【技术实现步骤摘要】
一种有源PFC电路的无损吸收的电路
本专利技术涉及电路结构
，尤其是指一种有源PFC电路的无损吸收的电路。
技术介绍
目前开关电源对功率因素PF的要求越来越高的条件下,开关电源的PFC电路需使用有源PFC电路才能实现较高的PF值，而有源PFC电路的功率开关管工作在高频率On-Off快速循环转换的状态，DV/DT和DI/DT都在急剧变换，因此对EMI而言,PFC功率开关既是电场耦合的主要干扰源，也是磁场耦合的主要干扰源,再加PCB上的寄生电感在功率开关管关断瞬间其D极与S极之会产生尖峰电压,寄生电感越大引起的尖峰电压就会越高，传统的方法在功率开关管的D极与S极之间并联一个电容当功率开关管关断瞬间将PCB寄生电感引起的尖峰电压吸收掉，但此方法会产生损耗降低整机的输出效率且EMI干扰未将到最佳效果。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的问题提供一种有源PFC电路的无损吸收的电路，能更好的将功率开关管工作时产生的干扰源降低到最小，从而实现EMI电路简单化，降低功率开关管的电压应力、提高整机输出效率，电路实现简单，效果极佳，可靠性强。为了解决上述技术问题，本专利技术采用...
【技术保护点】
1.一种有源PFC电路的无损吸收的电路，其特征在于：包括PFCVin+端、PFCVin‑端、PFCVin+端、PFCVout+端、PFCVout‑端、Vgate端、开关管Q1、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R2、电感L2以及绕组L1，所述开关管Q1的漏极分别与电容C3的一端、二极管D4的阳极以及绕组L1连接，所述二极管D4与所述二极管D3并联，电容C3的另一端分别与二极管D3和电感L2的一端连接，电感L2的另一端与二极管D1的阴极连接，二极管D1的阳极分别与二极管D2的阴极和电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电容C2的...
【技术特征摘要】
1.一种有源PFC电路的无损吸收的电路，其特征在于：包括PFCVin+端、PFCVin-端、PFCVin+端、PFCVout+端、PFCVout-端、Vgate端、开关管Q1、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R2、电感L2以及绕组L1，所述开关管Q1的漏极分别与电容C3的一端、二极管D4的阳极以及绕组L1连接，所述二极管D4与所述二极管D3并联，电容C3的另一端分别与二极管D3和电感L2的一端连接，电感L2的另一端与二极管D1的阴极连接，二极管D1的阳极分别与二极管D2的阴极和电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端和二极管D2的阳极分别与绕...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖正民，
申请(专利权)人：全天自动化能源科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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