一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；以及沟道提供层，其设置在沟道层之外；其中，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG。

A Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别地涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
III族氮化物半导体是重要的半导体材料，主要包括AlN、GaN、InN及这些材料的化合物如AlGaN、InGaN、AlInGaN等。由于具有直接带隙、宽禁带、高击穿电场强度等优点，以GaN为代表的III族氮化物半导体在发光器件、电力电子、射频器件等领域具有广阔的应用前景。与传统的Si等非极性半导体材料不同，III族氮化物半导体具有极性，或者说他们是极性半导体材料。极性半导体具有许多独特的特性。尤为重要的事，在极性半导体的表面或两种不同的极性半导体界面处存在固定极化电荷。这些固定极化电荷的存在可吸引可移动的电子或空穴载流子，从而形成二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG。这些二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG的产生不需要附加电场，也不依赖于半导体内的掺杂效应，是自发产生的。极性半导体界面处的二维电子气或二维空穴气可以具有较高的面电荷密度。同时，由于不需要掺杂，二维电子气或二维空穴气受到的离子散射等作用也大大减少，因此具有较高的迁移率。较高的面电荷密度和迁移率使得这种界面处自发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；以及半导体沟道提供层，其设置在沟道层之外；其中，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG。

【技术特征摘要】
2019.04.12 CN 20191029162461.一种半导体器件，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；以及半导体沟道提供层，其设置在沟道层之外；其中，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中垂直界面的晶格具有六角对称性。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中衬底是Si衬底，垂直界面是Si(111)面。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中衬底是Al2O3蓝宝石衬底，垂直界面是Al2O3的(0001)面。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中衬底是SiC衬底，垂直界面是SiC的(0001)或(000-1)面。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中衬底是GaN本征衬底，垂直界面是GaN本征衬底的(0001)面或(000-1)面。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中沟道层与沟道提供层之间的界面包括第一极性面，在第一极性面提供二维电子气2DEG。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中沟道层与沟道提供层之间的界面包括第二极性面，在第一极性面提供二维空穴气2DHG。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中沟道层与沟道提供层之间的界面包括第一极性面和第二极性面，其中在第一极性面提供二维电子气2DEG，在第二极性面提供二维空穴气2DHG。10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括缓冲层，其在衬底与沟道层之间。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中缓冲层的高度高于衬底的高度。12.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括成核层，其在衬底的垂直界面上。13.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎子兰，
申请(专利权)人：广东致能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44