【技术实现步骤摘要】
阵列基板与显示装置
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种阵列基板与显示装置。
技术介绍
在显示装置的阵列基板中,各像素电极与第一金属层公共电极形成存储电容,为了使第一金属层公共电极信号均匀,通常设置第二金属层公共电极与各第一金属层公共电极连接以使第一金属层公共电极相互连通。在阵列基板的结构中,第一金属层公共电极和第二金属层公共电极处于不同层次,因此需要通过过孔使两者连接,在具体工艺实现过程中,在依次形成第一金属层公共电极、绝缘层、第二金属层公共电极和钝化层并在钝化层形成贯穿钝化层和绝缘层的过孔后,最后在钝化层上形成像素电极和连接导体,连接导体填充过孔,使第二金属层公共电极和第一金属层公共电极连接。由于连接导体与像素电极处于同一层,且连接导体在钝化层上需占据一定的面积,导致像素电极的分布和面积受限,因此,连接导体的存在会影响显示装置的像素开口率。
技术实现思路
基于此,有必要针对在显示装置中,形成连接第一金属层公共电极和第二金属层公共电极的连接导体会影响像素开口率的技术问题,提出一种新的阵列基板和显示装置。一种阵列基板,包括:扫描线;第二金属层公共电极,与所述扫描线垂直设 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:扫描线;第二金属层公共电极,与所述扫描线垂直设置;像素结构单元,包括位于同一所述扫描线同侧的第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极分别位于同一所述第二金属层公共电极的两侧,所述第一像素电极具有相互垂直的两侧边以及连接所述两侧边的第一斜边,所述第二像素电极具有相互垂直的两侧边以及连接所述两侧边的第二斜边,所述第一斜边与所述第二斜边相对,定义所述第一斜边的延长线、所述第二斜边的延长线和相邻所述扫描线的正投影所围成的区域为目标区域;第一金属层公共电极,正对所述像素电极设置,所述第一金属层公共电极与所述第二金属层公共电极之 ...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:扫描线;第二金属层公共电极,与所述扫描线垂直设置;像素结构单元,包括位于同一所述扫描线同侧的第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极分别位于同一所述第二金属层公共电极的两侧,所述第一像素电极具有相互垂直的两侧边以及连接所述两侧边的第一斜边,所述第二像素电极具有相互垂直的两侧边以及连接所述两侧边的第二斜边,所述第一斜边与所述第二斜边相对,定义所述第一斜边的延长线、所述第二斜边的延长线和相邻所述扫描线的正投影所围成的区域为目标区域;第一金属层公共电极,正对所述像素电极设置,所述第一金属层公共电极与所述第二金属层公共电极之间设置有绝缘层;以及连接导体,与所述像素电极处于同一层,所述连接导体设置于所述目标区域内并通过一过孔连接所述第一金属层公共电极与所述第二金属层公共电极,所述连接导体的正投影区域为一多边形,所述连接导体与所述第一斜边相对的侧边与所述第一斜边平行,与所述第二斜边相对的侧边与所述第二斜边平行,与相邻所述扫描线的正投影相对的侧边与所述扫描线的正投影平行。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极和所述第二像素电极相互对称设置。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接导体与所述第一斜边的间距范围为5μm~8μm,所述连接导体与所述第二斜边的间距范围为5μm~8μm。4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接导体与相邻所述扫描线在所述像素电极所处层的正投影之间的间距范围为3μm~5μm。5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述过孔的开口形状与所述连接导体的正投影区域的形状相同,所述过孔的开口侧壁与所述连接导体侧边的间距...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨艳娜,
申请(专利权)人:北海惠科光电技术有限公司,重庆惠科金渝光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广西,45
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