LED芯片制造技术

本申请提供一种LED芯片。该LED芯片包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀P半导体层、发光层和N半导体层形成的与N半导体层接触的N台阶，N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，第一金手指与第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。由于对LED芯片的N电极增加了电流传导的金手指，因此，降低了LED芯片的工作电压；同时，由于N电极的第一金手指和P电极的第二金手指在LED芯片的俯视方向上存在重叠区域，因此，相比传统技术，并没有增加吸光的负效应，进一步降低了LED芯片的工作电压，从而提高了LED芯片的光电转换效率。

LED chip

【技术实现步骤摘要】
LED芯片
本申请涉及半导体元件领域，特别是涉及一种LED芯片。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称：LED)芯片具有环保、亮度高、能耗低、寿命长、工作电压低等特点，其作为背光源已被广泛应用于手机、电视以及电脑等电子产品的显示器上等。由于电子产品的能耗需求越来越低，因此，要求安装在电子产品上的LED芯片具有更高的光电转换效率。通常，可以通过降低LED芯片的工作电压来提高LED芯片的光电转换效率。传统技术中，采用增加电流传导层的厚度来增加电流传导的效率，或者制备枝杈状的金手指进行电流扩展，从而降低LED芯片的工作电压。但是，由于电流传导层和金手指对LED芯片产生的光存在吸光效应，且吸光效应严重，从而导致LED芯片的光电转换效率较低。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统技术中的LED芯片的光电转换效率较低的技术问题，提供一种LED芯片。一种LED芯片，包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀所述P半导体层、所述发光层和所述N半导体层形成的与所述N半导体层接触的N台阶，所述N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；所述N电极的第一金手指上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀所述P半导体层、所述发光层和所述N半导体层形成的与所述N半导体层接触的N台阶，所述N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；所述N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，所述第一金手指与所述第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀所述P半导体层、所述发光层和所述N半导体层形成的与所述N半导体层接触的N台阶，所述N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；所述N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，所述第一金手指与所述第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N台阶非连续设置，所述LED芯片还包括：第二绝缘层；所述第一金手指的部分区域与所述N半导体层接触，所述第二绝缘层位于所述第一金手指的其余区域与所述P半导体层之间。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述N台阶等间隔设置。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珊珊，廖汉忠，陈顺利，丁逸圣，宋林青，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21