【技术实现步骤摘要】
晶圆抛光的抛光压力控制方法、装置和设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种晶圆抛光的抛光压力控制方法、装置和设备。
技术介绍
硅晶圆被广泛用于制作半导体器件。通过对单晶硅锭依次进行如下工序来制造硅晶圆：外周磨削、切片、研磨(lapping)、蚀刻、双面抛光、单面抛光、清洗等。其中，抛光工序为去除晶圆表面的凹凸或起伏以提高平坦度的必要工序，使用CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械抛光)法进行镜面加工。进入3DNAND时代，为确保下游工艺(如光刻印刷、薄膜沉积、干法技术等)对芯片内部的均匀性要求更加严格，因而，晶圆表面形貌正在成为CMP工艺面临的最大挑战。为了提高晶圆的平坦度，已知有一种晶圆抛光设备，其根据抛光前后测量的晶圆各区的厚度来调整抛光时间和/或各受压区域的压力。但是，如果晶圆翘曲变化，仅基于工艺调整的厚度不够实用，无法满足芯片内部均匀性的高标准要求。为了改善晶圆的纳米形貌，已知的方法事先求出纳米形貌的平均值成分的凹凸量与用于将该凹凸平坦化的磨石的倾斜调整量及偏移调整量之间的关系式，根据该关系式，进行后续磨...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆抛光设备(1)的抛光压力控制方法(100)，所述晶圆抛光设备包括多区加压方式的抛光头以对晶圆的表面进行抛光，其中，所述抛光头将所述晶圆的受压表面划分为多个受压区域并能够独立地对各个受压区域的抛光压力进行控制，其特征在于，所述抛光压力控制方法包括：测量所述多个受压区域中每个受压区域的翘曲度(110)；根据所述每个受压区域的翘曲度来调整所述抛光头对所述每个受压区域的抛光压力，并以调整后的抛光压力对所述晶圆进行抛光处理(120)。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆抛光设备(1)的抛光压力控制方法(100)，所述晶圆抛光设备包括多区加压方式的抛光头以对晶圆的表面进行抛光，其中，所述抛光头将所述晶圆的受压表面划分为多个受压区域并能够独立地对各个受压区域的抛光压力进行控制，其特征在于，所述抛光压力控制方法包括：测量所述多个受压区域中每个受压区域的翘曲度(110)；根据所述每个受压区域的翘曲度来调整所述抛光头对所述每个受压区域的抛光压力，并以调整后的抛光压力对所述晶圆进行抛光处理(120)。2.如权利要求1所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：控制所述抛光压力，使得对于翘曲度为正值越大的受压区域，降低该受压区域的抛光压力；并且对于翘曲度为负值越大的受压区域，增加该受压区域的抛光压力。3.如权利要求1或2所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：根据测量得到的所述多个受压区域的翘曲度以及针对所述晶圆的抛光压力换算式来计算各个受压区域的抛光压力。4.如权利要求3所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：基于测量得到的每个受压区域的翘曲度来确定所述每个受压区域的翘曲常数，并且将所述每个受压区域的所述翘曲常数作为权重值代入所述抛光压力换算式以计算所述每个受压区域的抛光压力。5.如权利要求4所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：根据属于同一个受压区域的多个采样点处的翘曲度的平均值来计算该受压区域的翘曲常数。6.如权利要求1或2所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：根据每个受压区域的翘曲度来调整所述抛光头的抛光时间。7.如权利要求6所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，基于经调整的抛光压力来调整所述抛光时间。8.一种用于晶圆抛光设备(1)的抛光压力控制装置(200)，所述晶圆抛光设备包括多区加压方式的抛光头以对晶圆的表面进行抛光，其中，所述抛光头将所述晶圆的受压表面划分为多个受压区域并能够独立地对各个受压区域的抛光压力进行控制，其特征在于，所述抛光压力控制装置(200)包括：测量单元(210)，其被配置用于测量所述多个受压区域中每个受压区域的翘曲度；以及抛光单元(...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明源，朱春雷，姜波，
申请(专利权)人：英特尔半导体大连有限公司，英特尔公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
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