【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于改进的FINFET的系统、方法和装置
本公开总体涉及鳍式场效应晶体管(finFET)，并且更具体地但非排他地，涉及具有多层浅沟槽隔离区域的finFET。
技术介绍
对于常规的晶体管制造，浅沟槽隔离和随着晶体管尺寸的隔离缩放是一个问题。浅沟槽隔离(STI)是集成电路特征，其防止相邻半导体器件部件之间的电流泄漏。STI通常用于250纳米及更小的CMOS工艺技术节点。在形成晶体管之前，在半导体器件制造工艺期间早期创建STI。STI工艺的关键步骤包括在硅中蚀刻沟槽的图案，沉积一种或多种电介质材料(诸如，二氧化硅)以填充沟槽，并且使用诸如化学机械平坦化的技术移除多余的电介质。在晶体管(诸如finFET)的常规的制造中，由于进入高纵横比沟槽的填充能力，使用旋涂电介质(SOD)或可流动氧化物来填充finFET的鳍之间的间隙。旋涂有机聚合物电介质通常是通过旋涂方法沉积的聚合物电介质，诸如传统上用于沉积光致抗蚀剂的那些，而不是化学气相沉积。整合困难包括低机械强度和热稳定性。旋涂有机聚合物的一些示例是聚酰亚胺、聚降冰片烯、苯并环丁烯和PTFE。然而，这种SOD材料不是很密集。例如...
【技术保护点】
1.一种finFET，包括：多个鳍，彼此分离以在所述多个鳍中的相邻鳍之间形成多个间隙；氧化物材料，位于所述多个间隙中，所述氧化物材料直接接触所述多个鳍中的所述相邻鳍，所述氧化物材料具有接近所述氧化物材料的顶层的第一密度和接近所述氧化物材料的底层的第二密度；并且其中所述第一密度大于所述第二密度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.27 US 15/418,6511.一种finFET，包括：多个鳍，彼此分离以在所述多个鳍中的相邻鳍之间形成多个间隙；氧化物材料，位于所述多个间隙中，所述氧化物材料直接接触所述多个鳍中的所述相邻鳍，所述氧化物材料具有接近所述氧化物材料的顶层的第一密度和接近所述氧化物材料的底层的第二密度；并且其中所述第一密度大于所述第二密度。2.根据权利要求1所述的finFET，其中所述氧化物材料在所述氧化物材料的所述顶层附近具有第一离子浓度，所述第一离子浓度大于所述氧化物材料的所述底层附近的第二离子浓度。3.根据权利要求2所述的finFET，其中所述第一离子浓度的离子是硅离子、碳离子、氮离子、氟离子或氦离子之一。4.根据权利要求1所述的finFET，进一步包括多个栅极结构，所述多个栅极结构中的栅极结构围绕所述多个鳍中的每个鳍，并且其中所述氧化物材料的一部分位于所述多个栅极结构中的每个栅极结构之下。5.根据权利要求4所述的finFET，进一步包括：接近所述多个栅极结构的源极；以及与所述源极相对的接近所述多个栅极结构的漏极。6.根据权利要求1所述的finFET，其中所述finFET被并入到选自包括以下项的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备，并且所述组进一步包括所述设备。7.一种finFET，包括：硅衬底；在所述硅衬底的表面上的多个鳍；在所述硅衬底的所述表面上的氧化物材料，所述氧化物材料位于所述多个鳍中的每个鳍之间；以及多个栅极结构，所述多个栅极结构中的每个栅极结构位于所述氧化物材料上并且围绕所述多个鳍中的相应的鳍。8.根据权利要求7所述的finFET，其中所述氧化物材料具有接近所述多个栅极结构的第一离子浓度，所述第一离子浓度大于接近所述硅衬底的第二离子浓度。9.根据权利要求8所述的finFET，其中所述第一离子浓度的离子是硅离子、碳离子、氮离子、氟离子或氦离子之一。10.根据权利要求9所述的finFET，进一步包括：接近所述多个栅极结构的源极；以及与所述源极相对的接近所述多个栅极结构的漏极。11.根据权利要求10所述的finFET，其中所述finFET被并入到选自包括以下项的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备，并且所述组进一步包括所述设备。12.一种finFET，包括：用于传导电流的第一装置；用于传导电流的第二装置，与用于传导电流的所述第一装置分离，以在用于传导电流的所述第一装置与用于传导电流的所述第二装置之间形成间隙；用于隔离的装置，位于所述间隙中以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦翔，杨海宁，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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