【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造具有破坏对称性的纵向突起的光纤
总体涉及光纤,更具体地涉及双包层光纤等的制造,其中包层引导的泵浦光束将耦合到光纤的纤芯中。
技术介绍
具有活性纤芯的光纤可以用作光发射装置。为此目的,光纤的纤芯可以掺杂有活性离子,例如稀土元素,例如铥、镱、铒钕或它们的组合,其用于从掺杂光纤中的掺杂离子产生受激发射的光子。这种光纤可以用于光发射装置,例如激光器或放大器配置。需要具有良好光束质量的光发射装置,其提供具有高功率密度的长工作距离。光束质量通常根据称为M2因子的无量纲参数来测量,其可以取1.0或更高的值,M2因子为1.0表示具有良好光束质量的理想高斯光束。M2因子越高,光束可以聚焦或准直越小,瑞利范围越长,瑞利范围是光束沿其保持聚焦的距离。在光纤中行进的光主要通过沿纤芯传导而传播。为了从光纤激光器或放大器获得良好的光束质量,光纤的纤芯的尺寸通常限于小尺寸,以仅引导一种或几种模式。虽然基本或前几个导模通常是具有较低M2因子的导模,但是具有小纤芯限制了可以注入纤芯中用以泵浦活性离子的能量或功率的量,这反过来限制了光发射装置的输出功率。该问题的解决方案是使用双包层光纤, ...
【技术保护点】
1.一种制造光纤的方法,包括:a)提供光纤预制件,其包括活性纤芯和围绕纤芯的泵浦引导包层;b)将一个或多个侧杆组装到光纤预制件,从而形成光纤预制件组件,每个侧杆沿泵浦引导包层的外表面纵向延伸;c)将光纤预制件组件拉制成所述光纤,使得每个侧杆限定沿所述泵浦引导包层延伸的纵向突起。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造光纤的方法,包括:a)提供光纤预制件,其包括活性纤芯和围绕纤芯的泵浦引导包层;b)将一个或多个侧杆组装到光纤预制件,从而形成光纤预制件组件,每个侧杆沿泵浦引导包层的外表面纵向延伸;c)将光纤预制件组件拉制成所述光纤,使得每个侧杆限定沿所述泵浦引导包层延伸的纵向突起。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述光纤预制件包括在泵浦引导包层和纤芯之间的至少一个附加包层。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中步骤b的组装包括围绕光纤预制件分布多个所述侧杆。4.根据权利要求3所述的方法,其中步骤b的组装包括围绕光纤预制件均匀地分布多个所述侧杆。5.根据权利要求3所述的方法,其中步骤b的组装包括围绕光纤预制件非均匀地分布多个所述侧杆。6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法,其中多个所述侧杆由2、3或4个所述侧杆构成。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中每个侧杆的直径与光纤预制件的直径的比率大于0.02。8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中每个侧杆的直径与光纤预制件的直径的比率大于0.05。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中步骤b的组装包括将每个侧杆熔合到泵浦引导包层的外表面。10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中步骤b的组装包括将每个侧杆部分地熔合到泵浦引导包层的外表面。11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中步骤b的组装包括提供沿泵浦引导包层的外表面保持侧杆的保持器。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其中侧杆由与泵浦引导包层相同的材料制成。13.根据权利要求12所述的方法,其中所述材料是未掺杂的二氧化硅。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法,其中步骤c的拉制在足以将一个或多个所述侧杆熔合到泵浦引导包层的外表面的温度下进行。15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法,还包括用至少一个外包层围绕光纤。16.根据权利要求15所述的方法,其中所述至少一个外包层包括聚合物护套。17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法,其中每个纵向突起具有形成中间隆起部和平滑过渡区域的横截面,所述中间隆起部径向突伸远离泵浦引导包层的外表面,在所述平滑过渡区域中,泵浦引导包层的所述外表面位于所述中间隆起部的相对侧上。18.根据权利要求17所述的方法,其中光纤具有由泵浦引导包层的外表面限定的圆形周边,每个纵向突起具有高度比R,所述高度比R由中间隆起部相对于光纤的圆形周边的径向高度除以在所述圆形周边处的光纤的直径限定,每个纵向突起的所述高度比R小于0.20。19.根据权利要求18所述的方法,其中每个纵向突起的高度比R小于0.06。20.根据权利要求18或19所述的方法,其中每个纵向突起的高度比R大于0.001。21.根据权利要求18或19所述的方法,其中每个纵向突起的高度比R大于0.03。22.一种通过根据权利要求1至16中任一项所述的方法制造的光纤。23.根据权利要求22所述的光纤,其中每个纵向突起具有形成中间隆起部和平滑过渡区域的横截面,所述中间隆起部径向突伸远离泵浦引导包层的外表面,在所述平滑过渡区域中,泵浦引导包层的所述外表面位于所述中间隆起部的相对侧上。24.根据权利要求23所述的光纤,其中光纤具有由泵浦引导包层的外表面限定的圆形周边,每个纵向突起具有高度比R,所述高度比R由中间隆起部相对于光纤的圆形周边的径向高度除以在所述圆形周边处的光纤的直径限定,每个纵向突起的所述高度比R小于0.20。25.根据权利要求24所述的光纤,其中每个纵向突起的高度比R小于0.06。26.根据权利要求24或25所述的光纤,其中每个纵向突起的高度比R大于0.001。27.根据权利要求24或25所述的光纤,其中每个纵向突起的高度比R大于0.03。28.根据权利要求23所述的光纤,其中每个纵向突起的平滑过渡区域的曲率半径大于0.1μm。29.根据权利要求23所述的光纤,其中每个纵向突起的平滑过渡区域的曲率半径大于泵浦引导包层的外表面的曲率半径的四分之一。30.根据权利要求22至29中任一项所述的光纤,其具有大于0.5的包层泵浦吸收系...
【专利技术属性】
技术研发人员:B莫拉斯,Y瓦西尔,D福廷马格南,
申请(专利权)人:科拉克蒂夫高科技公司,
类型:发明
国别省市:加拿大,CA
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