粘着性膜及电子装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的粘着性膜(50)是在电子装置的制造工序中通过密封材料将电子部件密封时为了将上述电子部件临时固定而使用的粘着性膜，其具备：基材层(10)、设置在基材层(10)的第1面(10A)侧且用于将上述电子部件临时固定的粘着性树脂层(A)、以及设置在基材层(10)的第2面(10B)侧且因外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)，粘着性树脂层(A)包含多元羧酸酯系增塑剂(X)和粘着性树脂(Y)，粘着性树脂层(A)中的上述多元羧酸酯系增塑剂(X)的含量相对于粘着性树脂层(A)所包含的上述粘着性树脂(Y)100质量份为0.7质量份以上50质量份以下。

Manufacturing Method of Adhesive Film and Electronic Device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘着性膜及电子装置的制造方法
本专利技术涉及粘着性膜以及电子装置的制造方法。
技术介绍
作为能够实现电子装置(例如，半导体装置)的小型化、轻量化的技术，开发了扇出型WLP(晶片级封装)。在作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(嵌入式晶片级球栅阵列，EmbeddedWaferLevelBallGridArray)中，采用将半导体芯片等多个电子部件以分开的状态临时固定在粘贴于支撑基板的粘着性膜上，通过密封材料将多个电子部件一并密封的方法。这里，需要使粘着性膜在密封工序等中粘着于电子部件和支撑基板，且需要在密封后将其与支撑基板一起从被密封的电子部件除去。作为关于这样的扇出型WLP的制造方法的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2011-134811号)所记载的技术。专利文献1中记载了一种半导体装置制造用耐热性粘着片，其特征在于，是在将无基板半导体芯片进行树脂密封时粘贴而使用的半导体装置制造用耐热性粘着片，上述耐热性粘着片具有基材层和粘着剂层，该粘着剂层是贴合后对SUS304的粘着力为0.5N/20mm以上，因直到树脂密封工序完成时为止所受到的刺激而固化，对封装的剥离力达到2.0N/2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粘着性膜，是在电子装置的制造工序中通过密封材料将电子部件密封时为了将所述电子部件临时固定而使用的粘着性膜，其具备：基材层、设置在所述基材层的第1面侧且用于将所述电子部件临时固定的粘着性树脂层(A)、以及设置在所述基材层的第2面侧且因外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)，所述粘着性树脂层(A)包含多元羧酸酯系增塑剂(X)和粘着性树脂(Y)，所述粘着性树脂层(A)中的所述多元羧酸酯系增塑剂(X)的含量相对于所述粘着性树脂层(A)所包含的所述粘着性树脂(Y)100质量份为0.7质量份以上50质量份以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.20 JP 2017-0086181.一种粘着性膜，是在电子装置的制造工序中通过密封材料将电子部件密封时为了将所述电子部件临时固定而使用的粘着性膜，其具备：基材层、设置在所述基材层的第1面侧且用于将所述电子部件临时固定的粘着性树脂层(A)、以及设置在所述基材层的第2面侧且因外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)，所述粘着性树脂层(A)包含多元羧酸酯系增塑剂(X)和粘着性树脂(Y)，所述粘着性树脂层(A)中的所述多元羧酸酯系增塑剂(X)的含量相对于所述粘着性树脂层(A)所包含的所述粘着性树脂(Y)100质量份为0.7质量份以上50质量份以下。2.根据权利要求1所述的粘着性膜，所述多元羧酸酯系增塑剂(X)包含选自3元芳香族羧酸酯系增塑剂和4元芳香族羧酸酯系增塑剂中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的粘着性膜，所述多元羧酸酯系增塑剂(X)包含选自偏苯三甲酸酯系增塑剂和均苯四甲酸酯系增塑剂中的至少一种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘着性膜，所述多元羧酸酯系增塑剂(X)包含选自烷基的碳原子数为4以上12以下的偏苯三甲酸三烷基酯和烷基的碳原子数为4以上12以下的均苯四甲酸四烷基酯中的至少一种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘着性膜，所述粘着性树脂层(B)通过加热而粘着力降低。6.根据权利要求5所述的粘着性膜，所述粘着性树脂层(B)包含选自气体产生成分和热膨胀性微球中的至少一种。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚康二，木下仁，栗原宏嘉，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP