转置头制造技术

本发明专利技术提供一种转置头。转置头包含本体。本体具有多个抓取区域的多个阵列，每个阵列包含至少两栏的抓取区域。每栏中的抓取区域电性串联。一个阵列中的栏由单一电压源控制，且两个阵列中的栏分别由两个电压源控制。转置头上的抓取区域以阵列为单元的设计降低了电路设计的复杂度，降低了转置头的制造成本。

Inverter Head

【技术实现步骤摘要】
转置头
本专利技术有关于一种转置头以及将多个微型元件转移至接收基板的方法。
技术介绍
随着微型元件的尺寸缩减，微型元件的制造以及封装日益困难。微型元件在各种领域中的应用亦日渐增加，各种领域包含射频(radiofrequency,RF)、发光二极管(lightemittingdiode,LED)、微机电系统(microelectromechanicalsystems,MEMS)等等。日前有关于微型元件的一个常见技术问题为，如何大数量、大规模的进行微型元件转移。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，而提出一种转置头，可以将多个微型元件转移至接收基板。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种用以转移多个微型元件的方法。方法包含：使用转置头由载体基板拾取微型元件，并迭代地执行放置程序。放置程序包含：移动转置头至一个位置，使微型元件的阵列位于接收基板的接收位置的阵列上方，并且将微型元件的所述阵列放置于接收基板的接收位置的阵列上。依据本专利技术提出了一种转置头。转置头包含本体，具有多个抓取区域的多个阵列，其中每一阵列包含至少二栏的抓取区域。每栏中的抓取区域电性串联。每个阵列中的的栏由单一电压源控制，且两个阵列中的栏分别由二个电压源控制。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的转置头中，本体进一步具有多个凹槽，凹槽中的一个位于相邻两栏的抓取区域之间，或栏中的一个位于凹槽中相邻两者之间。前述的转置头中，凹槽中的一个与凹槽中的其它凹槽隔离开来。前述的转置头中，本体进一步具有多个凹槽，凹槽中的一个位于栏中的一个内的抓取区域中的相邻两个之间，或栏中的一个内的抓取区域中的一个位于穿插于栏中的该栏的凹槽中相邻两个之间。前述的转置头中，其中多个凹槽中的一个与多个凹槽中的其它凹槽隔离。前述的转置头中，阵列至少部分地互嵌。栏中彼此相邻的两个分别属于阵列中的两个，且栏中相邻两个之间的间距小于抓取区域中的一个的横向长度的两倍。前述的转置头中，阵列至少部分地互嵌，栏中彼此相邻的两个分别属于阵列中的两个，且栏中相邻两个之间的间距大于或等于抓取区域中的一个的横向长度的两倍。前述的转置头中，栏具有延伸方向，栏中的一部分的抓取区域沿着延伸方向偏离栏中的剩余部分的抓取区域。前述的转置头中，阵列中的一个内，栏中的至少一个的抓取区域沿着延伸方向偏离栏中的剩余部分的抓取区域。前述的转置头中，阵列中的每一个的栏是错开式的彼此偏离。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本专利技术提出的一种转置头可达到相当的技术进步性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有以下优点:1、可以将多个微型元件转移至接收基板。2、转置头上的抓取区域以阵列为单元的设计降低了电路设计的复杂度，降低了转置头的制造成本。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。附图说明图1是本专利技术转置头实施例中用以转移多个微型元件的微型元件转移方法的流程图。图2A是本专利技术转置头实施例中的载体基板与位于其上的微型元件的俯视示意图。图2B是本专利技术转置头实施例中的载体基板与位于其上的微型元件的俯视放大图。图2C是本专利技术转置头实施例中转置头的一部分与位于其上的抓取区域的示意图。图2D是本专利技术转置头实施例中的接收基板的顶面上的接收位置的示意图。图2E是本专利技术转置头实施例中的接收基板的顶面上的接收位置的示意图。图3A是本专利技术转置头实施例中的接收基板与位于其上的微型元件的俯视示意图。图3B是本专利技术转置头实施例中转置头的一部分与位于其上的抓取区域的示意图。图3C是本专利技术转置头实施例中的接收基板的顶面上的接收位置的示意图。图3D是本专利技术转置头实施例中连续迭代之间的转置头的位置的俯视示意图。图4A是本专利技术转置头实施例中的载体基板与位于其上的微型元件的俯视示意图。图4B是本专利技术转置头实施例中的转置头与位于其上的抓取区域的示意图。图5A是本专利技术转置头实施例中的载体基板与位于其上的微型元件的俯视示意图。