电致发光显示装置制造方法及图纸

电致发光显示装置包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发射层，所述量子点发射层包括多个量子点且不包括镉，其中所述量子点发射层包括设置在红色像素中的红色发射层、设置在绿色像素中的绿色发射层、和设置在蓝色像素中的蓝色发射层，其中所述装置具有大于或等于约89％的根据DCI标准的颜色再现性。

Electroluminescent Display Device

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示装置对相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0028318的优先权和权益，将其全部内容通过引用引入本文中。
公开了电致发光显示装置(器件)。
技术介绍
包括量子点的电致发光显示装置可用在显示设备中。光发射可通过如下引起：施加电压，导致在所述器件中的层之间产生的激发电荷的辐射复合。然而，仍然存在对于改善的电致发光材料的需求。
技术实现思路
实施方式提供包括不含镉的量子点并且能够提供改善的颜色再现性的基于量子点的电致发光显示装置。在实施方式中，电致发光显示装置包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发射层，所述量子点发射层包括多个量子点且不包括镉，其中所述量子点发射层包括设置在红色像素中的红色发射层、设置在绿色像素中的绿色发射层、和设置在蓝色像素中的蓝色发射层，其中所述红色发射层包括多个发射红色光的量子点且所述红色像素呈现出在约627纳米(nm)-约640nm的范围内的电致发光(EL)峰值波长和小于或等于约42nm的半宽度(FWHM)，其中所述绿色发射层包括多个发射绿色光的量子点且所述绿色像素呈现出在约525nm-约536nm的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于约39nm的半宽度(FWHM)，其中所述蓝色发射层包括多个发射蓝色光的量子点且所述蓝色像素呈现出在约440nm-约460nm的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于约33nm的半宽度(FWHM)，和其中所述装置具有大于或等于约89百分比(％)的根据DCI标准的颜色再现性。所述装置可具有大于或等于约66％的根据BT2020标准的颜色再现性。所述装置可具有大于或等于约94％的根据DCI标准的颜色再现性。所述装置可具有大于或等于约72％的根据BT2020标准的颜色再现性。在所述装置中，所述红色像素可呈现出小于或等于36nm的半宽度(FWHM)。在所述装置中，所述绿色像素可呈现出小于或等于37nm的半宽度(FWHM)。在所述装置中，所述蓝色像素可呈现出小于或等于30nm的半宽度(FWHM)。所述发射红色光的量子点的至少一部分可为发射红色光的半导体纳米晶体颗粒，其包括包含铟(In)、磷(P)、和任选地锌(Zn)的芯，以及设置在所述芯的表面上并且包含锌、硫、和任选地硒的壳。所述发射红色光的半导体纳米晶体颗粒可具有大于或等于5nm且小于或等于约15nm的尺寸。所述发射绿色光的量子点的至少一部分可为发射绿色光的半导体纳米晶体颗粒，其包括包含铟(In)、磷(P)、和任选地锌(Zn)的芯，以及设置在所述芯的表面上并且包含锌、硫、和任选地硒的壳。所述发射绿色光的半导体纳米晶体颗粒可具有大于或等于6nm且小于或等于约15nm的尺寸。所述发射蓝色光的量子点的至少一部分可为包含锌、碲、和硒的发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒，其中碲的量小于硒的量，和所述发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒可包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，以及包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料并且设置在所述芯的至少一部分上的壳。在所述发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒中，碲相对于硒的摩尔比可小于或等于约0.05。在所述发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒中，锌的量可大于硒的量。在所述发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒中，碲相对于锌的摩尔比可小于或等于约0.03。所述第一半导体材料可包括ZnTexSe1-x，其中，x大于约0且小于或等于约0.05。所述第二半导体材料可包括锌、硒、和硫。所述发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒可具有大于或等于约8nm且小于或等于约30nm的尺寸。在所述装置中，红色像素可具有大于或等于约2％的峰值外量子效率。在所述装置中，绿色像素可具有大于或等于约2％的峰值外量子效率。在所述装置中，蓝色像素可具有大于或等于约2％的峰值外量子效率。在所述装置中，红色像素可具有大于或等于约200cd/m2的最大亮度。在所述装置中，绿色像素可具有大于或等于约300cd/m2的最大亮度。在所述装置中，蓝色像素可具有大于或等于约300cd/m2的最大亮度。所述装置可包括在所述第一电极与所述量子点发射层之间和在所述第二电极与所述量子点发射层之间的电荷辅助层。在所述装置中，所述第一电极可包括阳极，和所述装置可进一步包括在所述第一电极与所述量子点发射层之间的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、或其组合，所述第二电极可包括阴极，和所述装置可进一步包括在所述第二电极与所述量子点发射层之间的电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、或其组合。所述空穴注入层和所述空穴传输层的至少一个可包括聚[9,9-二辛基芴-共-N-[4-丁基苯基]-二-苯基胺](TFB)，和TFB可具有大于或等于约50000道尔顿的重均分子量。所述电子传输层和所述电子注入层的至少一个可包括ET204:Liq、Liq、ZnO、ZnMgO、或其组合。所述电荷辅助层可不包括聚-[(9,9-双(3'-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2,7-芴)-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFN)。所述电荷辅助层可不包括共轭的聚电解质。所述电荷辅助层可不包括共轭的聚电解质(例如具有N,N-二烷基氨基)烷基的)。可实现包括不具有重金属的环境友好的量子点(例如，非镉基量子点)的电致发光显示装置。根据实施方式的装置可通过电压施加而具有所限定的最大发射峰值波长和所限定的半宽度(FWHM)，且由此显示改善的颜色再现性。还公开制造所述电致发光显示装置的方法，所述方法包括：提供所述发射红色光的半导体纳米晶体、所述发射绿色光的半导体纳米晶体、和所述发射蓝色光的半导体纳米晶体；和形成设置在第一电极和第二电极之间的量子点发射层，所述量子点发射层包括多个量子点且不包括镉，其中所述量子点发射层包括设置在红色像素中的红色发射层、设置在绿色像素中的绿色发射层、和设置在蓝色像素中的蓝色发射层，其中所述红色发射层包括多个发射红色光的量子点，且所述红色像素呈现出在约627纳米-约640纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于约42纳米的半宽度，其中所述绿色发射层包括多个发射绿色光的量子点，且所述绿色像素呈现出在约525纳米-约536纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于约39纳米的半宽度，其中所述蓝色发射层包括多个发射蓝色光的量子点，且所述蓝色像素呈现出在约440纳米-约460纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于约33纳米的半宽度，和其中所述装置具有大于或等于约89％的根据DCI标准的颜色再现性。附图说明本专利或申请文件包含至少一幅以彩色制成的图。在请求和支付必要的费用之后，具有彩图的本专利或专利申请公布的副本将由知识产权局提供。通过参照附图进一步详细地描述其示例性实施方式，本公开内容的以上和其它优点和特征将变得更加明晰，其中图1为x色坐标对y色坐标的图，并且显示在CIE色坐标图中的DCI标准色域(颜色范围)、NTSC标准色域、和BT2020标准色域；图2为QDLED装置的实施方式的示意性横截面图；图3为QDLED装置的实施方式的示意性横截面图；图4显示在合成实施例3-1中制造的ZnTeSe芯的透射电子显微镜(TEM)图像；图5显示在合成实施例3-2中制造的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电致发光显示装置，包括彼此面对的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的的量子点发射层，所述量子点发射层包括多个量子点且不包括镉，其中所述量子点发射层包括设置在红色像素中的红色发射层、设置在绿色像素中的绿色发射层、和设置在蓝色像素中的蓝色发射层，其中所述红色发射层包括多个发射红色光的量子点，且所述红色像素呈现出在627纳米‑640纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于42纳米的半宽度，其中所述绿色发射层包括多个发射绿色光的量子点，且所述绿色像素呈现出在525纳米‑536纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于39纳米的半宽度，其中所述蓝色发射层包括多个发射蓝色光的量子点，且所述蓝色像素呈现出在440纳米‑460纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于33纳米的半宽度，和其中所述装置具有大于或等于89％的根据DCI标准的颜色再现性。

