一种高基频石英MASE晶片检测装置制造方法及图纸

一种高基频石英MASE晶片检测装置，包括底座，所述底座上设置有晶片支撑台，所述晶片支撑台通过水平调节器固定在支撑台基座上，所述晶片支撑台的下方设置有测试下探针和下探针上下调节器，其特征在于：所述晶片支撑台两侧的底座上分别安装有左支架和右支架，所述右支架上安装有光学放大镜，所述左支架上安装有高精度螺旋调节器，所述高精度螺旋调节器的底部安装有测试上探针，所述测试上探针位于晶片支撑台的正上方。本发明专利技术结构简单、操作方便、检测效率高、晶片破损率低。

A High Basic Frequency Quartz MASE Wafer Detection Device

【技术实现步骤摘要】
一种高基频石英MASE晶片检测装置
本专利技术涉及晶片检测领域，具体涉及一种高基频石英MASE晶片检测装置。
技术介绍
在消费电子、汽车电子、物联网等行发展过程中，晶振作为电子产品基础性核心元器件，向超小型化、超高频、低抖动、低相位噪声方向发展，基于半导体工艺小尺寸高基频MASE晶片，有外形尺寸小2mm以下，双面采用腐蚀加工成凹型结构，凹型区为压电效应振荡区，厚度越薄振荡的频率越高，50MHz以上产品，压电效应振荡区厚度在30微米以下，100MHz以上产品压电效应振荡区厚度小于16微米。传统的机械加工工艺难以满足工艺要求，采用半导体光刻微纳米加工工艺，可以实现晶片尺寸的小型化，超高频，但小尺寸的晶片质量小、难取放、易破损等特点，使得小尺寸晶片的电气特性检测难度很大，实用传统的检测仪器检测效果差，且极易对晶片造成损伤。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现技术的缺陷和不足，提供一种结构简单、操作方便、检测效率高、晶片破损率低的高基频石英MASE晶片检测装置。为实现以上目的，本专利技术的技术解决方案是：一种高基频石英MASE晶片检测装置，包括底座，所述底座上设置有晶片支撑台，所述晶片支撑台通过水平调节器固定在支撑台基座上，所述晶片支撑台的下方设置有测试下探针和下探针上下调节器，其特征在于：所述晶片支撑台两侧的底座上分别安装有左支架和右支架，所述右支架上安装有光学放大镜，所述左支架上安装有高精度螺旋调节器，所述高精度螺旋调节器的底部安装有测试上探针，所述测试上探针位于晶片支撑台的正上方。所述高精度螺旋调节器包括位于调节器顶部的粗调旋钮和细调旋钮，所述细调旋钮位于粗调旋钮上方并套接在粗调旋钮内，所述粗调旋钮底部与调节器伸出顶杆固定连接，所述调节器伸出顶杆的底部与链接臂固定连接，所述链接臂的内部安装有弹簧导柱，所述测试上探针固定连接在弹簧导柱的底部。所述左支架上固定有调节支撑导柱，所述调节支撑导柱与调节器伸出顶杆上方的套筒固定连接，调节支撑导柱上设置有上下滑轨，所述链接臂与上下滑轨滑动连接。本专利技术与现有技术相比，具有以下优势：1、本专利技术通过高精度螺旋调节器上的粗调旋钮和细调旋钮来精准控制测试上探针的精准位移，整个操作过程在光学放大镜下进行，这样做既能满足探针与晶片的可靠性电接触，保证测试稳定性，又能有效避免操作过程中调整过大，较少造成晶片破损的误操作发生。2、本专利技术中的调节支撑导柱和其上的上下滑轨既是对高精度螺旋调节器的有力支撑，同时又提高了调节器的运行稳定度，使得装置的检测效率更高。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术的检测状态示意图。图中：底座1，晶片支撑台2，水平调节器3，支撑台基座4，测试下探针5，下探针上下调节器6，左支架7，右支架8，光学放大镜9，高精度螺旋调节器10，测试上探针11，粗调旋钮12，细调旋钮13，调节器伸出顶杆14，链接臂15，弹簧导柱16，调节支撑导柱17，上下滑轨18，检测仪器19。具体实施方式以下结合附图说明和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参见图1，一种高基频石英MASE晶片检测装置，包括底座1，所述底座1上设置有晶片支撑台2，所述晶片支撑台2通过水平调节器3固定在支撑台基座4上，所述晶片支撑台2的下方设置有测试下探针5和下探针上下调节器6，所述晶片支撑台2两侧的底座1上分别安装有左支架7和右支架8，所述右支架8上安装有光学放大镜9，所述左支架7上安装有高精度螺旋调节器10，所述高精度螺旋调节器10包括位于调节器顶部的粗调旋钮12和细调旋钮13，所述细调旋钮13位于粗调旋钮12上方并套接在粗调旋钮12内，所述粗调旋钮12外部设置有套筒，所述套筒上安装有锁紧螺母，粗调旋钮12底部与调节器伸出顶杆14固定连接，所述调节器伸出顶杆14的底部与链接臂15固定连接，所述链接臂15的内部安装有弹簧导柱16，所述测试上探针11固定连接在弹簧导柱16的底部，所述测试上探针11位于晶片支撑台2的正上方。为了提高测试上探针11的运动稳定性，所述左支架7上固定有调节支撑导柱17，所述调节支撑导柱17与调节器伸出顶杆14上方的套筒固定连接，调节支撑导柱17上设置有上下滑轨18，所述链接臂15与上下滑轨18滑动连接。本专利技术的工作过程为：①将MASE晶片放入晶片支撑台2内；②调节水平调节器3将晶片支撑台2移动至测试下探针5与测试上探针11之间；③调节下探针上下调节器6使得测试下探针5向上接触到MASE晶片下电极；④旋动高精度螺旋调节器10的粗调旋钮12使得测试上探针11向下移动，在光学放大镜9的观察中测试上探针11接触到MASE晶片上电极；⑤旋动高精度螺旋调节器10的细调旋钮13，直至检测仪器19数据稳定为止。检测状态示意图参见图2。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高基频石英MASE晶片检测装置，包括底座（1），所述底座（1）上设置有晶片支撑台（2），所述晶片支撑台（2）通过水平调节器（3）固定在支撑台基座（4）上，所述晶片支撑台（2）的下方设置有测试下探针（5）和下探针上下调节器（6），其特征在于：所述晶片支撑台（2）两侧的底座（1）上分别安装有左支架（7）和右支架（8），所述右支架（8）上安装有光学放大镜（9），所述左支架（7）上安装有高精度螺旋调节器（10），所述高精度螺旋调节器（10）的底部安装有测试上探针（11），所述测试上探针（11）位于晶片支撑台（2）的正上方。

【技术特征摘要】
1.一种高基频石英MASE晶片检测装置，包括底座（1），所述底座（1）上设置有晶片支撑台（2），所述晶片支撑台（2）通过水平调节器（3）固定在支撑台基座（4）上，所述晶片支撑台（2）的下方设置有测试下探针（5）和下探针上下调节器（6），其特征在于：所述晶片支撑台（2）两侧的底座（1）上分别安装有左支架（7）和右支架（8），所述右支架（8）上安装有光学放大镜（9），所述左支架（7）上安装有高精度螺旋调节器（10），所述高精度螺旋调节器（10）的底部安装有测试上探针（11），所述测试上探针（11）位于晶片支撑台（2）的正上方。2.根据权利要求1所述的一种高基频石英MASE晶片检测装置，其特征在于：所述高精度螺旋调节器（10...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻信东，
申请(专利权)人：湖北泰晶电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42