图5B是本专利技术转置头实施例中的载体基板与位于其上的微型元件的俯视放大示意图。图5C是本专利技术转置头实施例中的转置头的一部分与位于其上的抓取区域的示意图。图5D是本专利技术转置头实施例中的接收基板的顶面上的接收位置的示意图。图6A是本专利技术转置头实施例中的转置头的一部分上的抓取区域的电性连接的示意图。图6B是本专利技术转置头实施例中的横向长度的定义的示意图。图6C是本专利技术转置头实施例中的转置头的一部分与位于其上的抓取区域的示意图。图7A是本专利技术转置头实施例中的转置头的一部分与位于其上的抓取区域的示意图。图7B是本专利技术转置头实施例中的接收基板的顶面上的接收位置的示意图。图8A至图8C是本专利技术转置头实施例中的一些类型的转置头的一部份的抓取区域以及凹槽的示意图。图8D是本专利技术转置头实施例中的转置头在放置程序中的一个阶段被执行时的侧视图。图9是本专利技术转置头实施例中的一部份的转置头的放大示意图。【符号说明】100：微型元件转移方法110、120、122、124：操作210、310、810：微型元件220、320：载体基板230、230’、330、430、530、630、730、830、930：转置头232、332、432、532、632、732、832、932：抓取区域240、240’、440：接收基板242、442：顶部表面244、244R、244G、244B、444：接收位置534、634、734、834、934：凹槽8442：导电垫936：金属线R1、R1’、R2、R2’、G1、G2：阵列R11、R12、R13、R21、R22、R23、R41、R11’、R12’、R13’、R21’、R22’、R23’、G11、G12、G13、G21、G22、G23、RY：栏b1、b2：区块B：本体D：延伸方向E1、E2：放大图i1：第一迭代i2：第二迭代L：横向长度p1、p2、p3、p4、q：间距T1、T2：位置V1、V2、V3、V4：电压源具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的转置头，其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明,当可对本专利技术为达成预定目的所采取的技术手段及功效更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本专利技术加以限制。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。并且，除非有其他表示，在不同图式中相同的元件符号可视为相对应的元件。这些图式的绘示是为了清楚表达这些实施例中各元件之间的连接关系，并非绘示各元件的实际尺寸。图1是本专利技术转置头实施例中用以转移多个微型元件的微型元件转移方法的流程图。图2A至图2D绘示图1中所示的方法的第一迭代i1的示意图。图3A至图3C绘示图1所示的方法的第二迭代i2的示意图。请参照图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转置头，其特征在于，包含：本体，具有多个抓取区域的多个阵列，其中每个该阵列包含至少二栏的该多个抓取区域，其中在该多个栏中的一个栏里的该多个抓取区域电性串联，该多个阵列中的一个阵列里的该多个栏由单个电压源控制，且该多个阵列中的两个阵列里的该多个栏分别由二个电压源控制。

【技术特征摘要】
2018.02.26 US 15/904,4411.一种转置头，其特征在于，包含：本体，具有多个抓取区域的多个阵列，其中每个该阵列包含至少二栏的该多个抓取区域，其中在该多个栏中的一个栏里的该多个抓取区域电性串联，该多个阵列中的一个阵列里的该多个栏由单个电压源控制，且该多个阵列中的两个阵列里的该多个栏分别由二个电压源控制。2.如权利要求1所述的转置头，其特征在于，该本体进一步具有多个凹槽，该多个凹槽中的一个位于该多个栏中的相邻两个中的该多个抓取区域之间，或该多个栏中的一个位于该多个凹槽中的相邻两个之间。3.如权利要求2所述的转置头，其特征在于，该多个凹槽中的一个与该多个凹槽中的其它凹槽隔离。4.如权利要求1所述的转置头，其特征在于，该本体进一步具有多个凹槽，该多个凹槽中的一个位于该多个栏中的一个内的该多个抓取区域中的相邻两个之间，或该多个栏中的一个内的该多个抓取区域中的一个位于穿插于该多个栏中的该栏的该多个凹槽中的相邻两个之间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立宜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚,WS