电子显微镜样品芯片及其相关应用制造技术

本发明专利技术的实施例提供了一种电子显微镜样品芯片及其相关应用，其中电子显微镜样品芯片，包括：第一基座，第一基座包括薄膜层、缓冲层以及主体层，缓冲层设置于薄膜层上且具有与薄膜层的一区域相对应的缓冲开口，主体层设置于缓冲层上且具有与缓冲层的缓冲开口相对应的主体开口，用于露出薄膜层与缓冲开口相对应的区域，薄膜层、缓冲层以及主体层的蚀刻特性不同；间隔层，设置于第一基座下并界定有样品容置空间，样品容置空间与薄膜层对应缓冲开口的区域相对应；第二基座，设置于间隔层远离第一基座的一侧。在本发明专利技术所提供的技术方案中，缓冲开口以及主体开口实质上垂直于薄膜层，减小了样品容置空间受到的视觉遮蔽障碍，扩大了可视区的范围。

Electron Microscope Sample Chip and Its Related Applications

【技术实现步骤摘要】
电子显微镜样品芯片及其相关应用
本专利技术涉及一种显微镜样品芯片及其相关应用，特别涉及一种电子显微镜样品芯片及其相关应用。
技术介绍
请参照图18，美国专利公告号第7807979号提出的电子显微镜样品装置含有：两个基底(61)，分别具有窗口(611)；两个薄膜(62)，分别配置于所对应的基底(61)上；黏着剂(63)，配置于两个薄膜(62)间，并开设有一或数个样品填充口；以及样品填充放置区(64)，形成于两个薄膜(62)间，以用于容置样品。请再参照图19，中国台湾地区专利技术专利公告号第I433195号提出的电子显微镜样品承载装置含有：盖件(65)，具有本体(651)与第一薄膜(652)，本体(651)具有第一侧与相对于第一侧的第二侧，第一薄膜(652)设置于第二侧，本体(651)具有凹槽(6511)且开口于第一侧，凹槽(6511)暴露第一薄膜(652)，第一侧水平延伸形成翼部(6512)；以及基座(66)，具有基体部(661)、焊接部(662)、与第二薄膜(663)，基体部(61)具有上缘与下缘，第二薄膜(663)设置于下缘，基体部(661)具有沟槽(6611)并开口于上缘，沟槽(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子显微镜样品芯片，其特征在于，包括：一第一基座，包括：一薄膜层；一缓冲层，设置于所述薄膜层上且具有一与所述薄膜层的一区域相对应的缓冲开口；一主体层，设置于所述缓冲层上且具有一与所述缓冲开口相对应的主体开口，用于露出所述薄膜层与所述缓冲开口相对应的区域，所述主体层厚度为10μm至800μm，所述薄膜层、所述缓冲层以及所述主体层的蚀刻特性不同；以及一间隔层，设置于所述第一基座下并界定有一样品容置空间，所述样品容置空间与所述薄膜层对应所述缓冲开口的区域相对应；以及一第二基座，设置于所述间隔层远离所述第一基座的一侧。

【技术特征摘要】
2018.10.24 TW 107137613;2018.03.02 US 62/637,8161.一种电子显微镜样品芯片，其特征在于，包括：一第一基座，包括：一薄膜层；一缓冲层，设置于所述薄膜层上且具有一与所述薄膜层的一区域相对应的缓冲开口；一主体层，设置于所述缓冲层上且具有一与所述缓冲开口相对应的主体开口，用于露出所述薄膜层与所述缓冲开口相对应的区域，所述主体层厚度为10μm至800μm，所述薄膜层、所述缓冲层以及所述主体层的蚀刻特性不同；以及一间隔层，设置于所述第一基座下并界定有一样品容置空间，所述样品容置空间与所述薄膜层对应所述缓冲开口的区域相对应；以及一第二基座，设置于所述间隔层远离所述第一基座的一侧。2.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述主体开口的一侧表面与一相邻的所述主体层的表面形成一呈85度至95度的夹角，所述主体开口的侧表面与一相邻的所述缓冲开口的侧表面形成一呈170度至190度的夹角。3.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述薄膜层材料为氮化硅或碳化硅，厚度为5nm至100nm，所述缓冲层材料为二氧化硅或铬，厚度为50nm至1μm，所述主体层材料为硅或蓝宝石，所述间隔层厚度为100nm至100μm。4.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述间隔层还具有至少两个渠道，所述渠道与所述样品容置空间连通。5.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢伯宗，钟崇仁，曾湜雯，黄秋华，陈子欣，蔡雅雯，
申请(专利权)人：谢伯宗，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71