弹性表面波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种弹性表面波装置，关于包含频率温度特性的各特性为良好。弹性表面波装置包含：晶体层；非晶氧化硅层，层叠于所述晶体层上；压电层，层叠于所述非晶氧化硅层上；以及梳形电极，形成于所述压电层上，用于在所述压电层上激励弹性表面波。当将所述弹性表面波的波长设为λ时，0.1≤所述非晶氧化硅层的厚度/λ≤1，0.08＜压电层的厚度/λ≤1。

Elastic Surface Wave Device

【技术实现步骤摘要】
弹性表面波装置
本专利技术涉及一种利用弹性表面波(surfaceacousticwave，SAW)的弹性表面波装置。
技术介绍
随着近年来手机等移动体通信系统的进化，具有窄频带且急剧的衰减特性的SAW滤波器的要求增强。因此，已公开有用于对机电耦合系数k2或频率温度特性的指标即频率温度系数(TemperatureCoefficientsofFrequency，TCF)获得良好的值的各种改善方法。作为其改善方法，已公开有利用使波长程度的厚度的压电基板与高音速基板贴合而成的基板构成SAW滤波器的方法。这种利用经贴合的基板的方法，不但作为改善SAW滤波器的特性的方法，而且作为改善SAW共振器等的其它弹性表面波装置的特性的方法，而广为人知。在非专利文献1中，示出了一种使用如下的基板的SAW共振器，所述基板是将42°Y-XLiTaO3基板、非晶(amorphous)SiO2膜、AlN基板及Si层从上方起依此顺序贴合而成。所述非专利文献1记载了如下的主旨：通过设为这种构成，通过非晶SiO2的温度补偿效应、高音速基板即AlN的振动能量的封闭及利用Si的散热，而与利用42°Y-XLiTaO3基板单体构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性表面波装置，其特征在于，包括：晶体层；非晶氧化硅层，层叠于所述晶体层上；压电层，层叠于所述非晶氧化硅层上；以及梳形电极，形成于所述压电层上，用于在所述压电层上激励弹性表面波；其中，当将所述弹性表面波的波长设为λ时，0.1≤所述非晶氧化硅层的厚度/λ≤1，0.08＜压电层的厚度/λ≤1。

【技术特征摘要】
2018.02.27 JP 2018-0337091.一种弹性表面波装置，其特征在于，包括：晶体层；非晶氧化硅层，层叠于所述晶体层上；压电层，层叠于所述非晶氧化硅层上；以及梳形电极，形成于所述压电层上，用于在所述压电层上激励弹性表面波；其中，当将所述弹性表面波的波长设为λ时，0.1≤所述非晶氧化硅层的厚度/λ≤1，0.08＜压电层的厚度/λ≤1。2.根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述弹性表面波的频率为2GHz以上。3.根据权利要求2所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述压电层的厚度/λ＜0.5。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述非晶氧化硅层的厚度/λ＜0.5。5.根据权利要求1或2所述的弹性表面波装置，其特征在于，当分别在曲线图的横轴上采用所述压电层的厚度/λ，在曲线图的纵轴上采用所述非晶氧化硅层的厚度/λ时，在将(压电层的厚度/λ，非晶氧化硅层的厚度/λ)＝(0.2，0.4)、(0.3，0.4)、(0.4，0.6)、(0.7，0.9)、(0.5，1.0)、(0.3，1.0)、(0.2，0.8)的各坐标利用直线加以连结而获得的七边...

【专利技术属性】
技术研发人员：平塚祐也，广田和博，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP