【技术实现步骤摘要】
一种2D-2D三氧化钨/类石墨相氮化碳异质结构光催化剂的制备和应用
本专利技术属于光催化材料的制备领域,具体涉及一种2D-2DWO3/g-C3N4异质结构光催化剂的制备和应用。
技术介绍
在光催化领域中,石墨相g-C3N4因其是一种窄带隙非金属半导体,带隙约为2.7eV,对可见光有一定的吸收,并且稳定性好、结构和性能易于调控,具有较好的光催化性能,已经引起越来越多科学家的关注。g-C3N4是以3-s三嗪环为结构单元,具有类似石墨的层状结构。其中,C和N原子都是sp2杂化的,并且所有原子的P轨道彼此重叠以形成共轭π键,Np轨道构成g-C3N4的HOMO轨道,Cp轨道构成LUMO轨道。这些性质决定了g-C3N4是一种有潜力的光催化剂。但是,g-C3N4存在光生载流子复合率高的问题,这严重地限制了其广泛推广。因此,众多的科研工作者针对这个不足,提出很多改性和修饰的方法,包括掺杂、有机-无机杂化、半导体复合和敏化等制备方法。其中,半导体复合不仅仅能拓展宽带隙半导体的光吸收范围,还能增强光生载流子的分离和转移效率,是被认为最有效的改性方法。目前,与g-C3N4复合的半导体主 ...
【技术保护点】
1.一种2D‑2D WO3/g‑C3N4异质结构光催化剂的制备方法,其特征在于:以二维层状的g‑C3N4为基体,再采用一步水热的方法引入WO3纳米片,构建2D‑2D结构的WO3/g‑C3N4异质复合光催化剂,其中WO3的质量分数为9‑17 %。
【技术特征摘要】
1.一种2D-2DWO3/g-C3N4异质结构光催化剂的制备方法,其特征在于:以二维层状的g-C3N4为基体,再采用一步水热的方法引入WO3纳米片,构建2D-2D结构的WO3/g-C3N4异质复合光催化剂,其中WO3的质量分数为9-17%。2.根据权利要求1所述的一种2D-2DWO3/g-C3N4异质结构光催化剂的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:步骤一:层状g-C3N4的制备通过热分解双氰胺得到g-C3N4,具体步骤:首先往坩埚中加入5g双氰胺,然后把样品放置在马弗炉中,接着以2.3℃/min的升温速率升温至500℃煅烧4h,最后冷却到室温后得到g-C3N4;步骤二:2D-2DWO3/g-C3N4异质结构光催化剂的制...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄华强,刘晓彬,徐文涛,翁丹阳,
申请(专利权)人:泉州师范学院,
类型:发明
国别省市:福建,35
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