【技术实现步骤摘要】
一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法
本专利技术涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。
技术介绍
电致变色是指在外加电场作用下材料发生电子与离子的注入和抽出，使其价态和化学组分发生变化，从而使材料在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化的现象。钨基材料是一类重要的半导体材料，因其在电致变色领域的独特性质而备受关注。钨基材料的电致变色性能在很大程度上取决于其纳米结构单元的晶体结构、尺寸和形貌，而目前对于钨基纳米材料的研究主要集中在纳米颗粒、纳米棒、纳米线等方面，对于二维纳米片状钨基材料，特别是液晶态的二维片状钨基材料的研究很少。液晶态的二维钨基纳米片作为一类新型的二维纳米片材料与普通的钨基材料相比具有更大的优势。首先，钨基纳米片具有巨大的比表面积，能够为离子之间提供更多的电接触，增加了电子的传输速率，提高了其电化学活性。其次，钨基纳米片作为一种单晶二维材料，避免了普通钨基材料内部较多的缺陷，电子注入和传输速率更快，从而提高其电致变色性能。最后，钨基纳米片具有超薄的原子级厚度和巨大的各向异性，...
【技术保护点】
1.一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于一种二维钨基纳米片液晶的制备方法是按以下步骤完成的：一、将层状氧化钨铯加入到质子酸中进行质子交换反应，再使用去离子水为清洗剂离心清洗，得到质子交换反应后的层状材料；步骤一中所述的层状氧化钨铯的质量与质子酸的体积比为(0.1g～0.5g):(30mL～80mL)；二、将质子交换反应后的层状材料加入到有机碱中进行插层反应，再使用去离子水为清洗剂离心清洗，得到插层反应后的层状材料；步骤二中所述的质子交换反应后的层状材料的质量与有机碱的体积比为(0.1g～0.5g):(3mL～10mL)；三、将插层反应后的层状材料加入到水中进行机械剥...
【技术特征摘要】
1.一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于一种二维钨基纳米片液晶的制备方法是按以下步骤完成的：一、将层状氧化钨铯加入到质子酸中进行质子交换反应，再使用去离子水为清洗剂离心清洗，得到质子交换反应后的层状材料；步骤一中所述的层状氧化钨铯的质量与质子酸的体积比为(0.1g～0.5g):(30mL～80mL)；二、将质子交换反应后的层状材料加入到有机碱中进行插层反应，再使用去离子水为清洗剂离心清洗，得到插层反应后的层状材料；步骤二中所述的质子交换反应后的层状材料的质量与有机碱的体积比为(0.1g～0.5g):(3mL～10mL)；三、将插层反应后的层状材料加入到水中进行机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶；步骤三中所述的插层反应后的层状材料的质量与水的体积比为(0.8g～1.5g):(300mL～500mL)。2.根据权利要求1所述的一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的层状氧化钨铯的晶粒尺寸为20μm～400μm。3.根据权利要求1所述的一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的质子酸为硫酸、盐酸、磷酸、醋酸或硝酸；质子酸的质量分数为5％～50％。4.根据权利要求1所述的一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的层状氧化钨铯的制备方法如下：将Cs2CO3和WO3混合均匀，再在温度为750℃～1100℃下加热5h～10h，得到层状氧化钨铯；所述的Cs2CO3和WO3的质量比为0.024:0.042。5.根据权利要求1所述的一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于步骤一中质子交换反应的时间为0.5天～5天；步骤一中所述的离心清洗的次数为3次～5次，离心清洗的转速为4000r/min～6000r/min。6.根据权利要求1所述的一种二维钨基纳米片液晶的制备方法，其特征在于步骤二中所述的有机碱为甲胺、乙胺、乙醇胺、乙二胺、丙胺、异丙胺、...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵九蓬，王亚蕾，郑远川，李垚，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。