【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆生产离子注入的控制装置
本专利技术属于半导体领域，更具体地说，尤其是涉及到一种用于晶圆生产离子注入的控制装置。
技术介绍
晶圆生产的过程中有一步程序是需要将离子注入，其离子是通过内部加速后，位于垂直方向通过输出口对照相对应的位置，直射于晶圆表面上，在持续下序的变化，其离子在加速直射的过程中会产生一定的热量。基于上述本专利技术人发现，现有的晶圆生产离子注入控制装置主要存在以下几点不足，比如：由于离子注入直射存在有一定的热度，当长时间通过聚焦的输出口快速输出时，输出口会有所损坏，从而容易造成离子输出时分散，难以直射到相对应的位置。因此需要提出一种用于晶圆生产离子注入的控制装置。
技术实现思路
为了解决上述技术由于离子注入直射存在有一定的热度，当长时间通过聚焦的输出口快速输出时，输出口会有所损坏，从而容易造成离子输出时分散，难以直射到相对应的位置的问题。本专利技术一种用于晶圆生产离子注入的控制装置的目的与功效，由以下具体技术手段所达成：其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环。所述活动道安装于衔接操作头内部，所述衔接操作头底端与离子校对输出口顶端相连接...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其结构包括活动道(1)、衔接操作头(2)、离子校对输出口(3)、护环(4)，其特征在于：所述活动道(1)安装于衔接操作头(2)内部，所述衔接操作头(2)底端与离子校对输出口(3)顶端相连接，所述护环(4)嵌套于离子校对输出口(3)外表面且位于同一轴心上；所述离子校对输出口(3)包括校对口杆(31)、直射道(32)、完整卡扣(33)、灵活压球(34)、整体囊(35)、隔层(36)、定向顶杆(37)，所述校对口杆(31)位于直射道(32)左右两侧，所述完整卡扣(33)与隔层(36)为一体化结构，所述灵活压球(34)位于整体囊(35)内部，...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其结构包括活动道(1)、衔接操作头(2)、离子校对输出口(3)、护环(4)，其特征在于：所述活动道(1)安装于衔接操作头(2)内部，所述衔接操作头(2)底端与离子校对输出口(3)顶端相连接，所述护环(4)嵌套于离子校对输出口(3)外表面且位于同一轴心上；所述离子校对输出口(3)包括校对口杆(31)、直射道(32)、完整卡扣(33)、灵活压球(34)、整体囊(35)、隔层(36)、定向顶杆(37)，所述校对口杆(31)位于直射道(32)左右两侧，所述完整卡扣(33)与隔层(36)为一体化结构，所述灵活压球(34)位于整体囊(35)内部，所述定向顶杆(37)设有两个。2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其特征在于：所述校对口杆(31)包括重力倾向块(311)、顺滑层(312)、卡位槽(313)、耐磨底(314)、缓冲角(315)、主杆(316)，所述重力倾向块(311)安装于主杆(316)内部，所述顺滑层(312)与主杆(316)为一体化结构，所述卡位槽(313)安装于缓冲角(315)与耐磨底(314)之间。3.根据权利要求2所述的一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其特征在于：所述缓冲角(315)包括滑润层(3151)、缓冲球(3152)、回折条(3153)、回力镖(3154)、空格(3155)，所述滑润层(3151)设有两个，所述缓冲球(3152)与回力镖(3154)相连接，所述回折条(...
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