一种深紫外线发光二极管结构制造技术

本实用新型专利技术一种深紫外线发光二极管结构，主要是在磊晶前，在蓝宝石基板上形成一层的纳米碳管层；其后，才再进行后续氮化铝缓冲层以及深紫外线发光二极管的磊晶和晶片制作方法。通过纳米碳管可吸收较常见的248nm氟化氩(KrF)准分子雷射，因而不再需要昂贵的氟化氩准分子雷射，从而达到了降低生产成本的目的。

A Deep Ultraviolet Light Emitting Diode Structure

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外线发光二极管结构
本技术是有关于一种紫外线发光二极管结构。
技术介绍
紫外线光-UVC(UV-C253.7nm)对于为害人体的细菌、病毒、微生物等，有极大的摧毁作用。其杀菌原理是细菌、病毒等单细胞微生物，经紫外线光-UVC照射，直接破坏其生命中枢DNA(去氧核醣核酸)及RNA(核醣核酸)结构，使得构成该微生物体的蛋白质无法形成，使其立即死亡或丧失繁殖能力。一般经紫外线光-UVC照射1～2秒钟内就可达到灭菌的效果。目前紫外线光-UVC已被证明能消灭细菌、病毒、霉菌、单细胞藻等微生物。经过了近二百年的研究与发展，虽然有许多的消毒杀菌方式被发现，但对于大面积、大空间的物体表面杀菌及空气、水的消毒，紫外线光-UVC仍是被优先考虑的。紫外线光-UVC消毒法，具有快速、彻底、不污染、操作简便、使用及维护费用低等优点。紫外线光-UVC消毒法比氯消毒法、臭氧消毒法都快速，高强度、高能量的紫外线光-UVC只要几秒钟即可彻底灭菌，而氯消毒法、臭氧消毒法则需数分钟以上。紫外线光-UVC消毒法，几乎对所有的细菌、病毒、寄生虫、病原体和藻类等均可有效杀灭，而且不会造成二次污染，不残留任何有毒物质，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外线发光二极管结构，其特征在于，深紫外线发光二极管结构包括：一深紫外线发光二极管层；以及一碳层，其是形成于所述深紫外线发光二极管层的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外线发光二极管结构，其特征在于，深紫外线发光二极管结构包括：一深紫外线发光二极管层；以及一碳层，其是形成于所述深紫外线发光二极管层的一侧。2.如权利要求1所述的深紫外线...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘庆威，郭浩中，杨谨嘉，朱国雄，林志豪，
申请(专利权)人：广州市香港科大霍英东研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44