一种薄膜电阻制造技术

技术编号:22055832 阅读:32 留言:0更新日期:2019-09-07 15:27
本实用新型专利技术公开了一种薄膜电阻,其特征在于:所述薄膜电阻上设置有若干个孔或斑,所述孔或斑的数量为单个或双个、或矩阵个,其中,双个孔或斑的中心连接线平行于薄膜电阻的长或宽,矩阵个孔或斑中每相邻的两个孔或斑的连接线平行于薄膜电阻的长或宽。本实用新型专利技术薄膜电阻上设置的孔或斑使薄膜电阻的精度更好,同时本结构薄膜电阻方便制作和调整。

A Thin Film Resistor

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电阻
本技术属于薄膜电阻
,特别涉及一种薄膜电阻。
技术介绍
薄膜电阻是印制电路板中较高端产品,通过光成像、药水蚀刻等一系列复杂流程,在制作出线路的同时,制作出一定尺寸的电阻膜面积,并且具备电阻元器件的相同功能,省去了安装器件的SMT,并且不占用印制电路板空间。如图1所示,成型后的薄膜电阻示意图,薄膜电阻阻值计算公式为R=R方*L/W其中,R为电阻阻值,R方为薄膜电阻工艺方阻,L为薄膜电阻长,W为薄膜电阻宽。制作的电阻精度无法满足当前电子设备行业精密度日益严苛的需要。当前行业内有一种激光微调电阻,设计方案如下:在成型的电阻上,从电阻边缘开始激光烧蚀出L型路径,形成含有L型沟道2的薄膜电阻,如图2所示,电阻等效于两个梯形电阻12和一个矩形电阻11的串联,如图3。在制作中,通过电阻的计算R=R方*[L1/W1+(L-L2)/(W-W1)*ln(W/W1)],设置L1、L2、W1参数,得到最终需要的电阻阻值。但是,该结构的电阻存在一些缺陷,比如,调整后的电阻,L1、W1均受到电阻尺寸蚀刻精度、激光设备精度限制,在实际应用中由于图形偏位、激光对位偏位问题,导致L1、W1与设计值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜电阻,其特征在于:所述薄膜电阻上设置有若干个孔或斑,所述孔或斑的数量为单个或双个、或矩阵个,其中,双个孔或斑的中心连接线平行于薄膜电阻的长或宽,矩阵个孔或斑中每相邻的两个孔或斑的连接线平行于薄膜电阻的长或宽,薄膜电阻上的孔或斑的直径相同。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电阻,其特征在于:所述薄膜电阻上设置有若干个孔或斑,所述孔或斑的数量为单个或双个、或矩阵个,其中,双个孔或斑的中心连接线平行于薄膜电阻的长或宽,...

【专利技术属性】
技术研发人员:林荣富关志锋李超谋
申请(专利权)人:珠海杰赛科技有限公司广州杰赛科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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