【技术实现步骤摘要】
一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管。
技术介绍
随着微电子技术的发展，半导体材料碳化硅具有的较大禁带宽度，较高临界击穿电场，高热导率和高电子饱和漂移速度等优良物理和化学特性被广泛应用于半导体器件的制作，尤其适合于制作高温、高压、大功率及抗辐照的半导体器件。半导体器件作为电力电子器件，具有导通电阻小、漏电流小、开关时间短、抗浪涌能力强等特点，被广泛应用于电路中。传统的槽型结构的肖特基二极管，每个沟槽处都是P型区，每个沟槽两侧都有侧壁。由于传统的槽型结构的肖特基二极管的P型区欧姆接触面积较大，这就使得在肖特基二极管器件正向导通的情况下，肖特基的导电沟道变窄，即电流的通路变窄，导致肖特基二极管器件正常工作的情况下导通电阻过大，从而降低器件的性能，降低器件可靠性。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，...
【技术保护点】
1.一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：N
【技术特征摘要】
1.一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：N+衬底区(1)；漂移层(2)，位于所述N+衬底区(1)上，所述漂移层(2)的表面至少包括两个沟槽(3)及处于相邻两个所述沟槽(3)之间的一个凸起结构(4)；P型区，包括：沟槽底部P型区(5)和沟槽侧壁P型区(6)，其中，所述沟槽底部P型区(5)位于所述沟槽(3)的底部下方，所述沟槽侧壁P型区(6)位于所述凸起结构(4)的下方；金属层，包括：第一部分金属层和第二部分金属层，所述第一部分金属层与一部分所述漂移层(2)形成肖特基接触(71)，所述第二部分金属层与所述P型区形成欧姆接触；第一部分阳极(9)，位于所述肖特基接触(71)、所述欧姆接触的表面。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆接触包括：第一欧姆接触(72)和第二欧姆接触(73)，其中，所述第二部分金属层分别与所述沟槽底部P型区...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋庆文，张玉明，汤晓燕，袁昊，张艺蒙，王栋，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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