营养化等一系列的环境问题。同时,NO2还会破坏人的呼吸系统,严重危害人类的健康,在相当低的浓度下就可以损害人体的呼吸系统。因此,为了有效保护环境以及人身安全,亟需开发出一种适用于低浓度检测、选择性好的NO2气体传感器。WO3是一种最为常见且用途十分广泛的金属氧化物功能材料,具有优异的气敏、催化和光电等性能,被广泛应用于气体传感器、催化剂、光 ...
【技术保护点】
1.一种WO3纳米材料,其特征在于,所述WO3纳米材料为六方相晶体结构;所述WO3纳米材料的形貌为纳米片组成的纳米花;所述纳米花的直径为300~420nm、厚度为100~140nm,所述纳米片的长度为170~390nm、宽度为120~140nm、厚度为30~50nm。
【技术特征摘要】
1.一种WO3纳米材料,其特征在于,所述WO3纳米材料为六方相晶体结构;所述WO3纳米材料的形貌为纳米片组成的纳米花;所述纳米花的直径为300~420nm、厚度为100~140nm,所述纳米片的长度为170~390nm、宽度为120~140nm、厚度为30~50nm。2.一种权利要求1所述的WO3纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:①采用氢氧化钠浸出工艺对白钨精矿中的钨进行提取,得到浸出液;所述氢氧化钠溶液的浓度为15~18mol/L,所述浸出液中,W的浓度为50~200g/L;②将步骤①所得浸出液取出加入HCl溶液中,磁力搅拌2~5min后得白色钨酸沉淀;所述HCl溶液的浓度为2~4mol/L;所述浸出液和HCl溶液的体积比为1:2~1:5。③将步骤②所得白色钨酸沉淀离心、洗涤、干燥,得到钨酸产物,随后向所述钨酸产物中加入去离子水,再加入浓度为30%的H2O2,于20~30℃下磁力搅拌10~20min,然后用浓度为2~4mol/L的HCl溶液调混合溶液pH值至1.2~1.8,再将此溶液于20~30℃下磁力搅拌10~20min后,于100~180℃恒温条件下水热反应4~16h,得到白色沉淀产物;所述去离子水的体积(mL)与钨酸产物中钨(W)的质量(g)的用量比为50~120:1;所述钨酸产物中钨(W)与H2O2的质量比为0.8~1.2:1;④将步骤③所得白色沉淀产物水洗...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈岩柏,李停停,卢瑞,赵思凯,李国栋,高淑玲,刘文刚,魏德洲,
申请(专利权)人:东北大学,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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