【技术特征摘要】
2018.03.09 KR 10-2018-00283181.电致发光显示装置，包括彼此面对的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的的量子点发射层，所述量子点发射层包括多个量子点且不包括镉，其中所述量子点发射层包括设置在红色像素中的红色发射层、设置在绿色像素中的绿色发射层、和设置在蓝色像素中的蓝色发射层，其中所述红色发射层包括多个发射红色光的量子点，且所述红色像素呈现出在627纳米-640纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于42纳米的半宽度，其中所述绿色发射层包括多个发射绿色光的量子点，且所述绿色像素呈现出在525纳米-536纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于39纳米的半宽度，其中所述蓝色发射层包括多个发射蓝色光的量子点，且所述蓝色像素呈现出在440纳米-460纳米的范围内的电致发光峰值波长和小于或等于33纳米的半宽度，和其中所述装置具有大于或等于89％的根据DCI标准的颜色再现性。2.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述装置具有大于或等于66％的根据BT2020标准的颜色再现性。3.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述装置具有大于或等于94％的根据DCI标准的颜色再现性。4.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述装置具有大于或等于72％的根据BT2020标准的颜色再现性。5.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述红色像素呈现出小于或等于36纳米的半宽度，所述绿色像素呈现出小于或等于37纳米的半宽度，和所述蓝色像素呈现出小于或等于30纳米的半宽度。6.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发射红色光的量子点包括半导体纳米晶体颗粒，所述半导体纳米晶体颗粒包括包含铟、磷、和任选地锌的芯，以及设置在所述芯的表面上的壳，所述壳包含锌、硫、和任选地硒。7.如权利要求6所述的电致发光显示装置，其中所述半导体纳米晶体颗粒具有大于或等于5纳米且小于或等于15纳米的尺寸。8.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发射绿色光的量子点包括发射绿色光的半导体纳米晶体颗粒，所述发射绿色光的半导体纳米晶体颗粒包括包含铟、磷、和任选地锌的芯，以及设置在所述芯的表面上并且包含锌、硫、和任选地硒的壳。9.如权利要求8所述的电致发光显示装置，其中所述发射绿色光的半导体纳米晶体颗粒具有大于或等于6纳米且小于或等于15纳米的尺寸。10.如权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发射蓝色光的量子点包括包含锌、碲、和硒的发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒，其中碲的量小于硒的量，和所述发射蓝色光的半导体纳米晶体颗粒具有包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，以及设置在所述芯的至少一部分上的壳，所述壳包括具有与所述第一半导体材料的组成不同的组成的第二半导体材料。11.如权利要求10所述的电致发光显示装置，其中在所述发射蓝色光的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰亨，张银珠，丁大荣，金龙郁，元裕镐，O曹，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR