一种超低损耗单模光纤的制造方法及装置制造方法及图纸

技术编号:22043898 阅读:37 留言:0更新日期:2019-09-07 11:49
本发明专利技术提供一种超低损耗单模光纤的制造方法,采用VAD法,将石英玻璃靶棒放在沉积装置内,制造光纤预制棒的芯棒疏松体;将制作完成的芯棒疏松体制品放置到烧结装置中得到芯棒玻璃体;将芯棒进行高温脱气、拉伸后制作成用于沉积外包层的芯棒,通过外包层沉积、烧结后制作成光纤预制棒;光纤预制棒延伸到尺寸小、直径均匀的预制棒;将步骤4中的的预制棒放入光纤拉丝炉进行光纤拉丝,最终获得了超低损耗单模光纤。还记录了一种超低损耗单模光纤的制造方法的沉积装置,一种超低损耗单模光纤的制造方法的沉积装置。本发明专利技术的有益效果是通过以上方法,不仅可以获得损耗较低的超低损耗光纤,同时可以进行规模化生产,并且付出较低的生产成本。

A Fabrication Method and Device of Ultra-Low Loss Single-Mode Fiber

【技术实现步骤摘要】
一种超低损耗单模光纤的制造方法及装置
本专利技术属于光纤通讯
,尤其是涉及一种超低损耗单模光纤的制造方法及装置。
技术介绍
自20世纪70年代起,随着光纤通信相关技术的不断进步,光纤通信在信息技术时代显得越来越重要。随着传输信息量的爆发式增长,对光纤传输技术的要求也越来越高,而作为传输介质的光纤,是决定光纤传输性能的主要决定因素之一。为了增加传输容量,降低光缆铺设成本,光纤的衰减损耗是技术人员考虑的主要因素,衰减在很大程度上决定了光纤通信的中继距离。光纤的衰减系数越小,同样强度的光信号可以传输更远的距离,从而减少信号传输所需要的中继站,降低通信系统的投资成本与运营成本。在光纤制造中,降低光纤的衰减主要是1310nm、1383nm、1550nm、1625nm四个窗口的衰减系数,随着技术的不断发展,目前通用的G.652D光纤已经是零水峰光纤,1383nm窗口处的衰减已降低到0.28dB/km,1310nm窗口处的衰减降低到0.32dB/km,1550nm窗口处衰减降低到了0.185dB/km,从设计和制造上基本已处于极致水平。剩余的衰减主要由于光纤材料本身的瑞利散射引起,因此,要得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1、采用VAD法,将石英玻璃靶棒放在沉积装置内,制造光纤预制棒的芯棒疏松体;所述的步骤1具体包括以下步骤:1)将石英玻璃靶棒的底部降低到芯层沉积反应室内,芯层沉积喷灯燃烧产生SiO2粉末体在旋转的石英玻璃靶棒上堆积,石英玻璃靶棒以1mm/min~3mm/min的速度向上提升,2)在均热的石英管内通入He和Cl2,将电阻炉升温,使得石英管的上部温度达到1350℃,3)石英玻璃靶棒芯层脱水固化后进入包层沉积反应室,利用内包层沉积喷灯燃烧产生SiO2粉末沉积到芯层外部,形成芯棒的包层,最后完成芯棒疏松体制品的沉积;步骤2、将制作完成的...

【技术特征摘要】
1.一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1、采用VAD法,将石英玻璃靶棒放在沉积装置内,制造光纤预制棒的芯棒疏松体;所述的步骤1具体包括以下步骤:1)将石英玻璃靶棒的底部降低到芯层沉积反应室内,芯层沉积喷灯燃烧产生SiO2粉末体在旋转的石英玻璃靶棒上堆积,石英玻璃靶棒以1mm/min~3mm/min的速度向上提升,2)在均热的石英管内通入He和Cl2,将电阻炉升温,使得石英管的上部温度达到1350℃,3)石英玻璃靶棒芯层脱水固化后进入包层沉积反应室,利用内包层沉积喷灯燃烧产生SiO2粉末沉积到芯层外部,形成芯棒的包层,最后完成芯棒疏松体制品的沉积;步骤2、将制作完成的芯棒疏松体制品放置到烧结装置中,经过加热、脱水、退火得到芯棒玻璃体;所述的步骤2具体包括以下步骤:1)将制作完成的芯棒疏松体先放置在均热炉内进行包层脱水,2)然后对包层进行F元素掺杂,3)掺杂完成后放入高温烧结炉内进行烧结成玻璃体;步骤3、将芯棒进行高温脱气、拉伸后制作成用于沉积外包层的芯棒,通过外包层沉积、烧结后制作成光纤预制棒;步骤4、光纤预制棒延伸到尺寸小、直径均匀的预制棒;步骤5、将步骤4中的的预制棒放入光纤拉丝炉进行光纤拉丝,最终获得了超低损耗单模光纤。2.根据权利要求1所述的一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:在步骤1的芯层反应室和包层反应室的内部为负压,负压值为-200Pa~-50Pa。3.根据权利要求1所述的一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:在步骤1的沉积过程中,芯棒疏松体制品为旋转的,旋转速度为40rpm~120rpm。4.根据权利要求1所述的一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:在步骤1中,电阻炉自上而下采用分段式加热,石英管内部温度自上而下为梯度分布,当上部最高温度达到1350℃时,温度梯度为4°/mm~6°/mm,自上而下递减。5.根据权利要求1所述的一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:在步骤1中,石英管内通入的He和Cl2的摩尔体积比为10~20,He气流量为20L/min~40L/min,石英管内保持正压,正压值为20Pa~50Pa。6.根据权利要求1所述的一种超低损耗单模光纤的制造方法,其特征在于:在步骤2中的芯棒疏松体制品的烧结过程分为3步:第一步为干燥,将芯棒疏松体制品放置在高温烧结炉内,通入Cl2和He,Cl...

【专利技术属性】
技术研发人员:张学军
申请(专利权)人:杭州金星通光纤科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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