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为了避免与电介质上的低密度旋涂相关联的问题，本公开的一些示例包括finFET，该finFET含有具有不同密度的氧化物材料。例如，一个这样的finFET可以包括位于相邻鳍之间的间隙中的氧化物材料，氧化物材料直接接触多个鳍中的相邻鳍，多个鳍具有...
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