发光元件以及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供一种能够确保散热性并且防止由于在向基板接合时产生的热应力而引起的绝缘膜和电极等的损坏的发光元件以及发光装置。发光元件以及发光装置具有：半导体层叠体，依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且排列有露出第1半导体层的多个露出部；绝缘膜，在多个露出部的上方具有开口部；第1电极，与露出部连接，并且一部分经由绝缘膜而配置在第2半导体层上；第2电极，被连接到第2半导体层；第1外部连接部，与第1电极连接，并且俯视时，与露出部分开地配置；以及第2外部连接部，与第2电极连接，并且第1外部连接部在俯视时包围1个露出部，并且分别包围相邻的露出部的第1外部连接部彼此分开。

Luminescent elements and devices

【技术实现步骤摘要】
发光元件以及发光装置
本专利技术涉及发光元件以及发光装置。
技术介绍
现有技术中提出了以下的发光元件，该发光元件具备：半导体结构，具有：n型半导体层以及以使n型半导体层的一部分露出的方式层叠的发光层和p型半导体层；绝缘膜，具有设置在半导体结构上的多个开口部；n电极，穿过多个开口部中的设置在从发光层和p型半导体层露出的n型半导体层上的开口部而连接；p电极，穿过多个开口部中的设置在p型半导体层上的开口部而连接；p侧外部连接部，与p电极连接；以及n侧外部连接部，与n电极连接(例如，特表2010-525586号)。
技术实现思路
专利技术欲解决的技术问题在这样的发光元件中，为了确保散热性，优选增大n侧外部连接部和p侧外部连接部的面积。但是，在将发光元件接合到基板时，设置在从发光层和p型半导体层露出的n型半导体层上的大面积外部电极使热应力在n型半导体层露出的区域附近集中，有可能导致形成在n型半导体层露出的区域的绝缘膜和电极损坏。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种发光元件以及发光装置，能够在确保或提高散热性的同时，防止由于在向基板接合时产生的热应力所引起的绝缘膜和电极等的损坏。用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体层叠体，所述半导体层叠体依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且，在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述半导体层叠体，在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，所述第1电极在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；第2电极，所述第2电极被连接到所述第2半导体层；第1外部连接部，所述第1外部连接部与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述第...

【技术特征摘要】
2018.02.28 JP 2018-035365;2018.11.30 JP 2018-224681.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体层叠体，所述半导体层叠体依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且，在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述半导体层叠体，在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，所述第1电极在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；第2电极，所述第2电极被连接到所述第2半导体层；第1外部连接部，所述第1外部连接部与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述第1外部连接部在俯视时包围1个所述露出部，并且分别包围相邻的所述露出部的所述第1外部连接部彼此分开。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第1外部连接部具有小片状，利用所述小片分别规则地包围1个所述露出部。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述小片中的与所述半导体层叠体的外边缘面对置的小片的平面面积大于不与所述半导体层叠体的外边缘面对置的小片的平面面积。4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，所述露出部在与所述半导体层叠体的一部分的外边缘平行的第1方向和与该第1方向正交的第2方向上分别排列有多个。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，俯视时，所述第2外部连接部是在所述第1方向上较长的形状，所述第1外部连接部被配置为在所述第2方向上夹着所述第2外...

【专利技术属性】
技术研发人员：中井博基，山冈贤介，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP