一种表面进行抗氧化保护的铜颗粒、低温烧结铜膏及使用其的烧结工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种表面进行抗氧化保护的铜颗粒、低温烧结铜膏及使用其的烧结工艺。一种表面经抗氧化保护的铜颗粒，其中，利用有机可焊接保护剂对铜颗粒的表面进行修饰，其中，该有机可焊接保护剂含有一定比例的二苯基对苯二胺。该有机可焊接保护剂可以为苯并三氮唑、咪唑、苯并咪唑中的至少一种。

A kind of copper particle, low-temperature sintered copper paste and sintering process using it for anti-oxidation protection

【技术实现步骤摘要】
一种表面进行抗氧化保护的铜颗粒、低温烧结铜膏及使用其的烧结工艺
本专利技术涉及一种特别是用于半导体封装材料领域的、表面进行抗氧化保护的铜颗粒、低温烧结铜膏及使用其的烧结工艺。
技术介绍
新一代的用于电车、航空、和其他工业的功率模组需要高功率和高服役温度。在过去10年证明了宽禁带半导体可以耐300℃以上的高运行温度。然而，传统封装材料，比如锡基的焊料和导电胶，限制在200℃以下工作。研究人员一直在寻找各种办法获得高温和高功率情况下的高可靠性。在过去的探索中，人们发现银或者铜的烧结是有前景的方法。出于成本的考虑，烧结铜是代替银烧结的一个近几年一直在尝试的技术。但是烧结铜的相对高的烧结温度还在困扰着半导体封装业界。与银相比，铜虽然具有较高表面能，但其较易氧化，从而表面生成难溶且较低表面能的氧化物。目前，铜表面的氧化是阻碍烧结温度降低的主要原因之一(非专利文献1-3)，而且，随着铜颗粒尺寸的进一步降低，铜表面能增加，金属原子互融机会增大，但氧化倾向更为加剧，所以，通过减少铜表面氧化从而降低铜颗粒烧结温度是很有必要的。现有技术文献非专利文献1：JangE-J,HyunS,LeeH-J,Park本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面经抗氧化保护的铜颗粒，其中，在该铜颗粒表面形成有机可焊接保护剂OSP的膜，该OSP的膜按OSP膜的整体质量计含有约3.0‑8.0质量％的二苯基对苯二胺(DPPD)。

【技术特征摘要】
1.一种表面经抗氧化保护的铜颗粒，其中，在该铜颗粒表面形成有机可焊接保护剂OSP的膜，该OSP的膜按OSP膜的整体质量计含有约3.0-8.0质量％的二苯基对苯二胺(DPPD)。2.权利要求1所述的铜颗粒，其中，有机可焊接保护剂为苯并三氮唑、咪唑、苯并咪唑中的至少一种。3.权利要求1或2所述的铜颗粒，其中，有机可焊接保护剂不含硫元素和卤素元素。4.权利要求1至3中任一项所述的铜颗粒，其中，该有机可焊接保护剂的成膜厚度为1-100nm。5.一种低温烧结铜膏，其由通过权利要求1至4的任一项所述的铜颗粒、高链接树脂、助焊剂以...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫红，刘旭，敖日格力，叶怀宇，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44